PMTJ STT-MRAM 技术
SPI 界面
单电压运行
工作温度范围
数据保护
耗电量
可靠性
封装
| 符号 | 参数 | 测试 条件 | 价值 | 单位 |
| VCC | 电压供应 | -0.3至4 | V | |
| 文 | 任何引脚上的电压 | 0 至 3.6 | V | |
| 输出 | 每个引脚的输出电流 | ±20 | 毫安 | |
| Tbias | 偏压下的温度 | -40至85 | ℃ | |
| Tstg | 存储温度 | -55至125 | ℃ | |
| Tlead | 焊接时的引线温度（最长 3 分钟） | 260 | ℃ | |
| 最大写入量 | 写入时的最大磁场*1 | 写 | 12,000 | A/m |
| 最大读数 | 读取或 待机*1 | 读取或待机 | 12,000 | A/m |
| Hmax 关闭电源 | 关机时的最大磁场*1 | 关闭电源 | 45,000 | A/m |
注： 1. 测试条件为室温和暴露在垂直磁场中一个月，以测量抗磁能力。电气 特征
电气 特征
| 符号 | 参数 | 最小 | 类型 | 最大 | 单位 |
| VCC | 电压供应 | 2.7 | 3.3 | 3.6 | V |
| 税收 | 工作温度 | -40 | 85 | ℃ |
DC 特质
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 最小 | 类型 | 最大 | 单位 |
| IL | 输入漏电流 | ±1 | μA | |||
| ILO | 输出漏电流 | ±1 | μA |
| ISBY | 待机电流 | cs#=hold#=vcc, wp#=sck=si=vss | 300 | 500 | μA | |
| ISLP | 睡眠电流 | cs#=hold#=vcc, wp#=sck=si=vss | 2 | 4 | μA | |
| ICC1 | 写入当前 | SPI@10MHz | 3 | 5 | 毫安 | |
| ICC2 | 阅读当前内容 | SPI@10MHz | 3 | 5 | 毫安 | |
| VIL | 输入低电压 | -0.3 | 0.2VCC | V | ||
| VIH | 输入高压 | 0.8VCC | VCC+0.3 | V | ||
| VOL | 输出低电压 | IOL = 4mA | 0.5 | V | ||
| VOH | 输出高电平 | IOH = -4mA | VCC-0.6 | V |
交流电 特点
| 符号 | 参数 | 最小 | 最大 | 单位 |
| fSCK | SCK 时钟频率（正常读取） | 10 | 兆赫 | |
| SCK 时钟频率（快速读取） | 20 | |||
| tWH | 时钟高电平时间（读操作除外） | 15 | ns | |
| tWHR | 时钟高电平时间（读操作） | 20 | ns | |
| tWL | 时钟低电平时间（读操作除外） | 15 | ns | |
| tWLR | 时钟低电平时间（读操作） | 20 | ns | |
| tCSS | CS# 设置时间 | 3 | ns | |
| tCSH | CS# 保持时间 | 10 | ns | |
| tSU | SCK 上升沿的输入数据设置时间 | 2 | ns | |
| tH | SCK 上升沿上的输入数据保持时间 | 5 | ns | |
| tV | 从 SCK 下降沿到数据有效的切换时间 | 18 | 21 | ns |
| t综合安全分遣队 | CS# 高电平至输出数据无效时间 | 6 | ns | |
| tOH | SCK 下降沿的输出数据保持时间 | 1.5 | ns | |
| tCS | CS# 高电平时间（写操作除外） | 10 | ns | |
| tCSW | CS# 高电平时间（写操作） | 10 | ns | |
| tSH | HOLD# 设置时间 | 10 | ns | |
| tHH | HOLD# 保持时间 | 10 | ns | |
| tHHZ | HOLD# 低电平至输出 Hi-Z 时间 | – | 20 | ns |
| tHLZ | HOLD# 高电平至输出有效时间 | – | 20 | ns |
| tRST | 重置恢复（正常读写）时间 | 600 | μs | |
| 技术发展局 | 进入睡眠模式时间 | 3 | μs | |
| TRDP | 退出睡眠模式时间 | 30 | μs |
