특징
절대 최대 등급
| 매개변수 | 기호 | 가치 | 단위 |
| 전원 전압 VDD | VDD | -0.3～+4 | V |
| 아날로그 입력 전압 - GND | IP1,VP | -4～+4 | V |
| 디지털 입력 전압 - GND | UART_SEL, RX/SDI | -0.3～VDD+0.3 | V |
| 디지털 출력 전압 - GND | CF,TX/SDO | -0.3～VDD+0.3 | V |
| 작동 온도 범위 | T | -40～+85 | ℃ |
| 보관 온도 범위 | Tstg | -40～+85 | ℃ |
참고: 별도로 명시되지 않는 한, Tamb= 25℃입니다.
전기적 특성
| 매개변수 | 기호 | 테스트 조건 | Min | Typ | 최대 | 단위 |
| 전원 공급 장치 | VDD | 3.0 | 3.6 | V | ||
| 전력 손실 | Iop | VDD=3.3V | 3 | mA | ||
| 측정 범위 | 4000:1 입력 다이나믹 레인지 | |||||
| 활성 에너지 측정 정확도(큰 신호) | 30A~100mA 입력@ 1mohm 샘플링 저항 | 0.2 | % | |||
| 활성 에너지 측정 정확도(소신호) | 100mA~50mA 입력@ 1mohm 샘플링 저항 | 0.4 | % | |||
| 유효 에너지 측정 정확도(작은 신호) | 50mA~10mA 입력@ 1mohm 샘플링 저항 | 0.6 | % | |||
| RMS 측정 정확도(큰 신호) | 30A~100mA 입력@ 1mohm 샘플링 저항 | 0.2 | % | |||
| RMS 측정 정확도(소신호) | 100mA~50mA 입력@ 1mohm 샘플링 저항 | 2 | % | |||
| RMS 측정 정확도(작은 신호) | 50mA~10mA 입력@ 1mohm 샘플링 저항 | 6 | % | |||
| 빠른 RMS 응답 시간 | 50Hz | 주기/반주기로 설정 가능 | 10 | 160 | mS | |
| 60Hz | 8.3 | 133 | mS | |||
| 제로 크로싱 신호 출력 지연 | 570 | 미국 | ||||
| 채널 간 위상각(커패시턴스)으로 인한 측정 오차 | PF08err | 위상 전진 37゜(PF=0.8) | 0.5 | % | ||
| 채널 간 위상각으로 인한 측정 오류(감도) | PF05err | 위상 지연 60゜(PF=0.5) | 0.5 | % | ||
| AC 전력 억제(출력 주파수 진폭 변동) | ACPSRR | IP/N=100mV | 0.1 | % | ||
| DC 전력 억제(출력 주파수 진폭 변동) | DCPSRR | VP/N=100mV | 0.1 | % | ||
| 아날로그 입력 레벨(전류) | 차동 전류 입력(피크) | 42 | mV | |||
| 아날로그 입력 레벨(전압) | 차동 전압 입력(피크) | 100 | mV | |||
| 아날로그 입력 임피던스 | 370 | kΩ | ||||
| SEL 풀다운 저항기 | SEL(풀다운) | 56.9 | kΩ | |||
| 아날로그 입력 대역폭 | (-3dB) | 3.5 | kHz | |||
| 내부 전압 레퍼런스 | Vref | 1.218 | V | |||
| 논리 입력 하이 레벨 | VDD=3.3V±5% | 2.6 | V | |||
| 논리 입력 로우 레벨 | VDD=3.3V±5% | 0.8 | V | |||
| 논리 출력 하이 레벨 | VDD=3.3V±5% IOH=5mA | VDD-0.5 | V | |||
| 로직 출력 로우 레벨 | VDD=3.3V±5% IOL=5mA | 0.5 | V |
참고: 달리 명시되지 않는 한, Tamb= 25℃
모든 전압 값은 GND 단자 전위를 기준점으로 삼습니다.
테스트 조건 VDD=3.3V, 내장 수정 발진기, 전기 에너지는 CF 출력으로 측정합니다.
주문 사양
| 부품 번호 | 패키지 | 포장 방법 | 가방/릴당 장치 수 |
| SSP1842 | SSOP10L | 릴 | 3000PCS |
