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| Objet | Min | Max | Unité |
| Tension VIN(1) | -0.3 | 6.0 | V |
| Tension VOUT (1) | -0.3 | 5.5 | V |
| Puissance dissipée en continu (TA = 25°C) (2) | 0.4 | W | |
| Dissipation de puissance | Limité en interne | ||
| Température de fonctionnement, TJ | -40 | 125 | °C |
| Température de stockage, Tstg | -65 | 150 | °C |
| Température du plomb (soudure, 10 secondes) | 260 | °C | |
| Symbole | Paramètres | Max. | Unité |
| θJA | Résistance thermique(3) | 170 | ℃/W |
| θJC | 75 | ℃/W |
Note (1) : Le dépassement de ces valeurs nominales peut endommager l'appareil.
Note (2) : La puissance dissipée maximale admissible est fonction de la température maximale de jonction TJ(MAX)la résistance thermique entre la jonction et l'environnement θJAet la température ambiante TA. La puissance dissipée maximale admissible en continu, quelle que soit la température ambiante, est calculée par PD(MAX)=(TJ(MAX)-TA)/θJA. Le dépassement de la dissipation de puissance maximale autorisée entraîne une température excessive de la matrice et le régulateur se met en arrêt thermique. Le circuit d'arrêt thermique interne protège l'appareil contre les dommages permanents.
Note (3) : Mesuré sur JESD51-7, PCB à 4 couches.
VIN=5V，TA=25°C, sauf indication contraire.
| Paramètres | Conditions d'essai | Min | Type | Max | Unité |
| Plage de tension d'entrée | 2.7 | 5.5 | V | ||
| Protection contre les surtensions d'entrée | 5.8 | 6 | 6.5 | V | |
| Courant de repos, IQ | VIN =5.0V | 20 | 40 | 60 | µA |
| Courant d'arrêt, IOFF | VIN =5,0V , VCE =0 | 0.1 | 2.0 | µA | |
| Tension d'entrée UVLO | Montée en puissance | 2.55 | 2.65 | V | |
| Chute | 2.25 | 2.37 | V | ||
| Tension de rétroaction | VIN =5.0V | 0.588 | 0.6 | 0.612 | V |
| Courant de sortie Limite | VIN = 5,0V, VOUT = 3.3V | 1 | 1.2 | A | |
| Régulation de la ligne | VIN = 3 à 5,0 V | 0.2 | %/V | ||
| Régulation de la charge | IOUT= 0.1 - 1A | 0.1 | 2 | %/A | |
| Fréquence de commutation | VIN =5.0V | 1 | 1.5 | 2 | MHz |
| Résistance à l'enclenchement PMOS | VIN =5.0V | 0.38 | Ω | ||
| Résistance ON NMOS | VIN =5.0V | 0.25 | Ω | ||
| Seuil d'entrée CE ON | VIN =5.0V | 0.9 | 1.1 | V | |
| Seuil d'entrée CE OFF | VIN =5.0V | 0.4 | 0.7 | V | |
| Résistance d'abaissement de l'entrée CE | 750 | kΩ | |||
| Sortie discharge résistance, Rpd | VIN =5.0V | 600 | Ω | ||
| Protection contre la surchauffe | 150 | ℃ | |||
| Hystérésis OTP | 40 | ℃ |
Shanghai Siproin
Microelectronics Co.
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