Eigenschaften

  • Maximale Eingangsspannung: 40V, empfohlene sichere Betriebsspannung: 5~24V
  • Reiner MOSFET, verglichen mit gewöhnlichen BJT-Triodenschaltungen ist der Stromverbrauch geringer. Ruhestrom＜10nA
  • Der Eingangs-Hoch-Tief-Wandlungspegel beträgt etwa 2,6 V, was mit verschiedenen Mikrocontrollern kompatibel ist.
  • Die Eingänge INA und INB sind mit Pull-Down-Widerständen von etwa 100 K ausgestattet.
  • Integrierte Hochgeschwindigkeits-Fortsetzungsdiode mit eingebauter Sperrspannungsfunktion zur Aufhebung von TVS-Röhren in allgemeinen Anwendungen
  • Der typische Antriebsstrom beträgt 400mA, und je nach dem unterschiedlichen Spulen-Innenwiderstand des Relais selbst (Antriebsstrom ist gleich der Versorgungsspannung geteilt durch den Chip selbst Antriebs-Innenwiderstand und die Kombination der Relaisspulen-Innenwiderstand, der Chip selbst Antriebs-Innenwiderstand; 12Ω wenn die Versorgungsspannung 12V ist, 11Ωwenn die Versorgungsspannung 30V ist)
  • Maximaler Treiberstrom 800mA (bezieht sich auf den Chip kann den Wert der Relaisspule Induktor Rückstoß Strom zu widerstehen. Der Wert ist abhängig von der Versorgungsspannung. 800mA bezieht sich auf die allgemeine Betriebsspannung von 12V. Bei der Grenzbetriebsspannung von 24V sollte der Treiberstrom weniger als 200mA betragen)
Anwendungen

  • Intelligenter Zähler
  • Motorantrieb
  • Magnetisch rastende Relaissteuerung