Fitur
| Aplikasi
|
Blog


Fitur
| Aplikasi
|
| Item | Min | Max | Unit |
| Vin, EN, Tegangan | -0.3 | 18 | V |
| Kisaran Suhu Operasi | -40 | +85 | ℃ |
| Tegangan FB | -0.3 | 6 | V |
| Suhu Timbal (Penyolderan, 10 detik) | +260 | ℃ | |
| Tegangan SW | -0.3 | NIK + 0,5 | V |
| Kisaran Suhu Penyimpanan | -55 | 150 | ℃ |
| Tegangan BS | Vsw-0.3 | Vsw + 5 | V |
| ESD (Buatan Mesin) MM | ±250 | V | |
| ESD (Buatan Tubuh Manusia) HBM | ±4 | KV | |
| Latch-up | ±200 | mA | |
| Resistensi Termal (θJA) | 105 | ℃/W | |
| Resistensi Termal (θJC) | 55 | ℃/W |
Catatan 1: Melebihi peringkat ini dapat merusak perangkat.
Catatan 2: Perangkat tidak dijamin berfungsi di luar kondisi pengoperasiannya.
Karakteristik Listrik(1) (2)
VMASUK= 12V, TA=25°C, kecuali ditentukan lain.
| Parameter | Kondisi Pengujian | Min | Ketik | Max | Unit |
| Rentang Tegangan Input | 3.5(3) | 16 | V | ||
| Arus Suplai (Diam) | VEN=3.0V | 0.6 | 0.8 | mA | |
| Arus Suplai (Pematian) | VMASUK= 5V, EN = GND | 10 | µA | ||
| VMASUK=12V, EN = GND | 24 | µA | |||
| Tegangan Umpan Balik | 0.585 | 0.600 | 0.615 | V | |
| Sakelar Sisi Tinggi Sakelar Sisi Rendah Daya Tahan Pada Perlawanan | ISW=100mA | 110 | 120 | mΩ | |
| ISW=-100mA | 70 | 80 | mΩ | ||
| Batas Arus Sakelar Atas | 2.5 | 3 | 3.5 | A | |
| Lebih dari & nbsp; Tegangan & nbsp; Perlindungan Ambang batas | 18.6 | 19.5 | V | ||
| Frekuensi Pengalihan | 400 | 500 | 600 | KHz | |
| Siklus Tugas Maksimum | VFB=90% | 97 | % | ||
| Minimum Tepat Waktu | 65 | 72 | 110 | nS | |
| EN Ambang Batas Naik | 3.3 | V | |||
| EN Ambang Batas Jatuh | 1.0 | V | |||
| Di Bawah Tegangan & nbsp; Penguncian Ambang batas | Bangunkan Tegangan VIN | 3.5 | 3.8 | V | |
| Mulai Lembut | 4.0 | mS | |||
| Pematian Termal | 150 | 160 | ℃ | ||
| Histeresis Termal | 30 | ℃ |
Catatan (1): Spesifikasi resistansi on-resistance MOSFET dijamin oleh korelasi dengan pengukuran level wafer. Catatan (2): Spesifikasi pematian termal dijamin oleh korelasi dengan analisis desain dan karakteristik.
Catatan (3): Apabila tegangan catu daya antara 3,5V dan 4,5V, arus output chip akan dibatasi. Di bawah kondisi untuk memenuhi persyaratan dropout rendah, arus output maksimum chip adalah sekitar 1,5A.


