H70XXA-1

絶対最大定格

注：これらはストレス定格のみです。絶対最大定格」で指定された範囲を超える応力は、デバイスに大きな損傷を与える可能性があります。極端な条件に長時間さらされると、デバイスの信頼性に影響を与える可能性があります。

電気的特性

H7022A-1XXX，Ta=25

パラメータ	シンボル	テスト条件		分。	タイプ	マックスだ。	単位
		VDD	条件
検出電圧	VDET	–	–	2.156	2.200	2.244	V
ヒステリシス幅	VHYS	–	–	0.02*VDET	0.05*VDET	0.10*VDET	V
動作電流	IDD	8V	負荷なし	–	2	3	μA
動作電圧	VDD	–	–	1.5	–	16	V
出力シンク電流	IOL	2V	Vアウト=0.2V	0.5	1	–	mA
温度係数		–	0℃<Ta<70	–	±0.9	–	mV/℃の場合

H7024A-1XXX，Ta=25

パラメータ	シンボル	テスト条件		分。	タイプ	マックスだ。	単位
		VDD	条件
検出電圧	VDET	–	–	2.352	2.400	2.448	V
ヒステリシス幅	VHYS	–	–	0.02*VDET	0.05*VDET	0.10*VDET	V
動作電流	IDD	8V	負荷なし	–	2	3	μA
動作電圧	VDD	–	–	1.5	–	16	V
出力シンク電流	IOL	2V	Vアウト=0.2V	0.5	1	–	mA
温度係数		–	0℃<Ta<70	–	±0.9	–	mV/℃の場合

H7027A-1XXX，Ta=25

パラメータ	シンボル	テスト条件		分。	タイプ	マックスだ。	単位
		VDD	条件
検出電圧	VDET	–	–	2.646	2.700	2.754	V
ヒステリシス幅	VHYS	–	–	0.02*VDET	0.05*VDET	0.10*VDET	V
動作電流	IDD	8V	負荷なし	–	2	3	μA
動作電圧	VDD	–	–	1.5	–	16	V
出力シンク電流	IOL	2V	Vアウト=0.2V	0.5	1	–	mA
温度係数		–	0℃<Ta<70	–	±0.9	–	mV/℃の場合

H7030A-1XXX，Ta=25

パラメータ	シンボル	テスト条件		分。	タイプ	マックスだ。	単位
		VDD	条件
検出電圧	VDET	–	–	2.940	3.000	3.060	V
ヒステリシス幅	VHYS	–	–	0.02*VDET	0.05*VDET	0.10*VDET	V
動作電流	IDD	8V	負荷なし	–	2	3	μA
動作電圧	VDD	–	–	1.5	–	16	V
出力シンク電流	IOL	2V	Vアウト=0.2V	1.2	2.5	–	mA
温度係数		–	0℃<Ta<70	–	±0.9	–	mV/℃の場合

H7033A-1XXX，Ta=25

パラメータ	シンボル	テスト条件		分。	タイプ	マックスだ。	単位
		VDD	条件
検出電圧	VDET	–	–	3.234	3.300	3.366	V
ヒステリシス幅	VHYS	–	–	0.02*VDET	0.05*VDET	0.10*VDET	V
動作電流	IDD	8V	負荷なし	–	2	3	μA
動作電圧	VDD	–	–	1.5	–	16	V
出力シンク電流	IOL	2V	Vアウト=0.2V	1.2	2.5	–	mA
温度係数		–	0℃<Ta<70	–	±0.9	–	mV/℃の場合

H7036A-1XXX，Ta=25

パラメータ	シンボル	テスト条件		分。	タイプ	マックスだ。	単位
		VDD	条件
検出電圧	VDET	–	–	3.528	3.600	3.672	V
ヒステリシス幅	VHYS	–	–	0.02*VDET	0.05*VDET	0.10*VDET	V
動作電流	IDD	8V	負荷なし	–	2	3	μA
動作電圧	VDD	–	–	1.5	–	16	V
出力シンク電流	IOL	2V	Vアウト=0.2V	1.2	2.5	–	mA
温度係数		–	0℃<Ta<70	–	±0.9	–	mV/℃の場合

H7039A-1XXX，Ta=25

パラメータ	シンボル	テスト条件		分。	タイプ	マックスだ。	単位
		VDD	条件
検出電圧	VDET	–	–	3.822	3.900	3.978	V
ヒステリシス幅	VHYS	–	–	0.02*VDET	0.05*VDET	0.10*VDET	V
動作電流	IDD	8V	負荷なし	–	2	3	μA
動作電圧	VDD	–	–	1.5	–	16	V
出力シンク電流	IOL	2V	Vアウト=0.2V	1.2	2.5	–	mA
温度係数		–	0℃<Ta<70	–	±0.9	–	mV/℃の場合

H7040A-1XXX，Ta=25

パラメータ	シンボル	テスト条件		分。	タイプ	マックスだ。	単位
		VDD	条件
検出電圧	VDET	–	–	3.920	4.000	4.080	V
ヒステリシス幅	VHYS	–	–	0.02*VDET	0.05*VDET	0.10*VDET	V
動作電流	IDD	8V	負荷なし	–	2	3	μA
動作電圧	VDD	–	–	1.5	–	16	V
出力シンク電流	IOL	2V	Vアウト=0.2V	1.2	2.5	–	mA
温度係数		–	0℃<Ta<70	–	±0.9	–	mV/℃の場合

H7044A-1XXX，Ta=25

パラメータ	シンボル	テスト条件		分。	タイプ	マックスだ。	単位
		VDD	条件
検出電圧	VDET	–	–	4.312	4.400	4.488	V
ヒステリシス幅	VHYS	–	–	0.02*VDET	0.05*VDET	0.10*VDET	V
動作電流	IDD	8V	負荷なし	–	2	3	μA
動作電圧	VDD	–	–	1.5	–	16	V
出力シンク電流	IOL	2V	Vアウト=0.2V	3	6	–	mA
温度係数		–	0℃<Ta<70	–	±0.9	–	mV/℃の場合

H7050A-1XXX，Ta=25

パラメータ	シンボル	テスト条件		分。	タイプ	マックスだ。	単位
		VDD	条件
検出電圧	VDET	–	–	4.900	5.000	5.100	V
ヒステリシス幅	VHYS	–	–	0.02*VDET	0.05*VDET	0.10*VDET	V
動作電流	IDD	8V	負荷なし	–	2	3	μA
動作電圧	VDD	–	–	1.5	–	16	V
出力シンク電流	IOL	2V	Vアウト=0.2V	3	6	–	mA
温度係数		–	0℃<Ta<70	–	±0.9	–	mV/℃の場合

H7070A-1XXX，Ta=25

パラメータ	シンボル	テスト条件		分。	タイプ	マックスだ。	単位
		VDD	条件
検出電圧	VDET	–	–	6.860	7.000	7.140	V
ヒステリシス幅	VHYS	–	–	0.02*VDET	0.05*VDET	0.10*VDET	V
動作電流	IDD	8V	負荷なし	–	2	3	μA
動作電圧	VDD	–	–	1.5	–	16	V
出力シンク電流	IOL	2V	Vアウト=0.2V	3	6	–	mA
温度係数		–	0℃<Ta<70	–	±0.9	–	mV/℃の場合

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