Fitur
| Aplikasi
|
Blog
Fitur
| Aplikasi
|
| Item | Max | Unit |
| Vin, EN, Tegangan SW | -0.3～ 32 | V |
| Penyolderan Timbal, Suhu (10 detik) | +260 | °C |
| Suhu persimpangan operasi | -40～+150 | °C |
| Pembuangan daya(3) | Pembatasan internal | |
| FB, tegangan BS | -0.3~6 | V |
| Suhu penyimpanan | -55～+150 | °C |
| ESD (Mode Tubuh Manusia, HMB) | 2 | kV |
| Ketahanan Termal (RθJC) | 55 | C / W |
| Ketahanan Termal (RθJA) | 105 | C / W |
Catatan (1): Melebihi peringkat ini dapat merusak perangkat.
Catatan (2): Perangkat ini tidak dijamin berfungsi di luar kondisi pengoperasiannya.
Catatan (3): Disipasi daya maksimum yang diijinkan adalah fungsi dari suhu sambungan maksimum, TJ (MAX)resistansi termal persimpangan-ke-ambien, RθJAdan suhu lingkungan, TA. Disipasi daya maksimum yang diijinkan pada suhu sekitar dihitung dengan menggunakan: PD (MAX) = (TJ (MAX) - TA)/RθJA. Melebihi disipasi daya maksimum yang diijinkan akan menyebabkan suhu die yang berlebihan, dan regulator masuk ke pematian termal. Sirkuit penonaktifan termal internal melindungi perangkat dari kerusakan permanen. Penonaktifan termal aktif pada TJ=160 ° C (tipikal) dan terlepas pada TJ= 140°C (tipikal).
VIN = 12V, Ta = 25°C, kecuali ditentukan lain
| Parameter | Kondisi Pengujian | Min | Ketik. | Max | Unit |
| Rentang Tegangan Input | 4.5 | — | 28 | V | |
| Pasokan Saat Ini (Diam) | VEN = 3.0V | — | 0.3 | 0.8 | mA |
| Pasokan Saat Ini (Mematikan) | VEN =0 atau EN = GND | — | — | 25 | uA |
| Tegangan Umpan Balik | 0.585 | 0.600 | 0.615 | V | |
| Sakelar Sisi Tinggi Pada Perlawanan | ISW = 100mA | — | 100 | — | mΩ |
| Sakelar Sisi Rendah Pada Perlawanan | ISW = -100mA | — | 50 | — | mΩ |
| Sakelar Lembah Batas Saat Ini | 3.5 | — | — | A | |
| Tegangan Lebih Ambang Batas Perlindungan | — | 28.5 | — | V | |
| Beralih Frekuensi | — | 500 | — | KHz | |
| Tugas Maksimum Siklus | Vin = 12V, Vfb = 0,5V | — | 92 | — | % |
| Waktu Istirahat Minimum | Vin = 28V, Vout = 1.0V, Iout = 1.0A | — | 105 | — | nS |
| EN Ambang Batas Naik | 1.4 | — | — | V | |
| EN Jatuh Ambang batas | — | — | 0.5 | V | |
| Ambang Batas Penguncian di Bawah Tegangan | Bangunkan Tegangan VIN | — | 3.8 | 4.2 | V |
| Mematikan Tegangan VIN | 3.0 | 3.4 | — | V | |
| Tegangan VIN histeresis | — | 400 | — | mV | |
| Mulai Lembut | — | 1.5 | — | ms | |
| Pematian Termal | — | 160 | — | ℃ | |
| Histeresis Termal | — | 20 | — | ℃ |
Catatan (1): Spesifikasi resistansi on-resistance MOSFET dijamin oleh korelasi dengan pengukuran level wafer.
Catatan (2): Spesifikasi pematian termal dijamin oleh korelasi dengan analisis desain dan karakteristik.
Shanghai Siproin
Perusahaan Mikroelektronika, Ltd.
Selamat datang di kontak Anda.
