NVM

PM002 ist ein SPI (Serial Single-Wire) STT-MRAM (Spin-Transfer Torque Magnetic Random Access Memory) Chip mit 2M Bit/256K Byte Kapazität. Die Daten sind nicht flüchtig und können über 10 Jahre gespeichert werden. Der Chip unterstützt unabhängige 1-Bit-SI- (Serial Input) und SO- (Serial Output) Schnittstellen, ermöglicht das kontinuierliche Schreiben oder Lesen von Datenbytes bei seiner maximalen Taktfrequenz und weist eine Schreiblatenz von Null auf.
PM001 ist ein SPI (Serial Single-Wire) STT-MRAM (Spin-Transfer Torque Magnetic Random Access Memory) Chip mit 1M Bit/128K Byte Kapazität. Seine Daten sind nichtflüchtig und haben eine Speicherzeit von mehr als 10 Jahren. Der Chip unterstützt unabhängige 1-Bit-SI- (Serial Input) und SO- (Serial Output) Schnittstellen, ermöglicht das kontinuierliche Schreiben oder Lesen von Datenbytes bei seiner maximalen Taktfrequenz und weist eine Schreiblatenz von Null auf.
Ein neuartiger nichtflüchtiger Magnetspeicher MRAM ist ein ideales Gerät für nichtflüchtige Cache- und Hauptspeicher. Die Anwendungsmöglichkeiten sind nicht auf das traditionelle Computerspeichersystem beschränkt, sondern können auch auf viele andere Bereiche ausgedehnt werden, und es wird sogar erwartet, dass sie zu einem allgemeinen Speicher werden. MRAM stellt sicher, dass die Daten bei einem Stromausfall nicht verloren gehen, und kann Datenbeschädigungen durch Strahlung verhindern. Bei neu entstehenden Anwendungen wie dem Internet der Dinge und Big Data müssen allgegenwärtige Sensorendgeräte große Datenmengen sammeln. Um Speicherkapazität zu sparen, ist MRAM aufgrund seiner relativ guten Leistung ein beliebter Kandidat geworden.
PM004 ist ein SPI (Serial Single-Wire) STT-MRAM (Spin-Transfer Torque Magnetic Random Access Memory) Chip mit 4M Bit/512K Byte Kapazität. Seine Daten sind nichtflüchtig und haben eine Speicherzeit von mehr als 10 Jahren. Der Chip unterstützt unabhängige 1-Bit-SI- (Serial Input) und SO- (Serial Output) Schnittstellen, ermöglicht das kontinuierliche Schreiben oder Lesen von Datenbytes bei seiner maximalen Taktfrequenz und weist eine Schreiblatenz von Null auf.
PM004 ist ein SPI (Serial Single-Wire) STT-MRAM (Spin-Transfer Torque Magnetic Random Access Memory) Chip mit 4M Bit/512K Byte Kapazität. Seine Daten sind nichtflüchtig und haben eine Speicherzeit von mehr als 10 Jahren. Der Chip unterstützt unabhängige 1-Bit-SI- (Serial Input) und SO- (Serial Output) Schnittstellen, ermöglicht das kontinuierliche Schreiben oder Lesen von Datenbytes bei seiner maximalen Taktfrequenz und weist eine Schreiblatenz von Null auf.
Der PN256K ist ein nichtflüchtiger Speicher mit 256K Bit/32K Byte IIC-Schnittstelle. Er nutzt die fortschrittliche PMTJ STT-MRAM-Technologie, um eine Lese- und Schreibübertragung von bis zu 400 kHz zu erreichen, und bietet eine hervorragende Zuverlässigkeit und eine Datenaufbewahrungszeit von mehr als 20 Jahren.
PM256K ist ein nichtflüchtiger Speicher mit 256K Bit/32K Byte SPI-Schnittstelle. Der Chip verwendet die fortschrittliche PMTJ STT-MRAM-Technologie, unterstützt einzeilige SI- und SO-unabhängige Schnittstellen, erreicht eine Lese- und Schreibübertragung von bis zu 20MHz und hat keine Verzögerung beim Schreiben. Er zeichnet sich durch hervorragende Zuverlässigkeit und eine Datenerhaltungszeit von mehr als 20 Jahren aus. PM256K ist eine ideale Lösung für MCUs zur Erweiterung des externen Speichers. Gleichzeitig hat er sich aufgrund seines schnellen Durchsatzes, seiner wenigen Pins und seiner geringen Größe allmählich zur ersten Wahl für Anwendungen wie Embedded, Netzwerk-Switches, Automobile und das Internet der Dinge entwickelt.
Ein neuartiger nichtflüchtiger Magnetspeicher MRAM ist ein ideales Gerät für nichtflüchtige Cache- und Hauptspeicher. Die Anwendungsmöglichkeiten sind nicht auf das traditionelle Computerspeichersystem beschränkt, sondern können auch auf viele andere Bereiche ausgedehnt werden, und es wird sogar erwartet, dass sie zu einem allgemeinen Speicher werden. MRAM stellt sicher, dass die Daten bei einem Stromausfall nicht verloren gehen, und kann Datenbeschädigungen durch Strahlung verhindern. Bei neu entstehenden Anwendungen wie dem Internet der Dinge und Big Data müssen allgegenwärtige Sensorendgeräte große Datenmengen sammeln. Um Speicherkapazität zu sparen, ist MRAM aufgrund seiner relativ guten Leistung ein beliebter Kandidat geworden.

Sagen Sie mir, was Sie brauchen