特徴
密度
- 2Mビット/256Kバイト
8ビットデータ幅アドレッシングによる高速SPIインターフェース
- 最大54MHzのクロック周波数@SPI SDR
- SPIモード0およびSPIモード3をサポート
動作電圧
- 標準電圧：3.3V
データ保護
- モードレジスタSR#1のWP#EN、TBSEL、BP0、BP1、BP2による保護モード
消費電力
- スリープ電流 10μA（代表値）
- スタンバイ電流 100μA（代表値）
- アクティブ電流 12mA (代表値 @SPI 54MHz)
パッケージ
- SOP8
密度
8ビットデータ幅アドレッシングによる高速SPIインターフェース
動作電圧
データ保護
消費電力
パッケージ
| シンボル | パラメータ | テスト 条件 | 価値 | 単位 |
| ブイシーシー | 電源電圧 | -0.5~4 | V | |
| Vイン | 任意のピン電圧 | -0.5~(VCC+0.5) | V | |
| Iアウト | 各端子出力電流 | ±20 | mA | |
| TBIAS | バイアス圧力下の温度 | 工業用 | -40~125 | ℃ |
| Tstg | 保存温度 | -55~150 | ℃ | |
| Hmax_write | 書き込み時の最大磁場 | 書く | 4,000 | A/m |
|
Hmax_read | 読み取りまたはスタンバイ・モード時の最大磁場 | 読書またはスタンバイ |
12,000 |
A/m |
|
Hmax_poweroff | 電源オフ時の最大磁場 |
電源オフ |
40,000 |
A/m |
| シンボル | パラメータ | 最小 | マックス | 単位 |
| ブイシーシー | 電源電圧 | 2.7 | 3.6 | V |
| TA | 温度（工業用） | -40 | 125 | ℃ |
| シンブオル | パラメータ | テスト条件 | 最小 | タイプ | マックス | 単位 | |
|
|ILI |
入力漏れ電流 | 0≦ce# ＜vcc | – | – | 140 | μA | |
| CE# = VCC | – | – | 1 | μA | |||
| wp1pt5t、hold1pt5t、clk、si = 0v~vcc | – | – | 1 | μA | |||
| |ILO|｜イロ | 出力漏れ電流 | SO = 0V~VCC | – | – | 1 | μA | |
| ISLP | スリープ電流 | CE# = VCC
全入力 VSS または VCC | – | 10 | 145 | μA | |
| ISBY | スタンバイ電流 | CLK = SI = CE# = VCC | – | 100 | 5600 | μA | |
|
ICC |
動作電流 |
SPIライト | CLK = 1MHz | – | 9 | 16 | mA |
| CLK = 40MHz | – | 11 | 18 | mA | |||
| CLK = 54MHz | – | 12 | 19 | mA | |||
|
SPIリード | CLK = 1MHz | – | 5 | 13 | mA | ||
| CLK = 40MHz | – | 7 | 15 | mA | |||
| CLK = 54MHz | – | 8 | 16 | mA | |||
| VIL | 入力ローレベル | VCC = 2.7V~3.6V | -0.3 | – | 0.8 | V | |
| VIH | 入力ハイレベル | VCC = 2.7V~3.6V | VCC-0.4 | – | VCC+0.3 | V | |
| VOL | 出力ローレベル | IOL = 3.1mA | – | – | 0.2VCC | V | |
| VOH | 出力ハイレベル | IOH = -3.1mA | 0.8VCC | – | – | V | |
| 部品番号 | 密度 | 動作電圧範囲 | パッケージ | 袋/リールあたりのデバイス | 最大 プログラム/消去 サイクル | 営業 温度 | データ保持 |
| PM002MNEB | 2Mbit | 2.7V~3.6V | SOP8 | 2500個/リール | 1E10 | -40℃~125℃ | ≥105℃以上 |
| PM002MNIB | 2500個/リール | -40℃~85℃ | ≥10年@85 |
