特点
| 应用
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特点
| 应用
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| 项目 | 最小 | 最大 | 单位 |
| 电压 | -0.3 | 18 | V |
| 工作温度范围 | -40 | +85 | ℃ |
| FB 电压 | -0.3 | 6 | V |
| 引线温度（焊接，10 秒） | +260 | ℃ | |
| SW 电压 | -0.3 | VIN+0.5 | V |
| 存储温度范围 | -55 | 150 | ℃ |
| BS 电压 | Vsw-0.3 | Vsw+5 | V |
| ESD（机械制造）MM | ±250 | V | |
| ESD（人体制造） HBM | ±4 | KV | |
| 闩锁 | ±200 | 毫安 | |
| 热阻 (θJA) | 105 | ℃/W | |
| 热阻（θJC） | 55 | ℃/W |
注 1：超出这些额定值可能会损坏设备。
注 2：不保证设备在工作条件之外也能正常工作。
电气特性(1) (2)
VIN=12V，TA=25°C，除非另有说明。
| 参数 | 测试条件 | 最小 | 类型 | 最大 | 单位 |
| 输入电压范围 | 3.5(3) | 16 | V | ||
| 电源电流（静态） | VEN=3.0V | 0.6 | 0.8 | 毫安 | |
| 电源电流（关机） | VIN=5V，EN=GND | 10 | µA | ||
| VIN=12V，EN=GND | 24 | µA | |||
| 反馈电压 | 0.585 | 0.600 | 0.615 | V | |
| 高压侧开关导通电阻 低压侧开关 On-Resistance | ISW=100mA | 110 | 120 | mΩ | |
| ISW=-100mA | 70 | 80 | mΩ | ||
| 开关电流上限 | 2.5 | 3 | 3.5 | A | |
| 过压保护 阈值 | 18.6 | 19.5 | V | ||
| 开关频率 | 400 | 500 | 600 | 千赫兹 | |
| 最大占空比 | VFB=90% | 97 | % | ||
| 最短准时 | 65 | 72 | 110 | nS | |
| EN 上升阈值 | 3.3 | V | |||
| EN 下降阈值 | 1.0 | V | |||
| 欠压锁定 阈值 | 唤醒 VIN 电压 | 3.5 | 3.8 | V | |
| 软启动 | 4.0 | mS | |||
| 热关机 | 150 | 160 | ℃ | ||
| 热滞后 | 30 | ℃ |
注 (1)：MOSFET 导通电阻规格通过与晶圆级测量值的相关性来保证。注 (2)：热关断规格由设计和特性分析保证：热关断规格由设计和特性分析保证。
注 (3)：当电源电压在 3.5V 和 4.5V 之间时，芯片的输出电流将受到限制。在满足低压差要求的条件下，芯片的最大输出电流约为 1.5A。
