STT-MRAM

PM002は、2M Bit/256K Byte容量のSPI(Serial Single-Wire)インターフェースSTT-MRAM(Spin-Transfer Torque Magnetic Random Access Memory)チップです。そのデータは不揮発性で、保持時間は10年を超えます。このチップは、独立した1ビットSI(シリアル入力)およびSO(シリアル出力)インターフェイスをサポートし、最大クロック周波数でデータ・バイトの連続書き込みまたは読み出しが可能で、書き込みレイテンシがゼロです。
PM004は、4Mビット/512Kバイト容量のSPI(Serial Single-Wire)インターフェースSTT-MRAM(Spin-Transfer Torque Magnetic Random Access Memory)チップです。そのデータは不揮発性で、保持時間は10年を超えます。このチップは、独立した1ビットSI(シリアル入力)およびSO(シリアル出力)インターフェイスをサポートし、最大クロック周波数でデータ・バイトの連続書き込みまたは読み出しが可能で、書き込みレイテンシがゼロです。
PM004は、4Mビット/512Kバイト容量のSPI(Serial Single-Wire)インターフェースSTT-MRAM(Spin-Transfer Torque Magnetic Random Access Memory)チップです。そのデータは不揮発性で、保持時間は10年を超えます。このチップは、独立した1ビットSI(シリアル入力)およびSO(シリアル出力)インターフェイスをサポートし、最大クロック周波数でデータ・バイトの連続書き込みまたは読み出しが可能で、書き込みレイテンシがゼロです。
PN256Kは256K Bit/32K Byte IICインターフェースの不揮発性メモリです。先進のPMTJ STT-MRAM技術を採用し、最大400kHzの読み出し/書き込み伝送を実現し、優れた信頼性と20年以上のデータ保持時間を誇ります。
新しい不揮発性磁気メモリーMRAMは、不揮発性キャッシュやメインメモリーに理想的なデバイスである。その応用範囲は従来のコンピュータ・ストレージ・システムにとどまらず、他の多くの分野にも拡張可能であり、一般的なメモリになることさえ期待されている。 MRAMは停電の際にもデータが失われないことを保証し、光線によるデータの損傷を防ぐことができる。モノのインターネットやビッグデータといった新たなアプリケーションでは、ユビキタスなセンサー端末が膨大なデータを収集する必要がある。ストレージ電力を節約するために、MRAMはその比較的優れた性能から人気の候補となっている。
新しい不揮発性磁気メモリーMRAMは、不揮発性キャッシュやメインメモリーに理想的なデバイスである。その応用範囲は従来のコンピュータ・ストレージ・システムにとどまらず、他の多くの分野にも拡張可能であり、一般的なメモリになることさえ期待されている。 MRAMは停電の際にもデータが失われないことを保証し、光線によるデータの損傷を防ぐことができる。モノのインターネットやビッグデータといった新たなアプリケーションでは、ユビキタスなセンサー端末が膨大なデータを収集する必要がある。ストレージ電力を節約するために、MRAMはその比較的優れた性能から人気の候補となっている。

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