PMTJ STT-MRAM 기술
IIC 인터페이스
작동 전압
작동 온도 범위
데이터 보호
전력 소비
신뢰성
패키지
| 기호 | 매개변수 | 테스트 조건 | 가치 | 단위 |
| VCC | 전압 공급 | 0 ~ 3.6 | V | |
| Vin | 모든 핀의 전압 | 0 ~ 3.6 | V | |
| Iout | 핀당 출력 전류 | ±3 | mA | |
| Tbias | 바이어스 온도 | -40 ~ 85 | ℃ | |
| Tstg | 보관 온도 | -55 ~ 125 | ℃ | |
| Lead | 납땜 중 납 온도(최대 3분) | 260 | ℃ | |
| Hmax 쓰기 | 쓰기 중 최대 자기장*1 | 쓰기 | 4,000 | A/m |
| Hmax 읽기 | 읽기 중 최대 자기장 또는 대기*1 | 읽기 또는 대기 | 12,000 | A/m |
| Hmax 전원 끄기 | 전원이 꺼진 상태에서의 최대 자기장*1 | 전원 끄기 | 45,000 | A/m |
참고:
테스트 조건은 상온에서 한 달 동안 수직 자기장에 노출하여 항자기 능력을 측정하는 것입니다.
이 장에서는 칩의 전기적 특성을 소개합니다. 다음 표에 표시된 AC 및 DC 파라미터 값은 표 4에 표시된 작동 조건과 표 5에 표시된 측정 조건을 기준으로 얻은 값입니다. 사용자가 파라미터를 확인할 때는 작동 조건과 측정 조건을 일치시키는 데 주의를 기울이세요.
| 기호 | 매개변수 | Min | 최대 | 단위 |
| VCC | 전압 공급 | 2.7 | 3.6 | V |
| 세금 | 작동 온도 | -40 | 85 | ℃ |
DC 특성
| 기호 | 매개변수 | 테스트 조건 | Min | Typ. | 최대 | 단위 |
| |ILI| | 입력 누설 전류 *1 | VIN=0V~VCC | 1 | μA | ||
| |ILO| | 출력 누설 전류*2 | VOUT=0 V~VCC | 1 | μA | ||
| ISLP | 수면 전류 | SCL、SDA=VCC, A0、A1、A2、WP=0V | 2 | 6 | μA | |
|
ISBY |
대기 전류 | SCL、SDA= VCC , AO、A1、A2、WP =0VCC 또는 부동*3 |
20 |
35 |
μA | |
| ICC | 활성 전류 | SCL=400KHz | 400 | 600 | μA | |
| VIL | 저전압 입력 | VCC=2.7V~3.6V | VSS | VCC*0.2 | V | |
| VIH | 고전압 입력 | VCC=2.7V~3.6V | VCC*0.8 | VCC+0.3 | V | |
| VOL | 저전압 출력 | IOL=3mA | VCC*0.2 | V | ||
| RIN | 입력 저항(WP、A0、 A1, A2 ) | VIN=VIL(최대) | 50 | kΩ | ||
| VIN= VIH(최소) | 1 | MΩ |
참고:
핀 커패시턴스
| 기호 | 매개변수 | 최대 | 단위 |
| CIN | 입력 커패시턴스 제어 | 15 | pF |
| CIO | IO 커패시턴스 | 15 | pF |
AC 특징
| 기호 | 매개변수 | 100kHz | 400kHz | 단위 | ||
| Min | 최대 | Min | 최대 | |||
| tCLK | CLK 기간 | 10 | 2.5 | μs | ||
| tHIGH | 시계 높이 | 4 | 0.6 | μs | ||
| tLOW | 시계 부족 | 4.7 | 1.3 | μs | ||
| tR | SCL, SDA 상승 시간 | 1000 | 300 | ns | ||
| tF | SCL, SDA 낙하 시간 | 300 | 300 | ns | ||
| tHD:STA | 시작 조건의 유지 시간 | 4 | 0.6 | μs | ||
| tSU:STA | 시작 조건 설정 시간 | 4.7 | 0.6 | μs | ||
| tHD:DAT | 데이터 입력 홀드 시간 | 2 | 2 | ns | ||
| tSU:DAT | 데이터 입력 설정 시간 | 250 | 100 | ns | ||
| tDH:DAT | 데이터 출력 보류 시간 | 0 | 0 | ns | ||
| tSU:STO | 정지 조건 설정 시간 | 4 | 0.6 | μs | ||
| tAA | SCL 로우 레벨에서 유효한 데이터 출력 | 3 | 0.9 | μs | ||
| tBUF | 사전 충전 시간 (정지 조건과 시작 조건 사이의 간격) | 4.7 | 1.3 | μs | ||
