NVM

Le PM002 est une puce STT-MRAM (Spin-Transfer Torque Magnetic Random Access Memory) à interface SPI (Serial Single-Wire) d'une capacité de 2 millions de bits/256 000 octets. Ses données sont non volatiles avec un temps de rétention supérieur à 10 ans. La puce prend en charge les interfaces SI (Serial Input) et SO (Serial Output) indépendantes de 1 bit, permet l'écriture ou la lecture continue d'octets de données à sa fréquence d'horloge maximale et présente une latence d'écriture nulle.
PM001 est une puce STT-MRAM (Spin-Transfer Torque Magnetic Random Access Memory) à interface SPI (Serial Single-Wire) d'une capacité de 1 million de bits/128 000 octets. Ses données sont non volatiles avec un temps de rétention supérieur à 10 ans. La puce prend en charge des interfaces SI (Serial Input) et SO (Serial Output) indépendantes de 1 bit, permet l'écriture ou la lecture continue d'octets de données à sa fréquence d'horloge maximale et se caractérise par une latence d'écriture nulle.
Une nouvelle mémoire magnétique non volatile La MRAM est un dispositif idéal pour la mémoire cache non volatile et la mémoire principale. Ses perspectives d'application ne se limitent pas au système de stockage informatique traditionnel, mais peuvent être étendues à de nombreux autres domaines, et sont même appelées à devenir une mémoire générale. La MRAM garantit que les données ne seront pas perdues en cas de panne de courant et peut prévenir les dommages causés par les rayons. Dans les applications émergentes telles que l'internet des objets et le big data, les terminaux de capteurs omniprésents doivent collecter des données massives. Afin d'économiser de l'énergie de stockage, la MRAM est devenue un candidat populaire en raison de ses performances relativement bonnes.
Le PM004 est une puce STT-MRAM (Spin-Transfer Torque Magnetic Random Access Memory) à interface SPI (Serial Single-Wire) d'une capacité de 4 millions de bits/512 000 octets. Ses données sont non volatiles avec un temps de rétention supérieur à 10 ans. La puce prend en charge des interfaces SI (Serial Input) et SO (Serial Output) indépendantes de 1 bit, permet l'écriture ou la lecture continue d'octets de données à sa fréquence d'horloge maximale et se caractérise par une latence d'écriture nulle.
Le PM004 est une puce STT-MRAM (Spin-Transfer Torque Magnetic Random Access Memory) à interface SPI (Serial Single-Wire) d'une capacité de 4 millions de bits/512 000 octets. Ses données sont non volatiles avec un temps de rétention supérieur à 10 ans. La puce prend en charge des interfaces SI (Serial Input) et SO (Serial Output) indépendantes de 1 bit, permet l'écriture ou la lecture continue d'octets de données à sa fréquence d'horloge maximale et se caractérise par une latence d'écriture nulle.
Le PN256K est une mémoire non volatile à interface IIC de 256K bits/32K octets. Elle adopte la technologie avancée PMTJ STT-MRAM pour réaliser des transmissions de lecture et d'écriture jusqu'à 400 kHz, avec une excellente fiabilité et une durée de rétention des données de plus de 20 ans.
PM256K est une mémoire non volatile à interface SPI de 256K bits/32K octets. La puce adopte la technologie avancée PMTJ STT-MRAM, prend en charge les interfaces indépendantes SI et SO à ligne unique, réalise des transmissions de lecture et d'écriture allant jusqu'à 20 MHz et n'a pas de délai d'écriture. Elle présente une excellente fiabilité et une durée de conservation des données de plus de 20 ans. Le PM256K est une solution idéale pour permettre aux MCU d'étendre leur mémoire externe. En même temps, grâce à ses caractéristiques de débit rapide, de peu de broches et de petite taille, il est progressivement devenu le choix d'applications telles que l'embarqué, les commutateurs de réseau, les automobiles et l'Internet des objets.
Une nouvelle mémoire magnétique non volatile La MRAM est un dispositif idéal pour la mémoire cache non volatile et la mémoire principale. Ses perspectives d'application ne se limitent pas au système de stockage informatique traditionnel, mais peuvent être étendues à de nombreux autres domaines, et sont même appelées à devenir une mémoire générale. La MRAM garantit que les données ne seront pas perdues en cas de panne de courant et peut prévenir les dommages causés par les rayons. Dans les applications émergentes telles que l'internet des objets et le big data, les terminaux de capteurs omniprésents doivent collecter des données massives. Afin d'économiser de l'énergie de stockage, la MRAM est devenue un candidat populaire en raison de ses performances relativement bonnes.

Dites-moi ce dont vous avez besoin