Caractéristiques
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Caractéristiques
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Valeurs maximales absolues
| Paramètres | Symbole | Valeur | Unité |
| Tension d'alimentation VDD | VDD | -0.3~+4 | V |
| Tension d'entrée analogique vers GND | IP~IN,VP | -4~+4 | V |
| Tension numérique vers GND | SEL,CF,CF1 | -0,3~VDD+0,3 | V |
| Plage de température de fonctionnement | T | -40~+85 | ℃ |
| Plage de température de stockage | T | -40~+85 | ℃ |
| Puissance de dissipation du SOP8 | Pd | 10 | mW |
Note : Sauf indication contraire, Tamb= 25℃
Caractéristiques électriques
| Paramètres | Symbole | Conditions d'essai | Mesure de la broche | Min | Type | Max | Unité |
| Alimentation électrique | VDD | 3.0 | 3.6 | V | |||
| Dissipation de puissance | Iop | VDD=3,3V | 3 | mA | |||
| Erreur de mesure de la puissance active (erreur absolue) | WATTerr | une gamme dynamique de 2500 à 1 | CF | 0.3 | 0.5 | % | |
| Mesurer l'erreur de fluctuation de la puissance active (Grand signal) | Δ@6%Ib, Ib=5A | 300mA@ 1mohm résistance de l'échantillon, test 2-turn average | CF | 0.1 | 0.2 | % | |
| Mesurer l'erreur de fluctuation de la puissance active (Petit signal) | Δ@1%Ib,Ib=5A | 50mA @ 1mohm résistance de l'échantillon, test 1 tour | CF | 0.15 | 0.3 | % | |
| Erreur de phase lorsque PF=0,8 Capacitif | PF08err | Chef de file actuel 37°(PF=0.8) | 0.5 | % | |||
| Erreur de phase lorsque PF=0,5Inductif | PF05err | Retards actuels 60°(PF=0.5) | 0.5 | % | |||
| AC PSRR | ACPSRR | IP/N=100mV | 0.1 | % | |||
| DC PSRR | DCPSRR | VP/N=100mV | 0.1 | % | |||
| Erreur de mesure en Vrms | VRMSerr | CF1 | 0.3 | % | |||
| Mesure de l'Irms Erreur | IRMSerr | Ib | CF1 | 0.3 | % | ||
| Entrée analogique Tension (courant) | Actuel entrée différentielle (crête) | 50 | mV | ||||
| Tension d'entrée analogique (tension) | tension différentielle d'entrée (crête) | 200 | mV | ||||
| Impédance d'entrée analogique | VP/IP/IN | 370 | kΩ | ||||
| SEL pull-down resistor | SEL((pull-down)) | 80 | kΩ | ||||
| Bande passante du signal d'entrée | (-3dB) | 3.5 | kHz | ||||
| Référence de tension sur puce | Vref | VREF | 1.218 | V | |||
| Haute tension d'entrée | VDD=3,3V±5% | 2.6 | V | ||||
| Tension basse d'entrée | VDD=3,3V±5% | 0.8 | V | ||||
| Haute tension de sortie | VDD=3,3V±5% IOH=5mA | VDD-0,5 | V | ||||
| Tension basse de sortie | VDD=3,3V±5% IOL=5mA | 0.5 | V | ||||
| Seuil de surintensité | Échantillonnage actuel résistance 1mΩ | 36 | A | ||||
| la fréquence des surintensités | 7.17 | KHz | |||||
| temps de réponse de la surintensité | 200 | ms |
Note:Sauf indication contraire, Tamb= 25℃
Toutes les valeurs de tension prennent le potentiel de la borne GND comme point de référence.
Conditions de test VDD=3.3V, oscillateur à cristal 2M intégré.
Informations sur les commandes
| Numéro de pièce | Paquet | Mode d'emballage | Dispositifs par sac/bobine |
| SSP1837 | SOP8 | Enrouleur | 2500PCS |



Shanghai Siproin
Microelectronics Co.
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