PMTJ STT-MRAM 技术
IIC 界面
工作电压
工作温度范围
数据保护
耗电量
可靠性
封装
| 符号 | 参数 | 测试 条件 | 价值 | 单位 |
| VCC | 电压供应 | 0 至 3.6 | V | |
| 文 | 任何引脚上的电压 | 0 至 3.6 | V | |
| 输出 | 每个引脚的输出电流 | ±3 | 毫安 | |
| Tbias | 偏压下的温度 | -40至85 | ℃ | |
| Tstg | 存储温度 | -55至125 | ℃ | |
| Tlead | 焊接时的引线温度（最长 3 分钟） | 260 | ℃ | |
| 最大写入量 | 写入时的最大磁场*1 | 写 | 4,000 | A/m |
| 最大读数 | 读取或 待机*1 | 读取或待机 | 12,000 | A/m |
| Hmax 关闭电源 | 关机时的最大磁场*1 | 关闭电源 | 45,000 | A/m |
请注意：
测试条件为室温和暴露在垂直磁场中一个月，以测量抗磁能力。
本章介绍芯片的电气特性。下表所示的交流和直流参数值是根据表 4 所示的工作条件和表 5 所标注的测量条件得出的。用户在检查参数时，请注意使工作条件和测量条件相匹配。
| 符号 | 参数 | 最小 | 最大 | 单位 |
| VCC | 电压供应 | 2.7 | 3.6 | V |
| 税收 | 工作温度 | -40 | 85 | ℃ |
DC 特质
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 最小 | 类型 | 最大 | 单位 |
| |ILI| | 输入漏电流 *1 | VIN=0V~VCC | 1 | μA | ||
| |ILO| | 输出漏电流*2 | V出局=0 V~VCC | 1 | μA | ||
| ISLP | 睡眠电流 | SCL、SDA=VCC、 A0、A1、A2、WP=0V | 2 | 6 | μA | |
|
ISBY |
待机电流 | SCL、SDA= VCC 、 AO、A1、A2、WP =0V 或 VCC 或浮动*3 |
20 |
35 |
μA | |
| ICC | 活动电流 | SCL=400KHz | 400 | 600 | μA | |
| VIL | 输入低电压 | VCC=2.7V~3.6V | VSS | VCC*0.2 | V | |
| VIH | 输入高压 | VCC=2.7V~3.6V | VCC*0.8 | VCC+0.3 | V | |
| VOL | 输出低电压 | IOL=3mA | VCC*0.2 | V | ||
| RIN | 输入电阻（WP、A0、 A1、A2 ) | VIN=VIL(最大值) | 50 | kΩ | ||
| VIN= VIH(分钟) | 1 | MΩ |
备注
引脚电容
| 符号 | 参数 | 最大 | 单位 |
| CIN | 控制输入电容 | 15 | pF |
| CIO | IO 电容 | 15 | pF |
交流电 特点
| 符号 | 参数 | 100kHz | 400 千赫 | 单位 | ||
| 最小 | 最大 | 最小 | 最大 | |||
| tCLK | CLK 周期 | 10 | 2.5 | μs | ||
| tHIGH | 时钟高电平 | 4 | 0.6 | μs | ||
| t低 | 时钟低电平 | 4.7 | 1.3 | μs | ||
| tR | SCL、SDA 上升时间 | 1000 | 300 | ns | ||
| tF | SCL、SDA 下降时间 | 300 | 300 | ns | ||
| tHD:STA | 启动条件的保持时间 | 4 | 0.6 | μs | ||
| tSU:STA | 启动条件设置时间 | 4.7 | 0.6 | μs | ||
| tHD:DAT | 数据输入保持时间 | 2 | 2 | ns | ||
| tSU:DAT | 数据输入设置时间 | 250 | 100 | ns | ||
| tDH:DAT | 数据输出保持时间 | 0 | 0 | ns | ||
| tSU:STO | 停止条件设置时间 | 4 | 0.6 | μs | ||
| tAA | SCL 低电平输出数据有效 | 3 | 0.9 | μs | ||
| tBUF | 预充电时间 (停止条件与启动条件之间的间隔） | 4.7 | 1.3 | μs | ||
