国产高端存储新选择
STT‑MRAM 高速 可靠 寿命长
上海矽朋微电子有限公司推出STT‑MRAM 系列芯片，具备高速读写、非易失、高耐用等优势，专为工业控制、通信、物联网及航空航天等关键领域设计，助力国产高端存储替代与智能化升级。
专为高可靠高速存储场景打造
MRAM系列芯片是上海矽朋微面向工业控制、通信设备、物联网、航空航天等领域推出的SPI 接口非易失 STT‑MRAM 芯片，定位替代传统 Flash、EEPROM、FRAM 等存储器件，解决频繁读写、掉电数据保护、低功耗运行、宽温稳定等行业痛点。
它不依赖电荷存储数据，而是利用磁性隧道结（MTJ） 与电子自旋方向实现信息记录，天生具备非易失、高速读写、无写入延迟、高耐用、长数据保持等特性，完美适配对数据安全与响应速度有极高要求的关键系统。
MRAM系列有5款芯片，分别是PN256KNIA、PM256KNIA、PM001MNxB、PM002MNxB、PM004MNxB。
硬核实力一目了然
1. 基础规格清晰易用 (1)存储容量与接口
| 型号 | 容量 | 端口 |
| PM001MNxB | 1Mb | 兼容spi接口的fram和flash |
| PM002MNxB | 2Mb | 支持标准 SPI（Mode 0/3）和 QPI 模式 |
| PM004MNxB | 4Mb | 支持标准 SPI（Mode 0/3）和 QPI 模式 |
| PN256KNIA | 256Kb | IIC（支持多器件寻址，最多挂载4个芯片） |
| PM256KNIA | 256Kb | SPI（支持Mode 0和Mode 3） |
(2)存储技术：STT‑MRAM（自旋转移力矩磁性随机存取存储器）
(3)数据保持：掉电数据保持＞10 年，无需电容 / 电池备份
(4)工作特性：无写入延迟，支持随机地址读写，无需擦除即可直接写入
2. 四大核心技术优势
（1）真正非易失，断电数据零丢失unlike SRAM 断电即丢数据，依靠磁态保存信息，断电后数据稳定保持超 10 年，特别适合系统配置、日志、故障码、校准参数等不可丢失的数据存储。
（2）高速读写 + 无写入延迟，系统响应更快传统 Flash/EEPROM 写入前必须擦除，存在毫秒级延迟；而这款 MRAM读写同速、随机存取、无等待周期，可实现高频次实时数据记录，大幅提升系统实时性。
(3) High endurance, supporting virtually unlimited read/write cycles. Compared with the limited erase/write lifespan of Flash, the STT‑MRAM structure suffers almost no physical wear and withstands an extremely high number of read/write cycles, delivering a “never needs replacing” service life in applications such as industrial data acquisition and high-frequency log storage.
（4）低功耗 + 宽温可靠，适配严苛环境芯片整体功耗低，支持电池供电设备长期运行；同时具备优秀的抗干扰、宽温工作能力，在高低温、强电磁环境下依然稳定读写，满足工业与户外场景要求。
四大重点应用领域：
全覆盖高可靠刚需场景
1. 工业控制与自动化 在 PLC、伺服驱动、传感器数据记录、工业网关、运动控制器中，设备需要频繁记录运行参数、故障信息、采集数据，且必须保证断电不丢失。
矽朋的MARM系列矽朋，无写入延迟、高耐用、非易失的特性，可替代传统 EEPROM/Flash，提升系统稳定性与寿命，降低维护成本。
2. 通信设备 路由器、交换机、5G 小基站、光模块等设备，需高速存储配置信息、流量日志、固件参数，同时要求掉电不丢配置、快速启动、长期稳定。SPI 接口易于集成，高速读写保证系统响应，10 年数据保持让通信基础设施更可靠。
3. 物联网（IoT）设备 智能传感器、穿戴设备、无线终端、表计类产品多为电池供电、空间小、低功耗要求高，且需要长期稳定存储少量关键数据。它还有低功耗、非易失、小体积、长寿命的优势，让 IoT 终端更省电、更耐用、更可靠。
4. 航空航天与国防 导航系统、通信终端、机载设备等对数据安全、稳定性、抗辐照、极端环境要求极高，传统存储难以满足。STT‑MRAM 结构稳定、抗干扰强、数据保持久，是高可靠领域的理想存储选择。
相比传统存储：
MRAM优势在哪？
| 特点 | Flash/EEPROM | SRAM | PM001MNxB PM002MNxB PM004MNxBPN256KNIAPM256KNIA |
| 非易失性 | 是 | 序号 | 是 |
| 写入延迟 | 有（需擦除） | 序号 | 序号 |
| 读写速度 | 较慢 | 快 | 快（接近 SRAM） |
| 擦写寿命 | 有限 | 高 | 极高（近乎无限） |
| 功耗 | 较高 | 高（需刷新） | 低 |
| 适用场景 | 代码 / 大容量存储 | 高速缓存 | 关键数据高速长期存储 |
简单总结：
MRAM = SRAM 的速度 + Flash 的非易失 + 更低功耗 + 更长寿命。
专注高端非易失存储，
助力国产替代
Shanghai Siproin Microelectronics Co., Ltd. has deep expertise in MRAM and high-performance non-volatile memory, and is committed to independent R&D and technological innovation. Focused on high-reliability markets such as industrial, communications, automotive, IoT and aerospace, the company provides customers with stable, high-performance memory chips and solutions that can be mass-produced at scale.
MRAM作为公司主力 STT‑MRAM 产品，以成熟工艺、稳定性能、标准 SPI 接口、长数据保持、高速读写等特点，成为国产替代的优选型号，帮助客户摆脱对外依赖，提升供应链安全与产品竞争力。
关键数据存储，
选对 MRAM 很重要
Today, as high reliability, low latency, long service life and power-loss protection become ever more important, conventional memory can no longer meet the needs of high-end equipment. With their 1M Bit, 2M Bit, 4M Bit, 256K Bit and 256K Bit capacities, SPI/IIC interfaces, STT‑MRAM architecture, more than 10 years of data retention, zero write delay, high endurance and low power consumption, the PM001/PM002/PM004/PN256KNIA/PM256KNIA of Siproin Microelectronics’ MRAM series precisely cover the four major application areas of industrial control, communications, IoT and aerospace, giving systems next-generation memory support that “stores fast, never loses power, lasts long and stays stable.”
未来，随着智能设备、工业互联网、关键基础设施持续升级，STT‑MRAM 将成为主流高可靠存储方案。上海矽朋微电子将持续迭代技术，推出更多容量、更多接口的 MRAM 产品，以国产高端存储力量，赋能千行百业数字化与智能化升级。
