PM001MNEB

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PM001 is a 1M Bit/128K Byte capacity SPI (Serial Single-Wire) interface STT-MRAM (Spin-Transfer Torque Magnetic Random Access Memory) chip. Its data is non-volatile with a retention time exceeding 10 years. The chip supports independent 1-bit SI (Serial Input) and SO (Serial Output) interfaces, allows continuous writing or reading of data bytes at its maximum clock frequency, and features zero write latency.

Caractéristiques

Densité
1M Bit/128K Byte
Interface SPI rapide avec adressage en largeur de données de 8 bits
Fréquence d'horloge jusqu'à 54 MHz @SPI SDR
Prise en charge du mode SPI0 et du mode SPI3
Tension de fonctionnement
Tension typique：3.3V
Protection des données
Mode de protection avec WP#EN, TBSEL, BP0, BP1, BP2 dans le registre de mode SR#1
Consommation électrique
Courant de veille 10μA (valeur typique)
Courant de veille 100μA (valeur typique)
Courant actif 12mA (valeur typique @SPI 54MHz)

Spécification de la commande

PartNo	Densité	Operating voltagerange	Paquet	Devicesper bag/reel	Maximum Program/Erase Cycles	Température de fonctionnement	Dataretention
PM001MNEB	1Mbit	2,7V~3,6V	SOP8	2500pcs/rouleau	1E10	-40℃~125℃	≥10years@105℃
PM001MNIB				2500pcs/rouleau		-40℃~85℃	≥10years@85℃

Paquet

Non.	Symbole	SignalType	Pin Description
1	CE#	Entrée	Chip Select Enable Signal
2	SO	Sortie	Serial Output
3	WP#	Entrée	Write Protect
4	VSS	Sol	Sol
5	SI	Entrée	SerialInput
6	CLK	Entrée	SerialClock
7	HOLD#	Entrée	Hold
8	VCC	Puissance	Puissance

Registers	Databitdefinition								Note
	7	6	5	4	3	2	1	0
SR#1	WP#EN	RFU0	TBSEL	BP2	BP1	BP0	WREN	LOAD_BUSY	PartR，PartRW
SR#2	SRLK	RFU2	RFU1	DC4	DC 3	DC2	DC1	DC0	RW

WREN(SR#1)	WP#EN(SR#1)	WP#(Pin)	SRregister	Protected Area	Unprotected Area
0	X	X	Protectedstatus	Protected status	Protected status
1	0	X	Non-protected status	Protected status	Non-protected status
1	1	Faible	Protectedstatus	Protected status	Non-protected status
1	1	Haut	Non-protected status	Protected status	Non-protected status

TBSEL=0
BP2	BP1	BP0	1Mb(2blocks)
0	0	0	Noprotectedareas
0	0	1
0	1	0
0	1	1
1	0	0
1	0	1
1	1	0
1	1	1	1blockprotected, addressrange(0x10000 – 0x1FFFF)
TBSEL=1
BP2	BP1	BP0	1Mb(2blocks)
0	0	0	Noprotectedareas
0	0	1	1blockprotected, addressrange(0x00000 – 0xFFFF)
0	1	0	2blocksprotected, addressrange(0x00000 – 0x1FFFF)
0	1	1
1	0	0
1	0	1
1	1	0
1	1	1

{DC4，DC0}	Dummyquantity	Frequencyrangeofrapid readingoperation(MHz)	Note
00h	0	0~40	Power- ondefault
01h	1	0~40	–
02h	2	0~40	–
03h	3	0~40	–
04h	4	0~40	–
05h	5	0~40	–
06h	6	0~40	–
07h	7	0~40
08h~1Fh	8~31	0~54	–

Command	SPImode
	Byte1	Byte2	Byte3	Byte4	Byte5	Byte6	Byte7~
Numberofclocks	8	8	8	8	8or configurable	8	8
SR#1registerwrite	01h	S7-S0
SR#1registerread	05h	S7-S0
SR#2registerwrite	87h	S7-S0
SR#2registerread	35h	S7-S0
write	02h	A23-A16	A16-A8	A7-A0	D7-D0	D7-D0	D7-D0
Normalread	03h	A23-A16	A16-A8	A7-A0	D7-D0	D7-D0	D7-D0
Quickread	0Bh	A23-A16	A16-A8	A7-A0	Dummy (Quantity configurable)	D7-D0	D7-D0
Writeenable	06h

Writedisable	04h
Entersleepmode	B9h
Exitsleepmode	ABh
ReadUniqueID	4Bh	ID87~ID0
ReadMANUID	9Fh	ID7~ID0
ReadDeviceID	90h	ID7~ID0
Resetenable	66h
Reset	99h

	STT-MRAM 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23				24
CE# CLK SI SO	Mode3 0 1 2 3 4 5 6 7 Mode3 0 1 2 3 4 5 6 7 Mode3 Mode0 Mode0 Mode0 Command(66h) Command(99h)
				Mode0

	Invalid	0	1 Inva tRST	lid

CE# CLK SI	1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 Mode3 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 Mode3 Mode0 Mode0 Command(01h) Register Data(8bit) Invalid 0 0 0 0 0 0 0 1 7 6 5 4 3 2 1 0 Invalid
SO

0 0 0 0 0 0 0 1	7 6 5 4 3 2 1 0
	7


	Invalid

	STT-MRA 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20	M
CE# CLK SI SO

DeviceID value	DeviceIDExplanation
	7-5（3bit）	4-0（5bit）
	Productgrade	Productcapacity
29h	001（A）	01001（4Mb）
49h	010（B）	01001（4Mb）
69h	011（C）	01001（4Mb）
28h	001（A）	01000（2Mb）
48h	010（B）	01000（2Mb）
68h	011（C）	01000（2Mb）
27h	001（A）	00111（1Mb）
47h	010（B）	00111（1Mb）
67h	011（C）	00111（1Mb）

erio CE# CLK SI SO	doftime(tESLP), thechipwillenterthismode. 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 tESLP Mode3 0 1 2 3 4 5 6 7 Mode3 Mode0 Mode0 Command(B9h) Invalid 1 0 1 1 1 0 0 1 Invalid High-Z			6 0 7 1 dataout 2
		tESLP Mode3

			Mode0

		Invalid

tCH

tCLK

CLK	1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 tCLK tCH tCL


CE# SI SO				6 0 7 1

		tCHD	tCHD

	1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 S 1T4	T	-MRAM 6 0 7 1
CLK CE# HOLD# SO

	Test bol Parameter Value Unit Conditions C Powersupplyvoltage -0.5~4 V N Anypinvoltage -0.5~(VCC+0.5) V T Eachpinoutputcurrent ±20 mA
Sym	bol	Paramètres	Conditions d'essai	Valeur	Unité
VC	C	Powersupplyvoltage		-0.5~4	V
VI	N	Anypinvoltage		-0,5~(VCC+0,5)	V
IOU	T	Eachpinoutputcurrent		±20	mA
TBIAS
		Temperatureunder biaspressure	Qualité industrielle	-40~125	℃
Tstg		Storagetemperature		-55~150	℃
Hmax_écriture		Maximum magneticfield	Écrire	4, 000	A/m

	duringwriting
Hmax_read	Maximummagnetic fieldduringreading orstandbymode	Readingor standby	12, 000	A/m
Hmax_poweroff	Maximummagnetic fieldduringpower off	Poweroff	40, 000	A/m

Symbole	Paramètres	Min	Max	Unité
VCC	Powersupplyvoltage	2.7	3.6	V
TA	Temperature(industrial)	-40	125	℃

Symb ol	Paramètres	Conditions d'essai	Min	Typ.	Max	Unité
\|IILI\|	Inputleakage current	0≤ CE# ＜VCC	–	–	140	μA
		CE#=VCC	–	–	1	μA
		WP#, HOLD#, CLK, SI=0V~VCC	–	–	1	μA
\|ILO\|	Outputleakage current	SO=0V~VCC	–	–	1	μA

ISLP	Sleepcurrent	CE#=VCC AllinputsVSSorVCC		–	10	145	μA
I SBY	Standbycurrent	CLK=SI=CE#=VCC		–	100	5600	μA
CPI	Courant d'exploitation	SPIWrite	CLK=1MHz	–	9	16	mA
			CLK=40MHz	–	11	18	mA
			CLK=54MHz	–	12	19	mA
		SPIRead	CLK=1MHz	–	5	13	mA
			CLK=40MHz	–	7	15	mA
			CLK=54MHz	–	8	16	mA
VIL	Inputlowlevel	VCC=2,7V~3,6V		-0.3	–	0.8	V
VIH	Inputhighlevel	VCC=2,7V~3,6V		VCC-0,4	–	VCC+0,3	V
VOL	Outputlowlevel	IOL=3.1mA		–	–	0,2VCC	V
VOH	Outputhighlevel	IOH=-3.1mA		0,8VCC	–	–	V

Symbole	Paramètres	Typ.	Max	Unité
CP	Externalcapacitorsfor VCC/VSSpowersupply	–	10	μF
CIN	Controlinputcapacitor	–	8	рF
DPI	IOcapacitor	–	12	рF
CLOAD	Loadcapacitance	–	32	рF

Paramètres	Valeur	Unité
Powersupplyvoltagerange	2.7~3.6	V
Temperaturerange(industrial)	-40~125	℃
Inputinterfacevoltagerange	VCC-0.4 ≤ VIH ≤ VCC+0.3 0 ≤ VIL ≤ 0.8	V
Risingedgetimeofinputinterface	2	ns
Descendingedgetimeofinput interface	2	ns
Inputinterfacejudgethelevelof theadoptedvoltagevalue	VCC/2	V
Inputinterfacejudgethelevelof theadoptedvoltagevalue	VCC/2	V

Symbole	Paramètres	Min	Max	Unité
fCLK	CLK Clockfrequency	0	54	MHz
tCH/tCL	Clockhigh/lowleveltime	9	–	ns
tCPH	Minimumhigh-leveltimebetweeneach instructionswitchofCE#	150	–	ns
tCSP	SetuptimeofCE#attherisingedgeofthe clock	10	–	ns
tCHD	CE#holdtimestartingfromtherisingedgeof theclock	10	–	ns
tSP	Inputdatasetuptimeontherisingedgeofthe clock	2	–	ns
tHD	Inputdataholdtimefromtherisingedgeof theclock	5	–	ns
tHZ	Theswitchingtimewhentheoutputdata becomesinvalid	3	6	ns

tACLK	Outputdatabecomesvalidswitchingtime	–	9	ns
tKOH	Outputdataholdtime	4	–	ns
tRST	Resetrecovery(normalreadingandwriting) time	500	–	μs
tESLP	Timefromenteringsleepmodecommandto enteringsleepmode	–	10	μs
tRSLP	Timefromexitingsleepmodetoentering standbymode	500	–	nous
tSH	HOLD#setuptime	10	–	ns
tHH	HOLD#holdtime	10	–	ns
tHHZ	HOLD#ispulledlowtooutputHi-Ztime	–	20	ns
tHLZ	HOLD#pulledhightooutputvalidtime	–	20	ns

Symbole	Paramètres	Min	Max	Unité
VCI	Poweron Initialvoltage	2.35	–	V
tPU	Powerondelaytime	500	–	μs

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forthewake-upprocessist. 1 2 3 4 5R SLP 6 7 8 9 10 11 12 13 14 tRSLP Mode3 0 1 2 3 4 5 6 7 Mode3 Mode0 Mode0 Command(ABh) Invalid 1 0 1 0 1 0 1 1 Invalid High-Z

6 0 7 1 dataout 2