特点
PM004M 是 Mbit SPI/QPI（串行/四并行接口）MRAM 器件。该器件可配置为 1 位 I/O 独立接口或 4 位 I/O 公共接口。PM004M 的存储器阵列采用 MRAM 技术。存储器阵列中的数据可持续保存 20 年以上。
密度
快速 SPI 接口
单电压运行
数据保护
耗电量
可靠性
封装
温度范围
电气特性
本设备包含保护输入免受高静态电压或电场损坏的电路。不过，建议采取正常的预防措施，避免在这些高阻抗 (Hi-Z) 电路上施加任何高于最大额定电压的电压。
设备还具有外部磁场保护功能。应采取预防措施，避免施加强度超过最大额定值中规定的最大磁场强度的任何磁场。
| 符号 | 参数 | 条件 | 价值 | 单位 |
| Vcc | 电源电压 | -0.5至4 | V | |
| 文 | 任何引脚上的电压 | -0.5 至 Vcc | V | |
| 输出 | 每个引脚的输出电流 | ±4 | 毫安 | |
| Tbias | 偏压下的温度 | 商业级 | -40至85 | ℃ |
| Tstg | 存储温度 | -55至125 | ℃ | |
| Tlead | 焊接时的引线温度（最长 3 分钟）（注释 1） | 260 | ℃ | |
| 最大写入量 | 写入时的最大磁场 | 写 | 4,000 | A/m |
| 最大读数 | 读取或待机时的最大磁场 | 读取或待机 | 40,000 | A/m |
| Hmax_poweroff | 断电时的最大磁场 | 关闭电源 | 40,000 | A/m |
直流/交流特性
本节介绍设备的直流和交流特性。下表列出的直流和交流参数值是根据相关表格中列出的工作和测量条件下的测试结果得出的。设计人员在使用所引用的参数时，应注意电路中的工作条件是否与测量条件相符。
运行条件
| 符号 | 参数 | 最小 | 最大 | 单位 |
| Vcc | 电压供应 | 2.7 | 3.6 | V |
| 税收 | 工作温度（商用） | -40 | 85 | ℃ |
直流电特性
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 最小 | 类型 | 最大 | 单位 | |
| ILI | 输入漏电流 | ±1 | μA | ||||
| 国际劳工组织 | 输出漏电流 | ±1 | μA | ||||
| ISLP | 睡眠电流 | 2 | 13 | uA | |||
| ISBY | 待机电流 | 2 | 2.7 | 毫安 | |||
| 国际刑事法院 | 活动电流 | SPI 写入/读取 | CLK = 1MHz | 2.25 | 毫安 | ||
| CLK = 10MHz | 2.5 | 毫安 | |||||
| CLK = 20MHz | 3 | 4.8 | 毫安 | ||||
| CLK = 50MHz | 4.3 | 6.9 | 毫安 | ||||
| QPI 写入/读取 | CLK = 1MHz | 2.5 | 毫安 | ||||
| CLK = 10MHz | 4 | 毫安 | |||||
| CLK = 20MHz | 5 | 7 | 毫安 | ||||
| CLK = 50MHz | 7 | 9 | 毫安 | ||||
| VIL | 输入低电压 | -0.3
| 0.8 | V | |||
| VIH | 输入高压 | 2.0 | Vcc+0.3 | V | |||
| 沃尔 | 输出低电压 | IOL = 4mA | 0.4 | V | |||
| VOH | 输出高压 | IOH = -4mA | 2.4 | V | |||
引脚电容
| 符号 | 参数 | 典型 | 最大 | 单位 |
| Cp* | VCC/VSS 电源外部电容 | 10 | uF | |
| CIN | 控制输入电容 | – | 8 | pF |
| 首席信息官 | IO 电容 | – | 12 | pF |
| 负载 | 负载电容 | – | 32 | рF |
*注：Vcc/Vss 处的外部电容 Cp 建议≤10μF；如果 Cp > 10μF，当 Vcc 从掉电状态恢复到正常工作电压时，读取数据可能不稳定。在这种情况下，为保证数据的可靠读取，建议在规定的工作电压范围内，操作最高地址写入 ID（0x29，0x55）数据，然后确认该 ID 数据后再对芯片进行操作。如果 ID 数据有误，则需要发送 0xB9（休眠）和 0xAB（唤醒），这样芯片才能被可靠读取；否则，在频繁上下电时，硬件电路会确保芯片启动电压低于 Vs（0.3V），此时 Vcc 从下向上升起。
交流电特性
| 符号 | 参数 | 50Mhz | 单位 | |
| 最小 | 最大 | |||
| tCLK | CLK 周期 | 20 | ns | |
| tCH/tCL | 时钟高/低宽度 | 1.5 | ns | |
| tKHKL | CLK 上升或下降时间 | 1.5 | ns | |
| tCPH | CE# 在后续脉冲串之间为高电平 | 20 | ns | |
| tCSP | CE# 至 CLK 上升沿的设置时间 | 3 | ns | |
| tCHD | CE# 从 CLK 上升沿开始的保持时间 | 50 | ns | |
| tSP | 激活 CLK 边沿的设置时间 | 2 | ns | |
| tHD | 从有效 CLK 边沿开始的保持时间 | 2 | ns | |
| tHZ | 芯片禁用至 DQ 输出高 Z | 6 | ns | |
| tACLK | CLK 至输出延迟 | 8 | 10 | ns |
| tKOH | 时钟下降沿的数据保持时间 | 1.5 | ns | |
| tRST | 操作命令后的复位恢复时间 | 150 | 我们 | |
| tESLP | 睡眠命令的睡眠进入时间 | 40 | 我们 | |
| tRSLP | 睡眠退出命令的恢复时间 | 1 | 毫秒 | |
开机时间
为了在初始上电、断电或掉电期间保护数据，当 Vcc 低于 VCC（最小值）时，设备将无法被选中（CE# 被限制为低电平），设备将被禁止进行读或写操作。
开机延迟时间
在初始上电过程中，或在从掉电或断电状态恢复时，必须从规定的最低电压 (Vcc(min)) 开始加上一段上电延迟时间 (tPU)，才能开始正常工作。
tPU 从 Vcc 达到指定的最低电压时开始测量，设备将完成保险丝恢复，模拟块将稳定工作。
| 符号 | 参数 | 最小 | 最大 | 单位 |
| Vs | 芯片启动电压 | – | 0.3 | V |
| t PU | 开机延迟时间 | 1.5 | – | 毫秒 |
订购信息
| 可订购设备 | 密度 | 典型电压 | 端口 | 封装 类型 | 操作温度（℃） | 包装数量 |
| PM004MNIATU | 4Mbit | 3.3V | SPI/QPI | SOP8_150mil | -40至85 | 100/管 |
| PM004MNIATR | 4Mbit | 3.3V | SPI/QPI | SOP8_150mil | -40至85 | 2500/卷 |
| PM004MNIATT | 4Mbit | 3.3V | SPI/QPI | SOP8_150mil | -40至85 | 480/Tray |
