PM004MNIA
新型非易失性磁存储器 MRAM 是一种理想的非易失性高速缓存和主存储器设备。其应用前景不仅限于传统的计算机存储系统，还可以扩展到许多其他领域，甚至有望成为一种通用存储器。
MRAM 可确保数据在断电情况下不会丢失，并能防止射线造成的数据损坏。在物联网和大数据等新兴应用中，无处不在的传感器终端需要收集大量数据。为了节省存储功耗，MRAM 因其相对较好的性能而成为热门选择。
SSP9323
SSP9323 是一款高频、同步、整流、降压、开关模式转换器，内置功率 MOSFET。它提供了一种非常紧凑的解决方案，可在宽输入电源范围内提供 3A 连续输出电流，并具有出色的负载和线路调节能力。COT PSM 控制操作可提供极快的瞬态响应、简单的环路设计以及非常严格的输出调节。RY9320 只需少量现成的外部元件，并采用节省空间的 ESOP-8 封装。
SSP9322
SSP9322 是一款高频、同步、整流、降压、开关模式转换器，内置功率 MOSFET。 它提供了一种非常紧凑的解决方案，可在宽输入电源范围内提供 2A 连续输出电流，并具有出色的负载和线路调节能力。COT PSM 控制操作可提供极快的瞬态响应、简便的环路设计以及非常严格的输出调节。RY9320 只需少量现成的外部元件，采用节省空间的 SOT23-6 封装。
PM004MNIB
PM004 是一款容量为 4M 位/512K 字节的 SPI（串行单线）接口 STT-MRAM（自旋传递扭矩磁性随机存取存储器）芯片。其数据是非易失性的，保存时间超过 10 年。该芯片支持独立的 1 位 SI（串行输入）和 SO（串行输出）接口，可在最大时钟频率下连续写入或读取数据字节，并具有零写入延迟的特点。
PM004MNEB
PM004 是一款容量为 4M 位/512K 字节的 SPI（串行单线）接口 STT-MRAM（自旋传递扭矩磁性随机存取存储器）芯片。其数据是非易失性的，保存时间超过 10 年。该芯片支持独立的 1 位 SI（串行输入）和 SO（串行输出）接口，可在最大时钟频率下连续写入或读取数据字节，并具有零写入延迟的特点。
PN256KNIA
PN256K 是一款 256K Bit/32K Byte IIC 接口非易失性存储器。它采用先进的 PMTJ STT-MRAM 技术，读写传输速率高达 400kHz，可靠性极佳，数据保存时间超过 20 年。
PM256KNIA
PM256K 是一款 256K Bit/32K Byte SPI 接口非易失性存储器。该芯片采用先进的 PMTJ STT-MRAM 技术，支持单线 SI 和 SO 独立接口，读写传输速率高达 20MHz，写入无延迟。它具有出色的可靠性，数据保存时间超过 20 年。PM256K 是 MCU 扩展外部存储器的理想解决方案。同时，由于具有吞吐量快、引脚少、体积小等特点，已逐渐成为嵌入式、网络交换机、汽车和物联网等应用的选择。
SSP9302
SSP9302 是一款紧凑型 5V 降压转换器，可提供 1A 输出电流。
SSP9302 采用专有的控制回路，可实现快速的瞬态负载响应。无论在轻载还是重载情况下，它都能保持较高的转换效率。SSP9302 配备了各种保护功能，如输入过压保护、输出短路保护、过流保护和过温保护。
SSP9302 由内部功率树发生器、带隙电压基准模块、欠压锁定（UVLO）模块、误差放大器、保护电路、驱动器模块、电流检测模块和两个功率 MOSFET 组成。
SSP9302 采用 SOT23-5 封装。
SSP9301
SSP9301 是一款紧凑型 5V 降压转换器，可提供 1A 输出电流。
SSP9301 采用专有的控制回路，可实现快速的瞬态负载响应。无论在轻载还是重载情况下，它都能保持较高的转换效率。SSP9301 配备了各种保护功能，如输入过压保护、输出短路保护、过流保护和过温保护。
SSP9301 由内部功率树发生器、带隙电压基准模块、欠压锁定（UVLO）模块、误差放大器、保护电路、驱动器模块、电流检测模块和两个功率 MOSFET 组成。
SSP9301 采用 SOT23-5 封装。
SSP9312
SSP9312 是一款高频、同步、整流、降压、开关模式转换器，内置功率 MOSFET。SSP9312 只需少量现成的外部元件，采用节省空间的 SOT23-6 封装。
