PM001MNIB

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LDO 전압 레귤레이터 칩의 선택 애플리케이션 레퍼런스

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테크 갈라, 전자 산업의 새로운 시대를 열다

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2023-07-05

PM001 is a 1M Bit/128K Byte capacity SPI (Serial Single-Wire) interface STT-MRAM (Spin-Transfer Torque Magnetic Random Access Memory) chip. Its data is non-volatile with a retention time exceeding 10 years. The chip supports independent 1-bit SI (Serial Input) and SO (Serial Output) interfaces, allows continuous writing or reading of data bytes at its maximum clock frequency, and features zero write latency.

특징

밀도
1M Bit/128K Byte
8비트 데이터 폭 어드레싱을 지원하는 고속 SPI 인터페이스
최대 54MHz 클럭 주파수 @SPI SDR
SPI 모드0 및 SPI 모드3 지원
작동 전압
일반 전압: 3.3V
데이터 보호
모드 레지스터 SR#1에서 WP#EN, TBSEL, BP0, BP1, BP2를 사용한 보호 모드
전력 소비
절전 전류 10μA(일반값)
대기 전류 100μA(일반값)
활성 전류 12mA(일반값 @SPI 54MHz)

주문 사양

PartNo	밀도	Operating voltagerange	패키지	Devicesper bag/reel	Maximum Program/Erase Cycles	작동 온도	Dataretention
PM001MNEB	1Mbit	2.7V~3.6V	SOP8	2500개/릴	1E10	-40℃~125℃	≥10년@105℃
PM001MNIB				2500개/릴		-40℃~85℃	≥10년@85℃

패키지

아니요.	기호	SignalType	Pin Description
1	CE#	입력	Chip Select Enable Signal
2	SO	출력	Serial Output
3	WP#	입력	Write Protect
4	VSS	Ground	Ground
5	SI	입력	SerialInput
6	CLK	입력	SerialClock
7	HOLD#	입력	Hold
8	VCC	전원	전원

Registers	Databitdefinition								참고
	7	6	5	4	3	2	1	0
SR#1	WP#EN	RFU0	TBSEL	BP2	BP1	BP0	WREN	LOAD_BUSY	PartR，PartRW
SR#2	SRLK	RFU2	RFU1	DC4	DC 3	DC2	DC1	DC0	RW

WREN(SR#1)	WP#EN(SR#1)	WP#(Pin)	SRregister	Protected Area	Unprotected Area
0	X	X	Protectedstatus	Protected status	Protected status
1	0	X	Non-protected status	Protected status	Non-protected status
1	1	낮음	Protectedstatus	Protected status	Non-protected status
1	1	높음	Non-protected status	Protected status	Non-protected status

TBSEL=0
BP2	BP1	BP0	1Mb(2blocks)
0	0	0	Noprotectedareas
0	0	1
0	1	0
0	1	1
1	0	0
1	0	1
1	1	0
1	1	1	1blockprotected, addressrange(0x10000 – 0x1FFFF)
TBSEL=1
BP2	BP1	BP0	1Mb(2blocks)
0	0	0	Noprotectedareas
0	0	1	1blockprotected, addressrange(0x00000 – 0xFFFF)
0	1	0	2blocksprotected, addressrange(0x00000 – 0x1FFFF)
0	1	1
1	0	0
1	0	1
1	1	0
1	1	1

{DC4，DC0}	Dummyquantity	Frequencyrangeofrapid readingoperation(MHz)	참고
00h	0	0~40	Power- ondefault
01h	1	0~40	–
02h	2	0~40	–
03h	3	0~40	–
04h	4	0~40	–
05h	5	0~40	–
06h	6	0~40	–
07h	7	0~40
08h~1Fh	8~31	0~54	–

Command	SPImode
	Byte1	Byte2	Byte3	Byte4	Byte5	Byte6	Byte7~
Numberofclocks	8	8	8	8	8or configurable	8	8
SR#1registerwrite	01h	S7-S0
SR#1registerread	05h	S7-S0
SR#2registerwrite	87h	S7-S0
SR#2registerread	35h	S7-S0
write	02h	A23-A16	A16-A8	A7-A0	D7-D0	D7-D0	D7-D0
Normalread	03h	A23-A16	A16-A8	A7-A0	D7-D0	D7-D0	D7-D0
Quickread	0Bh	A23-A16	A16-A8	A7-A0	Dummy (Quantity configurable)	D7-D0	D7-D0
Writeenable	06h

Writedisable	04h
Entersleepmode	B9h
Exitsleepmode	ABh
ReadUniqueID	4Bh	ID87~ID0
ReadMANUID	9Fh	ID7~ID0
ReadDeviceID	90h	ID7~ID0
Resetenable	66h
Reset	99h

	STT-MRAM 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23				24
CE# CLK SI SO	Mode3 0 1 2 3 4 5 6 7 Mode3 0 1 2 3 4 5 6 7 Mode3 Mode0 Mode0 Mode0 Command(66h) Command(99h)
				Mode0

	Invalid	0	1 Inva tRST	lid

CE# CLK SI	1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 Mode3 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 Mode3 Mode0 Mode0 Command(01h) Register Data(8bit) Invalid 0 0 0 0 0 0 0 1 7 6 5 4 3 2 1 0 Invalid
SO

0 0 0 0 0 0 0 1	7 6 5 4 3 2 1 0
	7


	Invalid

	STT-MRA 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20	M
CE# CLK SI SO

DeviceID value	DeviceIDExplanation
	7-5（3bit）	4-0（5bit）
	Productgrade	Productcapacity
29h	001（A）	01001（4Mb）
49h	010（B）	01001（4Mb）
69h	011（C）	01001（4Mb）
28h	001（A）	01000（2Mb）
48h	010（B）	01000（2Mb）
68h	011（C）	01000（2Mb）
27h	001（A）	00111（1Mb）
47h	010（B）	00111（1Mb）
67h	011（C）	00111（1Mb）

erio CE# CLK SI SO	doftime(tESLP), thechipwillenterthismode. 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 tESLP Mode3 0 1 2 3 4 5 6 7 Mode3 Mode0 Mode0 Command(B9h) Invalid 1 0 1 1 1 0 0 1 Invalid High-Z			6 0 7 1 dataout 2
		tESLP Mode3

			Mode0

		Invalid

tCH

tCLK

CLK	1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 tCLK tCH tCL


CE# SI SO				6 0 7 1

		tCHD	tCHD

	1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 S 1T4	T	-MRAM 6 0 7 1
CLK CE# HOLD# SO

	Test bol Parameter Value Unit Conditions C Powersupplyvoltage -0.5~4 V N Anypinvoltage -0.5~(VCC+0.5) V T Eachpinoutputcurrent ±20 mA
Sym	bol	매개변수	테스트 조건	가치	단위
VC	C	Powersupplyvoltage		-0.5~4	V
VI	N	Anypinvoltage		-0.5~(VCC+0.5)	V
IOU	T	Eachpinoutputcurrent		±20	mA
TBIAS
		Temperatureunder biaspressure	산업용 등급	-40~125	℃
Tstg		Storagetemperature		-55~150	℃
Hmax_write		Maximum magneticfield	쓰기	4, 000	A/m

	duringwriting
Hmax_read	Maximummagnetic fieldduringreading orstandbymode	Readingor standby	12, 000	A/m
Hmax_poweroff	Maximummagnetic fieldduringpower off	Poweroff	40, 000	A/m

기호	매개변수	Min	최대	단위
VCC	Powersupplyvoltage	2.7	3.6	V
TA	Temperature(industrial)	-40	125	℃

Symb ol	매개변수	테스트 조건	Min	Typ.	최대	단위
\|ILI\|	Inputleakage current	0≤ CE# ＜VCC	–	–	140	μA
		CE#=VCC	–	–	1	μA
		WP#, HOLD#, CLK, SI=0V~VCC	–	–	1	μA
\|ILO\|	Outputleakage current	SO=0V~VCC	–	–	1	μA

ISLP	Sleepcurrent	CE#=VCC AllinputsVSSorVCC		–	10	145	μA
I SBY	Standbycurrent	CLK=SI=CE#=VCC		–	100	5600	μA
ICC	작동 전류	SPIWrite	CLK=1MHz	–	9	16	mA
			CLK=40MHz	–	11	18	mA
			CLK=54MHz	–	12	19	mA
		SPIRead	CLK=1MHz	–	5	13	mA
			CLK=40MHz	–	7	15	mA
			CLK=54MHz	–	8	16	mA
VIL	Inputlowlevel	VCC=2.7V~3.6V		-0.3	–	0.8	V
VIH	Inputhighlevel	VCC=2.7V~3.6V		VCC-0.4	–	VCC+0.3	V
VOL	Outputlowlevel	IOL=3.1mA		–	–	0.2VCC	V
VOH	Outputhighlevel	IOH=-3.1mA		0.8VCC	–	–	V

기호	매개변수	Typ.	최대	단위
CP	Externalcapacitorsfor VCC/VSSpowersupply	–	10	μF
CIN	Controlinputcapacitor	–	8	рF
CIO	IOcapacitor	–	12	рF
CLOAD	Loadcapacitance	–	32	рF

매개변수	가치	단위
Powersupplyvoltagerange	2.7~3.6	V
Temperaturerange(industrial)	-40~125	℃
Inputinterfacevoltagerange	VCC-0.4 ≤ VIH ≤ VCC+0.3 0 ≤ VIL ≤ 0.8	V
Risingedgetimeofinputinterface	2	ns
Descendingedgetimeofinput interface	2	ns
Inputinterfacejudgethelevelof theadoptedvoltagevalue	VCC/2	V
Inputinterfacejudgethelevelof theadoptedvoltagevalue	VCC/2	V

기호	매개변수	Min	최대	단위
fCLK	CLK Clockfrequency	0	54	MHz
tCH/tCL	Clockhigh/lowleveltime	9	–	ns
tCPH	Minimumhigh-leveltimebetweeneach instructionswitchofCE#	150	–	ns
tCSP	SetuptimeofCE#attherisingedgeofthe clock	10	–	ns
tCHD	CE#holdtimestartingfromtherisingedgeof theclock	10	–	ns
tSP	Inputdatasetuptimeontherisingedgeofthe clock	2	–	ns
tHD	Inputdataholdtimefromtherisingedgeof theclock	5	–	ns
tHZ	Theswitchingtimewhentheoutputdata becomesinvalid	3	6	ns

tACLK	Outputdatabecomesvalidswitchingtime	–	9	ns
tKOH	Outputdataholdtime	4	–	ns
tRST	Resetrecovery(normalreadingandwriting) time	500	–	μs
tESLP	Timefromenteringsleepmodecommandto enteringsleepmode	–	10	μs
tRSLP	Timefromexitingsleepmodetoentering standbymode	500	–	우리
tSH	HOLD#setuptime	10	–	ns
tHH	HOLD#holdtime	10	–	ns
tHHZ	HOLD#ispulledlowtooutputHi-Ztime	–	20	ns
tHLZ	HOLD#pulledhightooutputvalidtime	–	20	ns

기호	매개변수	Min	최대	단위
VCI	Poweron Initialvoltage	2.35	–	V
tPU	Powerondelaytime	500	–	μs

ired CE# CLK SI SO

forthewake-upprocessist. 1 2 3 4 5R SLP 6 7 8 9 10 11 12 13 14 tRSLP Mode3 0 1 2 3 4 5 6 7 Mode3 Mode0 Mode0 Command(ABh) Invalid 1 0 1 0 1 0 1 1 Invalid High-Z

6 0 7 1 dataout 2