NVM

검색

제품 카테고리

PM002MNxB

PM002는 2M 비트/256K 바이트 용량의 SPI(직렬 단선) 인터페이스 STT-MRAM(스핀 전송 토크 자기 랜덤 액세스 메모리) 칩입니다. 데이터 보존 기간이 10년을 초과하는 비휘발성 데이터입니다. 이 칩은 독립적인 1비트 SI(직렬 입력) 및 SO(직렬 출력) 인터페이스를 지원하고, 최대 클록 주파수에서 데이터 바이트를 연속으로 쓰거나 읽을 수 있으며, 쓰기 지연 시간이 0입니다.

PM001MNxB

PM001은 1M 비트/128K 바이트 용량의 SPI(직렬 단선) 인터페이스 STT-MRAM(스핀 전송 토크 자기 랜덤 액세스 메모리) 칩입니다. 데이터 보존 기간이 10년을 초과하는 비휘발성 데이터입니다. 이 칩은 독립적인 1비트 SI(직렬 입력) 및 SO(직렬 출력) 인터페이스를 지원하며 최대 클록 주파수에서 데이터 바이트를 연속으로 쓰거나 읽을 수 있고 쓰기 지연 시간이 0입니다.

PM004MNIA

새로운 비휘발성 자성 메모리 MRAM은 비휘발성 캐시 및 메인 메모리에 이상적인 장치입니다. 응용 전망은 전통적인 컴퓨터 스토리지 시스템에 국한되지 않고 다른 많은 분야로 확장될 수 있으며, 심지어 범용 메모리로 발전할 것으로 예상됩니다. MRAM은 정전 시에도 데이터가 손실되지 않도록 보장하고 광선으로 인한 데이터 손상을 방지할 수 있습니다. 사물 인터넷, 빅데이터와 같은 새로운 애플리케이션에서 유비쿼터스 센서 단말기는 방대한 데이터를 수집해야 합니다. 스토리지 전력을 절약하기 위해 상대적으로 성능이 좋은 MRAM이 각광받고 있습니다.

PM004MNIB

PM004는 4M 비트/512K 바이트 용량의 SPI(직렬 단선) 인터페이스 STT-MRAM(스핀 전송 토크 자기 랜덤 액세스 메모리) 칩입니다. 이 칩의 데이터는 비휘발성이며 보존 기간이 10년을 초과합니다. 이 칩은 독립적인 1비트 SI(직렬 입력) 및 SO(직렬 출력) 인터페이스를 지원하며 최대 클록 주파수에서 데이터 바이트를 연속으로 쓰거나 읽을 수 있고 쓰기 지연 시간이 0입니다.

PM004MNEB

PN256KNIA

PN256K는 256K 비트/32K 바이트 IIC 인터페이스 비휘발성 메모리입니다. 이 제품은 고급 PMTJ STT-MRAM 기술을 채택하여 뛰어난 신뢰성과 20년 이상의 데이터 보존 시간으로 최대 400kHz의 읽기 및 쓰기 전송을 달성합니다.

PM256KNIA

PM256K는 256K 비트/32K 바이트 SPI 인터페이스 비휘발성 메모리입니다. 이 칩은 고급 PMTJ STT-MRAM 기술을 채택하고, 단일 라인 SI 및 SO 독립 인터페이스를 지원하며, 최대 20MHz 읽기 및 쓰기 전송을 달성하고, 쓰기 지연이 없습니다. 뛰어난 신뢰성과 20년 이상의 데이터 보존 시간을 제공합니다. PM256K는 MCU가 외장 메모리를 확장하는 데 이상적인 솔루션입니다. 동시에 빠른 처리량, 적은 핀 수 및 작은 크기의 특성으로 인해 임베디드, 네트워크 스위치, 자동차 및 사물 인터넷과 같은 애플리케이션에서 점차 선택되고 있습니다.

NVM

검색