Valeurs maximales absolues
Sauf indication contraire, TA=25℃
| Paramètres | Symbole | Valeur | Unité |
| Tension de bus (BUSL2-BUSL1) | VMB | ±50 | V |
| Plage de tension d'entrée | Entrée des données | RX | -0.3~5.5 | V |
| Entrée de données inversée | RXI | -0.3~5.5 | V |
| Réglage du niveau logique | BAT | -0.3~5.5 | V |
| Plage de température de fonctionnement | TJ | -25~150 | ℃ |
| Plage de température de fonctionnement à l'air libre | TA | -25~85 | ℃ |
| Plage de température de stockage | TSTG | -65~150 | ℃ |
| Facteur de déclassement de la puissance, de la jonction à l'ambiance | | 8 | mW/℃ |
Caractéristiques électriques
| Symbole | Paramètres | Conditions d'essai | Min | Type | Max | Unité |
| △VBR | Chute de tension au niveau du redresseur BR | IBUS=3mA | | | 1.5 | V |
| △VCS1 | Chute de tension à la source de courant CS1 | RRIDD=13kΩ | | | 1.8 | V |
| IBUS | Courant de BUS | VSTC=6.5V, IMC=0mA | RRIDD=13kΩ | | | 3 | mA |
| RRIDD=30kΩ | | | 1.5 | mA |
| △IBUS | Précision du courant de BUS | △VBUS=10V, IMC=0mA,RRIDD=13~30kΩ | | | 2 | % |
| ICC | Courant d'alimentation | VSTC=6,5V, IMC=0mA,BAT=3,8V, RRIDD=13kΩ(2) | | | 650 | μA |
| ICI1 | CI1current | VSTC=6,5V, IMC=0mA,BAT=3,8V, RRIDD=13kΩ,BUS=6,5V, RX/RXI=off(2) | | | 350 | μA |
| IBAT | Courant BAT | VBAT=3.8V | -0.5 | | 0.5 | μA |
| IBAT=IVDD | Courant BAT plus VDD | VBUS=0V, VSTC=0V | -0.5 | | 0.5 | μA |
| VVDD | Tension VDD | -IVDD=1mA, VSTC=6.5V | 3.1 | | 3.4 | V |
| RVDD | Résistance VDD | -IVDD=2~8mA, VSTC=4.5V | | | 5 | Ω |
| VCTC | Tension STC | VDD=on, VS=on | 5.6 | | 6.4 | V |
| VDD=off, VS=off | 3.8 | | 4.3 |
| IVDD﹤ISTC_UTILISER | 6.5 | | 7.5 |
| ISTC_USE | STC actuel | VSTC=5V | RRIDD=13kΩ | 1.85 | | 2.4 | mA |
| RRIDD=30kΩ | 0.65 | | 1.1 |
| VRIDD | Tension RIDD | RRIDD=30kΩ | 1.23 | | 1.33 | V |
| VVS | Tension VS | VDD=on, IVS=-5μA | VBAC -0.4 | | VBAC | V |
| RVS | Résistance VS | VDD=off | 0.3 | | 1 | MΩ |
| VPF | Tension PF | VSTC=6.5V | VVB=VSTC+0.8V, IPF=-100μA | VBAT -0.6 | | VBAT | V |
| VVB=VSTC+0.3V, IPF=1μA | 0 | | 0.6 |
| VVB=VSC+0.3V, IPF=5μA | 0 | | 0.9 |
| tsur | Durée d'allumage | CSTC=50μF, Vitesse de balayage de la tension du bus : 1V/μs | | | 3 | s |
Note 1:Toutes les valeurs de tension sont mesurées par rapport à la borne GND, sauf indication contraire.
Note 2:Les entrées RX/RXI et les sorties TX/TXI sont ouvertes, ICC=ICI1+ICI2.
Caractéristiques électriques de la section récepteur(1)
| Symbole | Paramètres | Conditions d'essai | Min | Type | Max | Unité |
| VT | | Voir figure 1 | MARK-8.2 | | MARK-5.7 | V |
| VSC | Tension SC | | | | VVB | V |
| ISC_charge | Courant de charge SC | VSC=24V,VVB=36V | -15 | | -40 | μA |
| ISC_décharge | Courant de décharge SC | VSC=VVB=24V | 0.3 | | -0.033×ISC_charge | μA |
| VOH | TX/TXI Tension de sortie de haut niveau | ITX/ITXI=-100μA | VBAT-0.6 | | VBAT | V |
| VLO | TX/TXI Tension de sortie de bas niveau | ITX/ITXI=100μA | 0 | | 0.5 | V |
| ITX=1,1mA | 0 | | 1.5 |
| ITX/ITXI | Courant TX/TXI | VTX=7,5V,VVB=12V,VSTC=6V,VBAT=3.8V | | | 10 | μA |
Note : Toutes les valeurs de tension sont mesurées par rapport à la borne GND, sauf indication contraire.
Caractéristiques électriques de la section émetteur(1)
| Symbole | Paramètres | Conditions d'essai | Min | Type | Max | Unité |
| IMC | Courant MC | RSIF=100Ω | 11.5 | | 19.5 | mA |
| VSIF | Tension RIS | RSIF=100Ω | 1.4 | | 1.7 | V |
| RSIF=1kΩ | 1.5 | | 1.8 |
| VIH | RX/RXI Tension d'entrée de haut niveau | Voir figure 2(2) | VBAT-0.8 | | 5.5 | V |
| VIL | RX/RXI Tension d'entrée de bas niveau | Voir figure 2 | 0 | | 0.8 | V |
| IRX | Courant RX | VRX=VBAT=3V, VVB=VSTC=0V | -0.5 | | 0.5 | μA |
| VRX=0,VBAT=3V, VSTC=6.5V | -10 | | -40 |
| IRXI | Courant RXI | VRXI=VBAT=3V,VVB=VSTC=0V | 10 | | 40 | μA |
| VRXI=VBAT=3V,VSTC=6.5V | 10 | | 40 |
Note 1:Toutes les valeurs de tension sont mesurées par rapport à la borne GND, sauf indication contraire.
Note 2:VIH(max) = 5,5 V n'est valable que si VSTC > 6,5 V.