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Objet | Max | Unité |
Vin, EN, SW Tension | -0.3~ 32 | V |
Soudure au plomb, température (10s) | +260 | °C |
Température de fonctionnement | -40~+150 | °C |
Puissance dissipée(3) | Restrictions internes | |
FB, BS tension | -0.3~6 | V |
Température de stockage | -55~+150 | °C |
ESD (modèle du corps humain, HMB) | 2 | kV |
Résistance thermique (RθJC) | 55 | °C/W |
Résistance thermique (RθJA) | 105 | °C/W |
Note (1) : Le dépassement de ces valeurs nominales peut endommager l'appareil.
Note (2) : Le fonctionnement de l'appareil n'est pas garanti en dehors de ses conditions d'utilisation.
Note (3) : La puissance dissipée maximale admissible est fonction de la température maximale de jonction, TJ(MAX)la résistance thermique entre la jonction et l'environnement, RθJAet la température ambiante, TA. Le maximum autorisé La puissance dissipée à n'importe quelle température ambiante est calculée à l'aide de la formule suivante : PD (MAX) = (TJ(MAX) - TA)/RθJA. Le dépassement de la dissipation de puissance maximale autorisée entraîne une température excessive de la matrice, et le régulateur se met en arrêt thermique. Le circuit d'arrêt thermique interne protège l'appareil contre les dommages permanents. L'arrêt thermique s'enclenche à TJ=160°C (typique) et se désengage à TJ= 140°C (typique).
Paramètres | Conditions d'essai | Min | Typ. | Max | Unité |
Plage de tension d'entrée | 4.5 | — | 28 | V | |
Courant d'alimentation (Quiescent) | VEN=3,0V | — | 0.3 | 0.8 | mA |
Courant d'alimentation (Arrêt) | VEN =0 ou EN=GND | — | — | 25 | uA |
Tension de rétroaction | 0.585 | 0.600 | 0.615 | V | |
Interrupteur côté haut On-Resistance | ISW=100mA | — | 100 | — | mΩ |
Interrupteur à bascule On-Resistance | ISW=-100mA | — | 50 | — | mΩ |
Interrupteur de vallée Limite de courant | 3.5 | — | — | A | |
Surtension Seuil de protection | — | 28.5 | — | V | |
Commutation Fréquence | — | 500 | — | KHz | |
Service maximum Cycle | Vin=12V,Vfb=0,5V | — | 92 | — | % |
Temps de repos minimum | Vin=28V,Vout=1.0V, Iout=1,0A | — | 105 | — | nS |
Seuil de montée EN | 1.4 | — | — | V | |
EN Falling (chute) Seuil | — | — | 0.5 | V | |
Seuil de verrouillage en cas de sous-tension | Réveil Tension VIN | — | 3.8 | 4.2 | V |
Arrêt Tension VIN | 3.0 | 3.4 | — | V | |
Hystérésis Tension VIN | — | 400 | — | mV | |
Démarrage progressif | — | 1.5 | — | ms | |
Arrêt thermique | — | 160 | — | ℃ | |
Hystérésis thermique | — | 20 | — | ℃ |
Note (1) : Les spécifications de résistance à l'enclenchement du MOSFET sont garanties par corrélation avec les mesures effectuées au niveau de la plaquette.
Note (2) : Les spécifications d'arrêt thermique sont garanties par corrélation avec la conception et l'analyse des caractéristiques.
Shanghai Siproin
Microelectronics Co.
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