特徴
| アプリケーション
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特徴
| アプリケーション
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| 項目 | 最小 | マックス | 単位 |
| Vin、EN、電圧 | -0.3 | 18 | V |
| 動作温度範囲 | -40 | +85 | ℃ |
| FB電圧 | -0.3 | 6 | V |
| リード温度（はんだ付け、10秒） | +260 | ℃ | |
| SW電圧 | -0.3 | VIN+0.5 | V |
| 保存温度範囲 | -55 | 150 | ℃ |
| BS電圧 | Vsw-0.3 | Vsw+5 | V |
| ESD（マシンメイド）MM | ±250 | V | |
| ESD（ヒューマン・ボディ・メイド）HBM | ±4 | KV | |
| ラッチアップ | ±200 | mA | |
| 熱抵抗 (θJA) | 105 | ℃/W | |
| 熱抵抗(θJC) | 55 | ℃/W |
注1：これらの定格を超えると、デバイスが損傷する可能性があります。
注2：本装置は動作条件外での動作を保証するものではありません。
電気的特性(1) (2)
Vイン=12V，TA特に指定のない限り、=25°C。
| パラメータ | テスト条件 | 最小 | タイプ | マックス | 単位 |
| 入力電圧範囲 | 3.5(3) | 16 | V | ||
| 電源電流（静止） | VEN=3.0V | 0.6 | 0.8 | mA | |
| 電源電流（シャットダウン） | Vイン=5V、EN=GND | 10 | μA | ||
| Vイン=12V、EN=GND | 24 | μA | |||
| フィードバック電圧 | 0.585 | 0.600 | 0.615 | V | |
| ハイサイドスイッチ オン抵抗 ローサイドスイッチ オン・レジスタンス | ISW=100mA | 110 | 120 | mΩ | |
| ISW=-100mA | 70 | 80 | mΩ | ||
| スイッチ電流上限 | 2.5 | 3 | 3.5 | A | |
| 過電圧保護 しきい値 | 18.6 | 19.5 | V | ||
| スイッチング周波数 | 400 | 500 | 600 | KHz | |
| 最大デューティ・サイクル | V政府短期証券=90% | 97 | % | ||
| 最低オンタイム | 65 | 72 | 110 | nS | |
| EN上昇スレッショルド | 3.3 | V | |||
| EN 立ち下がりスレッショルド | 1.0 | V | |||
| 低電圧ロックアウト しきい値 | ウェイクアップVIN電圧 | 3.5 | 3.8 | V | |
| ソフトスタート | 4.0 | mS | |||
| サーマルシャットダウン | 150 | 160 | ℃ | ||
| 熱ヒステリシス | 30 | ℃ |
注(1)：MOSFETのオン抵抗仕様は、ウェーハレベルの測定値との相関により保証されます。注(2)：サーマルシャットダウン仕様は、設計・特性解析との相関により保証しています。
注(3)：電源電圧が3.5V～4.5Vの場合、チップの出力電流は制限されます。低入出力電圧差を満たす条件では、チップの最大出力電流は約1.5Aです。
