SSP7786

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PM004MNIB

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Kurze Beschreibung:

SSP7786 is a compact, inductor-less, offline linear regulator. It steps down the AC line voltage to 5V, 3.3V and 2.7V by internal. At the same time, VOUT1 can provide a set of 0.66 × VOUT output voltage. It is a simple solution to provide a bias voltage to ICs in offline applications. SSP7786 integrates a 650V power MOSFET, startup control circuit, VDD voltage control circuit, AC signal synchronization detection circuit, low dropout regulator, etc. The chip integrated smart-control system uses AC line power only when necessary, thus minimizing device losses to achieve good efficiency, and effectively reduce the system standby. SSP7786 integrates complete protection functions with self-recovery function: VDD Under Voltage Protection, VDD Over Voltage Protection, output Over Load Protection, output Under Voltage Protection, Lightning Surge Protection and built-in Thermal Shutdown Protection.

Produkt Detail

Eigenschaften

High Output Voltage Accuracy: 2%
Provide Two Sets of Output Voltages simultaneously
Output Voltage internally Setting
Smart Control to Maximize Efficiency
Wide Input Voltage Range: 80~305V AC
No Power Inductor Required
No Input High-voltage Capacitor Required
Fast Line and Load Transient Response
VDD Under Voltage Protection, VDD Over Voltage Protection
Short Circuit Protection, Output Under Voltage Protection, Over Load Protection
Lightning Surge Protection, Built-in Thermal Shutdown Protection
SOP-8, DIP-8 Package

Anmeldung

Intelligenter Zähler
Haushaltsgerät
Wall Switches and Dimmers

Parameter-Tabelle

Spezifikation der Bestellung

Teil Nr.	Paket	Art der Verpackung	Geräte pro Beutel/Rolle
SSP7786-5V	SOP8	Rolle	4000 STCK.
SSP7786-3.3V	SOP8	Rolle	4000 STCK.
SSP7786-2.7V	SOP8	Rolle	4000 STCK.

Spezifikation der Bestellung

Pin Number		Symbol	Beschreibung	Attribut
SOP-8	DIP-8
1	3	VOT1	LDO output voltage, Vout1=0.66×Vout	O
2	1	GND	Ground.	P
3	4	VOUT	LDO output voltage.	O
4	2	VDD	Voltage input supply, used for energy storage. Connect to GND with a capacitor to transfer the input energy for the LDO output stage.	P
5、6、7、8	6、7、8	Drain	Internal power MOSFET drain pin. Provide energy to the backward stage when the input voltage drops to the charging window interval.	P
–	5	NC	No connected.	–

Absolute Maximalwerte

Parameter	Symbol	Wert	Einheit
Drain Voltage	V Drain	650	V
VDD Supply Voltage	VDD	9	V
VDD Clamp Current		10	mA
VOUT Voltage	VOUT	-0.3~7	V
Package Thermal Resistance (SOP-8)	R ja(SOP8)	165	℃/W
Package Thermal Resistance (DIP-8)	R ja(DIP8)	105	℃/W
Maximale Sperrschichttemperatur	T j	150	℃
Betriebstemperaturbereich	T amb	-40~85	℃
Temperaturbereich bei Lagerung	T stg	-65~150	℃
Blei-Temperatur (Löten, 10 Sek.)		260	℃
ESD Capability, HBM (Human Body Model)	HBM	3	KV
ESD Capability, MM (Machine Model)	MM	250	V

Absolute Maximalwerte

Parameter	Symbol	Testbedingungen	Min	Typ	Max	Einheit
High Voltage Startup Section (Drain Pin)
HV Supply Current	I HV	HV=600V, VDD=3V	5	10		mA
HV Leakage Current	I HV_leakage	HV=600V, VDD=8.5V			20	μA
Power MOSFET Drain Source Breakdown Voltage	VBR		650			V
AC Synchronization Turn-off Voltage	VAC_sync_OFF			50		V
Supply Voltage Section（VDD Pin）

VDD Operating Current	I VDD_Op	Iout=1mA		1.4		mA
VDD Threshold	VDD_ON		7.6	7.8	8	V
VDD Under Voltage Threshold	VDD_OFF			1.2		V
VDD OVP Threshold	VDD_OVP		7.6	7.8	8	V
VDD OVP Threshold Hysteresis	VDD_OVP_hys		6.3	6.5	6.7	V
VOUT Section (VOUT Pin)
Ausgangsspannung	VOUT_3.3V	Internal setting	3.2	3.3	3.4	V
Ausgangsspannung	VOUT_2.7V	Internal setting	2.65	2.7	2.75	V
Ausgangsspannung	VOUT_5V	Internal setting	4.9	5	5.1	V
Ausgangsspannung	VOUT1	Internal setting		0.66* V OUT		V
Output Current Limit	ILIM		100	138	160	mA
Output Under Voltage Protection	VUVP		10	12.5	15	%
Line Regulation dVout/dVin	ΔVOUT(VIN)	Iout=100μA		0.2		%/V
Unterdrückungsverhältnis der Stromversorgung	PSRR	Iout=30mA, Cout=4.7μF, f=10Hz to 60KHz		60		dB
Thermische Abschaltung
Thermal Shutdown Threshold	T SD		—	160	—	℃
Thermal Shutdown Recovery	T RC			140	—	℃

Paket

Symbol	Dimensions In Millimeters		Dimensions In Inches
	Min.	Max.	Min.	Max.
A	1.350	1.750	0.053	0.069
A1	0.100	0.250	0.004	0.010
A2	1.350	1.550	0.053	0.061
b	0.330	0.510	0.013	0.020
c	0.170	0.250	0.006	0.010
D	4.700	5.100	0.185	0.200
E	3.800	4.000	0.150	0.157
E1	5.800	6.200	0.228	0.244
e	1.270(BSC)		0.050(BSC)
L	0.400	1.270	0.016	0.050
θ	0°	8°	0°	8°

Paket

Symbol	Dimensions In Millimeters		Dimensions In Inches
	Min.	Max.	Min.	Max.
A	3.710	4.310	0.146	0.170
A1	0.510		0.020
A2	3.200	3.600	0.126	0.142
B	0.380	0.570	0.015	0.022
B1	1.524(BSC)		0.060(BSC)
C	0.204	0.360	0.008	0.014
D	9.000	9.400	0.354	0.370
E	6.200	6.600	0.244	0.260
E1	7.320	7.920	0.288	0.312
e	2.540(BSC)		0.100(BSC)
L	3.000	3.600	0.118	0.142
E2	8.400	9.000	0.331	0.354

Statement

SSP7786

Produkt-Kategorien

Zentrale Bindungen, neue Zukunft

Auswahl Anwendungsreferenz für LDO-Spannungsregler-Chip

Anwendung der dreiphasigen Spannungsmessung auf Basis des SSP1839

Anwendung von Siproin SST-MRAM in intelligenten Zählern

Tech Gala läutet neue Ära in der Elektronikindustrie ein

STT-MRAM Nichtflüchtiger magnetischer Direktzugriffsspeicher

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