SSP61C

简要说明：

SSP61C 系列器件是一组采用 CMOS 技术实现的三端低功耗电压检测器。该系列中的每个电压检测器都能检测 0.9V 至 5.0V 的特定固定电压。电压检测器包括一个高精度、低功耗的标准电压源，以及一个比较器、迟滞电路和一个输出驱动器（CMOS 反相器或 NMOS 漏极开路器）。CMOS 技术确保了低功耗。虽然这些器件主要是作为固定电压检测器设计的，但也可与外部元件配合使用，以检测用户指定的阈值电压。

标签电子元件, 低功率电压检测器, 电源管理, 复位IC, Vlotage 检测芯片, 电压检测器

产品详情

特点

低功耗
低温度系数
内置磁滞特性
高输入电压（高达 8V）
输出电压精度：误差 ±1% 或 ±2%
SOT23-3 和 SOT23 封装

应用

电池检查器
电平选择器
断电探测器
微机复位
电池记忆备份
非易失性 RAM 信号存储保护器

参数表

绝对最大额定值

参数	符号	价值	单位
电源电压输入	VIN	-0.3~8.0	V
工作温度	Tamb	-30~80	℃
存储温度	Tstg	-50~125	℃

注：这些仅为应力额定值。超过 "绝对最大额定值 "规定范围的应力可能会对设备造成严重损坏。

电气特性

参数	符号	测试条件		Min.	类型	最大	单位
检测电压	VDET	VDF=0.8V~5.0V		VDF*0.98	VDF	VDF*1.02	V
磁滞宽度	VHYS	–		0.02*VDET	0.05*VDET	0.10*VDET	V
运行电流	IDD	Vin=1.5V		–	0.7	2.3	μA
		Vin=2.0V		–	0.8	2.7
		Vin=3.0V		–	0.9	3.0
		Vin=4.0V		–	1.0	3.2
		Vin=5.0V		–	1.1	3.6
工作电压	VDD	–		0.7	–	10	V
输出沉入电流	国际在线	2V	VOUT=0.2V	0.5	1	–	毫安
温度系数		-25℃<Ta<125		–	±100	–	ppm/℃

订购信息

部件号	输出	可检测电压	宽容	封装	每卷设备
SSP61CC0901MR	CMOS	0.9V	±1%	SOT23-3 SOT23	3000 件
SSP61CN0901MR	NMOS	0.9V	±1%
SSP61CC0902MR	CMOS	0.9V	±2%
SSP61CN0902MR	NMOS	0.9V	±2%
...	...	...	...
SSP61CC2501MR	CMOS	2.5V	±1%
SSP61CN2501MR	NMOS	2.5V	±1%
SSP61CC2502MR	CMOS	2.5V	±2%
SSP61CN2502MR	NMOS	2.5V	±2%
...	...	...	...
SSP61CC2801MR	CMOS	2.8V	±1%
SSP61CN2801MR	NMOS	2.8V	±1%
SSP61CC2802MR	CMOS	2.8V	±2%
SSP61CN2802MR	NMOS	2.8V	±2%
...	...	...	...
SSP61CC3001MR	CMOS	3.0V	±1%
SSP61CN3001MR	NMOS	3.0V	±1%
SSP61CC3002MR	CMOS	3.0V	±2%
SSP61CN3002MR	NMOS	3.0V	±2%
...	...	...	...
SSP61CC5001MR	CMOS	5.0V	±1%
SSP61CN5001MR	NMOS	5.0V	±1%
SSP61CC5002MR	CMOS	5.0V	±2%
SSP61CN5002MR	NMOS	5.0V	±2%

SSP61C

产品类别

“芯”纽带，新未来

LDO 稳压器芯片的选择应用参考

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STT-MRAM 非易失性磁性随机存取存储器

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