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PM002MNxB

PM002は、2M Bit/256K Byte容量のSPI（Serial Single-Wire）インターフェースSTT-MRAM（Spin-Transfer Torque Magnetic Random Access Memory）チップです。そのデータは不揮発性で、保持時間は10年を超えます。このチップは、独立した1ビットSI（シリアル入力）およびSO（シリアル出力）インターフェイスをサポートし、最大クロック周波数でデータ・バイトの連続書き込みまたは読み出しが可能で、書き込みレイテンシがゼロです。

PM001MNxB

PM001は容量1M Bit/128K ByteのSPI（Serial Single-Wire）インターフェースSTT-MRAM（Spin-Transfer Torque Magnetic Random Access Memory）チップです。そのデータは不揮発性で、保持時間は10年を超えます。このチップは、独立した1ビットSI（シリアル入力）およびSO（シリアル出力）インターフェイスをサポートし、最大クロック周波数でデータ・バイトの連続書き込みまたは読み出しが可能で、書き込みレイテンシがゼロです。

PM004MNIA

新しい不揮発性磁気メモリーMRAMは、不揮発性キャッシュやメインメモリーに理想的なデバイスである。その応用範囲は従来のコンピュータ・ストレージ・システムにとどまらず、他の多くの分野にも拡張可能であり、一般的なメモリになることさえ期待されている。 MRAMは停電の際にもデータが失われないことを保証し、光線によるデータの損傷を防ぐことができる。モノのインターネットやビッグデータといった新たなアプリケーションでは、ユビキタスなセンサー端末が膨大なデータを収集する必要がある。ストレージ電力を節約するために、MRAMはその比較的優れた性能から人気の候補となっている。

PM004MNIB

PM004は、4Mビット/512Kバイト容量のSPI（Serial Single-Wire）インターフェースSTT-MRAM（Spin-Transfer Torque Magnetic Random Access Memory）チップです。そのデータは不揮発性で、保持時間は10年を超えます。このチップは、独立した1ビットSI（シリアル入力）およびSO（シリアル出力）インターフェイスをサポートし、最大クロック周波数でデータ・バイトの連続書き込みまたは読み出しが可能で、書き込みレイテンシがゼロです。

PM004MNEB

PN256KNIA

PN256Kは256K Bit/32K Byte IICインターフェースの不揮発性メモリです。先進のPMTJ STT-MRAM技術を採用し、最大400kHzの読み出し/書き込み伝送を実現し、優れた信頼性と20年以上のデータ保持時間を誇ります。

PM256KNIA

PM256K は、256K Bit/32K Byte SPI インターフェース不揮発性メモリです。このチップは先進のPMTJ STT-MRAM技術を採用し、シングルラインSIおよびSO独立インターフェースをサポートし、最大20MHzの読み出しおよび書き込み伝送を実現し、書き込み遅延がありません。また、優れた信頼性と20年以上のデータ保持時間を有しています。PM256Kは、外部メモリを拡張するMCUにとって理想的なソリューションです。同時に、高速スループット、少ないピン数、小型サイズという特性により、徐々に組み込み、ネットワークスイッチ、自動車、モノのインターネットなどのアプリケーションの選択肢となっています。

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