Caractéristiques
Les autres broches ont une protection ESD de niveau 3：>+8kV HBM
| Applications
|
Blog
Caractéristiques
Les autres broches ont une protection ESD de niveau 3：>+8kV HBM
| Applications
|
Valeurs maximales absolues
Sauf indication contraire, Tamb= 25℃
| Paramètres | Symbole | Valeur | Unité |
| Tension d'alimentation | VDD | -0.3~7 | V |
| Tension d'entrée / de sortie | VIN/VOUT | GND-0,3~VDD+0.3 | V |
| Tension d'entrée / de sortie A/B | VINA/B/VOUTA/B | -13~13 | V |
| Température de fonctionnement | Tamb | -40~85 | ℃ |
| Température de stockage | T | -65~150 | ℃ |
Caractéristiques électriques
Caractéristiques électriques en courant continu
Sauf indication contraire，VDD=5V±5%，Tamb= 25℃
| Paramètres | Symbole | Conditions d'essai | Min | Type | Max | Unité | |
| Conducteur | |||||||
| Sortie pilote différentielle | VOD1 | Pas de charge | 5 | V | |||
| Sortie pilote différentielle | VOD2 | R=50Ω（RS-422）(1) | 2.0 | V | |||
| R=27Ω（RS-485）(1) | 1.5 | V | |||||
| Variation de l'amplitude de la tension de sortie différentielle du circuit d'attaque pour les états de sortie complémentaires | ΔVOD | R=50Ω ou 27Ω(1) | 0.01 | 0.2 | V | ||
| Tension de sortie en mode commun du conducteur | VOC | R=50Ω ou 27Ω(1) | 3 | V | |||
| Variation de l'amplitude de la tension de sortie en mode commun du circuit d'attaque pour les états de sortie complémentaires | ΔVOC | R=50Ω ou 27Ω(1) | 0.01 | 0.2 | V | ||
| Haute tension d'entrée | VIH1 | DE、 、DI | 2.0 | V | |||
| Basse tension d'entrée | VIL1 | DE、、DI | 0.8 | V | |||
| Courant d'entrée | IIN1 | DE、、DI | -2 | 2 | mA | ||
| Courant d'entrée (A, B) | IIN2 | DE=GND， VDD =GND ou 5,25V | Vin=12V | 125 | mA | ||
| Vin=-7V | -75 | mA | |||||
| Courant de court-circuit du conducteur | IOD1 | -7V≤VOUT≤VDD | -250 | mA | |||
| 0V≤VOUT≤12V | 250 | mA | |||||
| 0V≤VOUT≤VDD | ±25 | mA | |||||
| Récepteur | |||||||
| Tension différentielle de seuil | VTH | -7V≤VCM≤12V | -200 | -125 | -50 | mV | |
| tension d'hystérésis d'entrée | ΔVTH | 25 | mV | ||||
| haute tension de sortie | VOH | IO=-4mA，VID=-50mV | 3.5 | V | |||
| basse tension de sortie | VLO | IO=4mA，VID=-200mV | 0.4 | V | |||
| Courant de sortie à 3 états (haute impédance) au niveau du récepteur | IOZR | 0,4V≤VO≤2.4V | ±1 | mA | |||
| résistance d'entrée | RIN | -7V≤VCM≤12V | 96 | kΩ | |||
| Courant de court-circuit du récepteur | IOSR | 0V≤VRO≤VDD | ±7 | ±95 | mA | ||
| Courant d'alimentation
| ICC
| Sans charge，=DI =GND ou VDD
| DE=VDD | 450 | 900 | mA | |
| DE=GND | 450 | 600 | mA | ||||
| Courant d'alimentation à l'arrêt | ISHDN | DE=GND，=VDD | 10 | mA | |||
| Protection ESD（A/B） | ESD | Modèle du corps humain | ±15 | kV | |||
Caractéristiques de la transmission
Sauf indication contraire，VDD=5V±5%，Tamb= 25℃
| Paramètres | Symbole | Conditions d'essai | Min. | Typ. | Max. | Unité |
| Entrée du conducteur vers la sortie | tDPLH | RDIFF=54Ω，CL1=CL2=100pF(2) | 34 | 60 | ns | |
| Entrée du conducteur vers la sortie | tDPHL | RDIFF=54Ω，CL1=CL2=100pF(2) | 34 | 60 | ns | |
| |tDPLH-tDPHL| | tDSKEW | RDIFF=54Ω，CL1=CL2=100pF(2) | -2.5 | ±10 | ns | |
| Temps de montée ou de descente du pilote | tDR,tDF | RDIFF=54Ω，CL1=CL2=100pF(2) | 14 | 25 | ns | |
| Débit de données maximum | fMAX | 2 | Mbps | |||
| Activation du pilote à la sortie haute | tDZH | CL=100pF，S2 fermé(3) | 150 | ns | ||
| Activation du pilote jusqu'à la sortie basse | tDZL | CL=100pF，S1 fermé(3) | 150 | ns | ||
| Temps de désactivation du pilote à partir du niveau bas | tDLZ | CL=15pF，S1 fermé(3) | 100 | ns | ||
| Temps de désactivation du pilote à partir du niveau bas | tDHZ | CL=15pF，S2 fermé(3) | 100 | ns | ||
| Entrée du récepteur vers la sortie | tRPLH | |VID|≥2.0V Temps de montée ou de descente≤15ns(4) | 106 | 150 | ns | |
| Entrée du récepteur vers la sortie | tRPHL | 106 | 150 | ns | ||
| |tRPLH-tRPHL| | tRSKD | |VID|≥2.0V Temps de montée ou de descente≤15ns(4) | 0 | ±10 | ns | |
| Activation du récepteur à la sortie basse | tRZL | CL=100pF，S1 fermé(5) | 20 | 50 | ns | |
| Activation du récepteur à la sortie haute | tRZH | CL=100pF，S2 fermé(5) | 20 | 50 | ns | |
| Temps de désactivation du récepteur à partir du niveau bas | tRLZ | CL=100pF，S1 fermé(5) | 20 | 50 | ns | |
| Temps de désactivation du récepteur à partir du niveau haut | tRHZ | CL=100pF，S2 fermé(5) | 20 | 50 | ns | |
| Temps d'arrêt | tSHDN | 50 | 200 | 600 | ns | |
| Activation du pilote de l'arrêt à la sortie haute | tDZH(SHDN) | CL=15pF，S2 fermé(3) | 250 | ns | ||
| Activation du pilote de l'arrêt à la sortie basse | tDZL(SHDN) | CL=15pF，S1 fermé(3) | 250 | ns | ||
| Activation du récepteur de l'arrêt à la sortie haute | tRZH(SHDN) | CL=100pF，S2 fermé(3) | 3500 | ns | ||
| Activation du récepteur de l'arrêt à la sortie basse | tRZL(SHDN) | CL=100pF，S1 fermé(3) | 3500 | ns |
Shanghai Siproin
Microelectronics Co.
Bienvenue à votre contact.
