絶対最大 評価
シンボル | パラメータ | テスト 条件 | 価値 | 単位 |
ブイシーシー | 電圧供給 | 0~3.6 | V |
ヴィン | 任意のピンの電圧 | 0~3.6 | V |
アウト | ピンあたりの出力電流 | ±3 | mA |
トビアス | バイアス下の温度 | -40~85 | ℃ |
Tstg | 保存温度 | -55~125 | ℃ |
リード | はんだ付け時のリード温度(最大3分) | 260 | ℃ |
Hmaxの書き込み | 書き込み時の最大磁界*1 | 書く | 4,000 | A/m |
Hmax読み取り | 読み取りまたは読み取り中の最大磁場 スタンバイ*1 | リードまたはスタンバイ | 12,000 | A/m |
Hmaxパワーオフ | 電源オフ時の最大磁界*1 | 電源オフ | 45,000 | A/m |
注:
試験条件は、室温で垂直磁界に1ヶ月間さらし、耐磁性を測定する。
電気 特徴
本章ではチップの電気的特性を紹介する。下表に示す AC、DC パラメータの値は、表 4 に示す動作条件と表 5 に示す測定条件に基づいて求めています。パラメータを確認する場合は、動作条件と測定条件の一致に注意してください。
営業 条件
シンボル | パラメータ | 最小 | マックス | 単位 |
ブイシーシー | 電圧供給 | 2.7 | 3.6 | V |
税金 | 動作温度 | -40 | 85 | ℃ |
DC 特徴
シンボル | パラメータ | テスト条件 | 最小 | タイプ | マックス | 単位 |
|ILI| | 入力漏れ電流 *1 | Vイン=0V~VCC | | | 1 | μA |
|ILO| | 出力漏れ電流*2 | Vアウト=0 V~VCC | | | 1 | μA |
ISLP | スリープ電流 | SCL、SDA=VCC、 A0、A1、A2、WP=0V | | 2 | 6 | μA |
ISBY | スタンバイ電流 | SCL、SDA= VCC 、 AO、A1、A2、WP =0VまたはVCCまたはフローティング*3 | | 20 | 35 | μA |
ICC | アクティブ電流 | SCL=400KHz | | 400 | 600 | μA |
VIL | 入力低電圧 | VCC=2.7V~3.6V | ブイエスエス | | VCC*0.2 | V |
VIH | 入力高電圧 | VCC=2.7V~3.6V | VCC*0.8 | | VCC+0.3 | V |
VOL | 出力低電圧 | IOL=3mA | | | VCC*0.2 | V |
Rイン | 入力抵抗(WP、A0) A1、A2 ) | Vイン=VIL(マックス) | 50 | | | kΩ |
Vイン= VIH分 | 1 | | | MΩ |
注釈
- SCLおよびSDAに適用
- SDAに適用
- 表中のピン・レベルの状態に加え、スリープ・モードのテスト条件は、測定時間が停止状態の後であることを保証する必要があり、インストラクションの途中では測定できない。
ピン容量
シンボル | パラメータ | マックス | 単位 |
Cイン | 制御入力容量 | 15 | pF |
C入出力 | IOキャパシタンス | 15 | pF |
交流 特徴
シンボル | パラメータ | 100kHz | 400kHz | 単位 |
最小 | マックス | 最小 | マックス |
tクロック | CLK期間 | 10 | | 2.5 | | μs |
tHIGH | クロックハイ | 4 | | 0.6 | | μs |
tLOW | クロック・ロー | 4.7 | | 1.3 | | μs |
tR | SCL、SDAの立ち上がり時間 | | 1000 | | 300 | ns |
tF | SCL、SDAの立ち下がり時間 | | 300 | | 300 | ns |
tHD:STA | 開始条件の保持時間 | 4 | | 0.6 | | μs |
tSU:STA | 開始条件設定時間 | 4.7 | | 0.6 | | μs |
tHD:DAT | データ入力ホールド時間 | 2 | | 2 | | ns |
tSU:DAT | データ入力セットアップ時間 | 250 | | 100 | | ns |
tDH:DAT | データ出力ホールド時間 | 0 | | 0 | | ns |
tSU:STO | 停止条件設定時間 | 4 | | 0.6 | | μs |
tAA | SCLローレベルからデータ有効出力 | | 3 | | 0.9 | μs |
tフロリダ大学 | プリチャージ時間 (停止状態と開始状態の間隔) | 4.7 | | 1.3 | | μs |