PN256KNIA

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Description succincte :

Le PN256K est une mémoire non volatile à interface IIC de 256K bits/32K octets. Elle adopte la technologie avancée PMTJ STT-MRAM pour réaliser des transmissions de lecture et d'écriture jusqu'à 400 kHz, avec une excellente fiabilité et une durée de rétention des données de plus de 20 ans.

Tags : Composant actif, Anolog IC, composant électronique, Circuit intégré, STT-MRAM

Détail du produit

Caractéristiques :

PMTJ STT-MRAM technologie

STTtechnologie
256K Bit/32KByte

IIC interface

Prise en charge du mode standard (100kHz) et du mode rapide (400kHz)
Déclencheur de Schmitt et filtre de suppression du bruit pour SDA et SCL
Temps d'écriture rapide (100nsmin)

Tension de fonctionnement

Tension typique Vcc7V~3,6V

Fonctionnement Plage de température

-40℃~85℃

Protection des données

Prise en charge du mode de protection matérielle contre l'écriture pour une capacité totale, configurable viaWP

Consommation électrique

Courant de veille 2μA (valeur typique)
Courant de veille 20μA (valeur typique)
Courant de travail 400μA (courant d'écriture typique @400KHz)

Fiabilité

Temps d'écriture1E12
Conservation des données >20 ans@85℃

Paquet

SOP8

Tableau des paramètres

Maximum absolu Evaluation

Symbole	Paramètres	Test Conditions	Valeur	Unité
VCC	Tension d'alimentation		0 à 3,6	V
Vin	Tension sur n'importe quelle broche		0 à 3,6	V
Iout	Courant de sortie par broche		±3	mA
Tbias	Température sous polarisation		-40 à 85	℃
Tstg	Température de stockage		-55 à 125	℃
Tlead	Température du plomb pendant la soudure (3 minutes maximum)		260	℃
Écriture Hmax	Champ magnétique maximal pendant l'écriture*1	Écrire	4,000	A/m
Hmax lire	Champ magnétique maximal lors de la lecture ou de la veille*1	Lecture ou veille	12,000	A/m
Hmax power off	Champ magnétique maximal lors de la mise hors tension*1	Mise hors tension	45,000	A/m

Remarque :

Les conditions d'essai sont la température ambiante et l'exposition à un champ magnétique vertical pendant un mois pour mesurer la capacité antimagnétique.

Électricité Caractéristiques

Ce chapitre présente les caractéristiques électriques de la puce. Les valeurs des paramètres CA et CC indiquées dans le tableau suivant sont obtenues sur la base des conditions de fonctionnement indiquées dans le tableau 4 et des conditions de mesure indiquées dans le tableau 5. Lorsque l'utilisateur vérifie un paramètre, il doit veiller à faire correspondre les conditions de fonctionnement et les conditions de mesure.

Fonctionnement Conditions

Symbole	Paramètres	Min	Max	Unité
VCC	Tension d'alimentation	2.7	3.6	V
Impôts	Température de fonctionnement	-40	85	℃

DC caractéristique

Symbole	Paramètres	Conditions d'essai	Min	Typ.	Max	Unité
\|I_LI\|	Courant de fuite à l'entrée *1	V_IN=0V~VCC			1	μA
\|I_LO\|	Courant de fuite de la sortie*2	V_OUT=0 V~VCC			1	μA
I_SLP	Courant de veille	SCL、SDA=VCC, A0、A1、A2、WP=0V		2	6	μA
I_SBY	Courant de veille	SCL、SDA= VCC , AO、A1、A2、WP =0Vor VCC ou flottant*3		20	35	μA
I_CC	Courant actif	SCL=400KHz		400	600	μA
V_IL	Basse tension d'entrée	VCC=2,7V~3,6V	VSS		VCC*0,2	V
V_IH	Haute tension d'entrée	VCC=2,7V~3,6V	VCC*0,8		VCC+0,3	V
V_LO	Basse tension de sortie	I_LO=3mA			VCC*0,2	V
R_IN	Résistance d'entrée(WP、A0、 A1、A2 )	V_IN=V_IL(Max)	50			kΩ
R_IN	Résistance d'entrée(WP、A0、 A1、A2 )	V_IN= V_IH(Min)	1			MΩ

Notes :

Applicable à SCL et SDA
Applicable à SDA
Outre l'état du niveau des broches dans le tableau, les conditions de test du mode veille doivent également garantir que le temps de mesure se situe après la condition d'arrêt et ne peut être mesuré lorsque l'instruction est à mi-chemin.

Capacité des broches

Symbole	Paramètres	Max	Unité
C_IN	Capacité de l'entrée de contrôle	15	pF
C_IO	Capacité IO	15	pF

AC Caractéristiques

Symbole	Paramètres	100kHz		400kHz		Unité
Symbole	Paramètres	Min	Max	Min	Max	Unité
t_CLK	Période CLK	10		2.5		μs
HAUT	Horloge haute	4		0.6		μs
t_LOW	Horloge basse	4.7		1.3		μs
t_R	Temps de montée SCL, SDA		1000		300	ns
t_F	Temps de chute SCL, SDA		300		300	ns
tHD:STA	Temps de maintien de la condition de démarrage	4		0.6		μs
tSU:STA	Temps de préparation de la condition de démarrage	4.7		0.6		μs
tHD:DAT	Temps de maintien de l'entrée des données	2		2		ns
tSU:DAT	Temps de réglage de l'entrée des données	250		100		ns
tDH:DAT	Temps de maintien de la sortie des données	0		0		ns
tSU:STO	Temps de réglage de la condition d'arrêt	4		0.6		μs
t_AA	SCL niveau bas pour sortie des données valides		3		0.9	μs
t_BUF	Temps de précharge (intervalle entre la condition d'arrêt et la condition de démarrage)	4.7		1.3		μs

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