特点
| 应用
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特点
| 应用
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| 项目 | 最大 | 单位 |
| Vin、EN、SW 电压 | -0.3～ 32 | V |
| 引线焊接，温度（10 秒） | +260 | °C |
| 工作结温 | -40～+150 | °C |
| 功率耗散(3) | 内部限制 | |
| FB, BS 电压 | -0.3~6 | V |
| 储存温度 | -55～+150 | °C |
| 静电消散（人体模式，HMB） | 2 | 千伏 |
| 热阻（RθJC) | 55 | °C/W |
| 热阻（RθJA) | 105 | °C/W |
注 (1)：超出这些额定值可能会损坏设备。
注 (2)：不保证设备在工作条件之外也能正常工作。
注 (3)：最大允许功率耗散是最大结温 TJ(MAX)，结点到环境的热阻 RθJA和环境温度 TA.在任何环境温度下的最大允许功率耗散计算方法如下：PD (最大值) = (TJ(MAX) - TA)/RθJA.超过最大允许功率耗散会导致芯片温度过高，从而使稳压器进入热关断状态。内部热关断电路可保护器件免受永久性损坏。 热关断在 TJ=160°C（典型值），并在 TJ= 140°C（典型值）。
VIN=12V，Ta=25°C，除非另有规定
| 参数 | 测试条件 | 最小 | 类型 | 最大 | 单位 |
| 输入电压范围 | 4.5 | — | 28 | V | |
| 供电电流 (Quiescent) | VEN=3.0V | — | 0.3 | 0.8 | 毫安 |
| 供电电流 关闭 | VEN =0 或 EN=GND | — | — | 25 | uA |
| 反馈电压 | 0.585 | 0.600 | 0.615 | V | |
| 高压侧开关 On-Resistance | ISW=100mA | — | 100 | — | mΩ |
| 低侧开关 On-Resistance | ISW=-100mA | — | 50 | — | mΩ |
| 山谷开关 电流限制 | 3.5 | — | — | A | |
| 过电压 保护阈值 | — | 28.5 | — | V | |
| 开关 频率 | — | 500 | — | 千赫兹 | |
| 最大负载 周期 | Vin=12V, Vfb=0.5V | — | 92 | — | % |
| 最短休息时间 | Vin=28V，Vout=1.0V、 Iout=1.0A | — | 105 | — | nS |
| EN 上升阈值 | 1.4 | — | — | V | |
| EN Falling 阈值 | — | — | 0.5 | V | |
| 欠压锁定阈值 | 唤醒 VIN 电压 | — | 3.8 | 4.2 | V |
| 关机 VIN 电压 | 3.0 | 3.4 | — | V | |
| 磁滞 VIN 电压 | — | 400 | — | mV | |
| 软启动 | — | 1.5 | — | 毫秒 | |
| 热关机 | — | 160 | — | ℃ | |
| 热滞后 | — | 20 | — | ℃ |
注 (1)：MOSFET 导通电阻规格通过与晶圆级测量值的相关性来保证。
注 (2)：热关断规格通过相关设计和特性分析来保证。
