特点

  • 最大输入电压:40V,建议安全工作电压:5~24V
  • 纯 MOSFET 与普通 BJT 三极管电路相比功耗更低。静态电流<10nA
  • 输入高低转换电平约为 2.6V,可与各种微控制器兼容
  • 输入端 INA 和 INB 装有约 100K 的下拉电阻器。
  • 内置高速续流二极管,具有内置反向电压功能,可在一般应用中取消 TVS 管
  • 典型驱动电流为 400mA,并根据继电器本身线圈内阻的不同而不同(驱动电流等于电源电压除以芯片本身驱动内阻与继电器线圈内阻、芯片本身驱动内阻的组合;电源电压为 12V 时为 12Ω,电源电压为 30V 时为 11Ω)
  • 最大驱动电流 800mA(指芯片可承受的继电器线圈电感反冲电流值。该值取决于电源电压。800mA 指的是一般工作电压为 12V。在 24V 的极限工作电压下,驱动电流应小于 200mA)
应用

  • 智能电表
  • 电机驱动
  • 磁性闭锁继电器控制