STT-MRAM

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PM002MNxB

PM002 是一款容量为 200 万位/256K 字节的 SPI（串行单线）接口 STT-MRAM（自旋传递扭矩磁性随机存取存储器）芯片。其数据是非易失性的，保存时间超过 10 年。该芯片支持独立的 1 位 SI（串行输入）和 SO（串行输出）接口，可在最大时钟频率下连续写入或读取数据字节，并且具有零写入延迟的特点。

PM004MNIB

PM004 是一款容量为 4M 位/512K 字节的 SPI（串行单线）接口 STT-MRAM（自旋传递扭矩磁性随机存取存储器）芯片。其数据是非易失性的，保存时间超过 10 年。该芯片支持独立的 1 位 SI（串行输入）和 SO（串行输出）接口，可在最大时钟频率下连续写入或读取数据字节，并具有零写入延迟的特点。

PM004MNEB

PN256KNIA

PN256K 是一款 256K Bit/32K Byte IIC 接口非易失性存储器。它采用先进的 PMTJ STT-MRAM 技术，读写传输速率高达 400kHz，可靠性极佳，数据保存时间超过 20 年。

PM002MNI

新型非易失性磁存储器 MRAM 是一种理想的非易失性高速缓存和主存储器设备。其应用前景不仅限于传统的计算机存储系统，还可以扩展到许多其他领域，甚至有望成为一种通用存储器。 MRAM 可确保数据在断电情况下不会丢失，并能防止射线对数据造成损坏。在物联网和大数据等新兴应用中，无处不在的传感器终端需要收集大量数据。为了节省存储功耗，MRAM 因其相对较好的性能而成为热门选择。