特点
| 应用
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特点
| 应用
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绝对最大额定值
参数 | 评级 |
VDD 至 AGND | -0.3 V 至 +7 V |
VDD 至 DGND | -0.3 V 至 +7 V |
至 AGND 的模拟输入电压 (VAP、VBP、VCP、VN、IAP、IAN、IBP、IBN、ICP 和 ICN)。 | -6 V 至 +6 V |
至 AGND 的基准输入电压 | -0.3 V 至 V + 0.3 V DD |
数字输入电压至 DGND | -0.3 V 至 V + 0.3 V DD |
至 DGND 的数字输出电压 | -0.3 V 至 V + 0.3 V DD |
工作温度范围 工业 | -40°C 至 +85°C |
存储温度范围 | -40°C 至 +85°C |
结温 | 150°C |
24 引脚 SOIC,功率耗散 | 450 毫瓦 |
热阻抗 | 250°C/W |
引线温度,焊接 | |
气相(60 秒) | 215°C |
红外线(15 秒) | 220°C |
电气特性
(VDD = 5 V ± 5%,AGND = DGND = 0 V,片内基准,CLKIN = 10 MHz,TMIN 至 TMAX = -40°C 至 +85°C,除非另有说明。)
参数 | 价值 | 单位 | 条件 |
准确性 | |||
电流通道的测量误差 | 0.1 | 1TP3 读取类型 | 电压通道,满量程信号(±500 mV),25°C,动态范围 500 至 1 |
通道之间的相位误差 PF = 0.8电容性 | ±0.1 | 学位 | 线路频率 50~60Hz |
通道之间的相位误差 PF = 0.5电感 | ±0.1 | 学位 | |
交流电源抑制 输出频率变化(CF) | 0.2 | 1TP3 读取类型 | SCF=0,S1=S0=1,SCF=0,S1=S0=1。 IA=IB=IC=100mVrms,50Hz VA=VB=VC=100mVrms,50Hz VDD 上的纹波为 175 mV rms,100 Hz |
直流电源抑制 输出频率变化(CF) | ±0.3 | 1TP3 读取类型 | S1=1,S0=SCF=0 IA=IB=IC=100mV rms,50Hz VA=VB=VC=100mVrms,50Hz VDD =5V±250mV |
模拟输入 | |||
最大信号电平 | ±0.5 | 最大值 | VA、VB、VC、IA、IB、IC 至 GND |
输入阻抗(直流) | 390 | kΩ min | CLKOSC=10MHz |
带宽(-3 分贝) | 14 | 千赫兹典型值 | CLKOSC/256,CLKOSC=10 MHz |
ADC 偏移误差 | ±16 | mV 最大值 | |
增益误差 | ±9 | %Ideal typ | 外部 2.5V 基准电压 IAP=IBP=ICP=500mV ,dc |
片上基准 | |||
参考错误 | ±200 | mV 最大值 | 标称电压 2.5V |
温度系数 | 30 | ppm/℃ typ | |
CLKIN | |||
输入时钟频率 | 12 | 最大兆赫 | CLKIN 为 10 MHz 时的所有规格 |
8 | 兆赫分钟 | ||
逻辑输入 SCF、S0、S1 和 ABS | |||
输入高电压,VINH | 2.4 | V 最小 | VDD=5V±5% |
输入低电压,VINL | 0.8 | V 最大值 | VDD=5V±5% |
输入电流,IIN | ±3 | μA max | 通常为 10nA,VIN=0V 至 VDD |
输入电容,CIN | 10 | pF 最大值 | |
逻辑输出 F1 和 F2 | |||
输出高电压,VOH | 4.5 | V 最小 | I来源=10mA,VDD=5V |
输出低电压,VOL | 0.5 | V 最大值 | I水槽=10mA,VDD=5V |
CF 和 REVP | |||
输出高电压,VOH | 4 | V 最小 | I来源=10mA,VDD=5V |
输出低电压,VOL | 0.5 | V 最大值 | I水槽=10mA,VDD=5V |
电源 为了达到规定的性能 | |||
VDD | 4.75 | V 最小 | 5V-5% |
5.25 | V 最大值 | 5V+5% | |
IDD | 8 | 最大毫安 | |
5 | 毫安分钟 | 通常为 6.5mA |
订购信息
产品型号 | 包装 | 包装方式 | 最小包装数量 |
SSP1852 | SOP24 | 管材 | 30 件 |