特点
密度
- 2M 位/256K 字节
快速 SPI 接口，8 位数据宽度寻址
- 最高 54MHz 时钟频率 @SPI SDR
- 支持 SPI 模式 0 和 SPI 模式 3
工作电压
- 典型电压：3.3 伏
数据保护
- 模式寄存器 SR#1 中的 WP#EN、TBSEL、BP0、BP1、BP2 保护模式
耗电量
- 睡眠电流 10μA（典型值）
- 待机电流 100μA（典型值）
- 有效电流 12mA（SPI 54MHz 时的典型值）
封装
- SOP8
密度
快速 SPI 接口，8 位数据宽度寻址
工作电压
数据保护
耗电量
封装
| 符号 | 参数 | 测试 条件 | 价值 | 单位 |
| VCC | 电源电压 | -0.5~4 | V | |
| VIN | 任何引脚电压 | -0.5~（VCC+0.5） | V | |
| I出局 | 每个引脚的输出电流 | ±20 | 毫安 | |
| TBIAS | 偏压下的温度 | 工业级 | -40~125 | ℃ |
| Tstg | 储存温度 | -55~150 | ℃ | |
| 最大写入量 | 书写时的最大磁场 | 写 | 4,000 | A/m |
|
最大读数 | 读取或待机模式下的最大磁场 | 阅读或待机 |
12,000 |
A/m |
|
Hmax_poweroff | 断电时的最大磁场 |
关闭电源 |
40,000 |
A/m |
| 符号 | 参数 | 最小 | 最大 | 单位 |
| VCC | 电源电压 | 2.7 | 3.6 | V |
| TA | 温度（工业） | -40 | 125 | ℃ |
| Symb榄 | 参数 | 测试条件 | 最小 | 类型 | 最大 | 单位 | |
|
|ILI| |
输入漏电流 | 0≤ ce# ＜vcc | – | – | 140 | μA | |
| CE# = VCC | – | – | 1 | μA | |||
| WP#，HOLD#，CLK，SI = 0V~VCC | – | – | 1 | μA | |||
| |ILO| | 输出漏电流 | SO = 0V~VCC | – | – | 1 | μA | |
| ISLP | 睡眠电流 | CE# = VCC
所有输入 VSS 或 VCC | – | 10 | 145 | μA | |
| ISBY | 待机电流 | clk = si = ce# = vcc | – | 100 | 5600 | μA | |
|
ICC |
工作电流 |
SPI 写入 | CLK = 1MHz | – | 9 | 16 | 毫安 |
| CLK = 40MHz | – | 11 | 18 | 毫安 | |||
| CLK = 54MHz | – | 12 | 19 | 毫安 | |||
|
SPI 读取 | CLK = 1MHz | – | 5 | 13 | 毫安 | ||
| CLK = 40MHz | – | 7 | 15 | 毫安 | |||
| CLK = 54MHz | – | 8 | 16 | 毫安 | |||
| VIL | 输入低电平 | Vcc = 2.7V~3.6V | -0.3 | – | 0.8 | V | |
| VIH | 输入高电平 | Vcc = 2.7V~3.6V | VCC-0.4 | – | VCC+0.3 | V | |
| VOL | 输出低电平 | IOL = 3.1mA | – | – | 0.2VCC | V | |
| VOH | 输出高电平 | IOH = -3.1mA | 0.8VCC | – | – | V | |
| 部件号 | 密度 | 工作电压范围 | 封装 | 每袋/卷设备 | 最大 程序/擦除 周期 | 运行 温度 | 数据保留 |
| PM002MNEB | 2Mbit | 2.7V~3.6V | SOP8 | 2500 件/卷 | 1E10 | -40℃~125℃ | ≥10年@105℃ |
| PM002MNIB | 2500 件/卷 | -40℃~85℃ | ≥10年@85℃ |
