特徴
| アプリケーション
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特徴
| アプリケーション
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| 項目 | 最小 | マックス | 単位 |
| Vイン 電圧(1) | -0.3 | 6.0 | V |
| Vアウト 電圧 (1) | -0.3 | 5.5 | V |
| 連続許容損失 (TA = 25°C) (2) | 0.4 | W | |
| 消費電力 | 社内限定 | ||
| 動作接合部温度、TJ | -40 | 125 | °C |
| 保存温度、Tストッグ | -65 | 150 | °C |
| リード温度（はんだ付け、10秒） | 260 | °C | |
| シンボル | パラメータ | マックスだ。 | 単位 |
| θJA | 熱抵抗(3) | 170 | ℃/W |
| θJC | 75 | ℃/W |
注(1)：定格を超えると故障の原因となります。
注（2）：最大許容損失電力は、最大ジャンクション温度TJ(MAX)接合部-周囲熱抵抗 θJAと周囲温度TA.任意の周囲温度での最大許容連続許容損失電力は、次の式で計算されます。D(MAX)=(TJ(MAX)-TA)/θJA.許容最大消費電力を超えるとダイ温度が上昇し、レギュレータはサーマルシャットダウンに入ります。内部サーマルシャットダウン回路は、デバイスを永久的な損傷から保護します。
注(3)：JESD51-7、4層プリント基板で測定。
Vイン=5V，TA特に指定のない限り、=25°C。
| パラメータ | テスト条件 | 最小 | タイプ | マックス | 単位 |
| 入力電圧範囲 | 2.7 | 5.5 | V | ||
| 入力過電圧保護 | 5.8 | 6 | 6.5 | V | |
| 静止電流 IQ | Vイン =5.0V | 20 | 40 | 60 | μA |
| シャットダウン電流 Iオフ | Vイン =5.0V , VCE =0 | 0.1 | 2.0 | μA | |
| 入力電圧 UVLO | ライジング | 2.55 | 2.65 | V | |
| 落下 | 2.25 | 2.37 | V | ||
| フィードバック電圧 | Vイン =5.0V | 0.588 | 0.6 | 0.612 | V |
| 出力電流制限 | Vイン = 5.0V, Vアウト = 3.3V | 2.5 | 3 | A | |
| ライン規制 | Vイン = 3～5.0V | 0.2 | %/V | ||
| 負荷調整 | Iアウト= 0.1 - 1A | 0.1 | 2 | %/A | |
| スイッチング周波数 | Vイン =5.0V | 1 | 1.3 | 1.8 | MHz |
| オン抵抗 PMOS | Vイン =5.0V | 140 | mΩ | ||
| オン抵抗 NMOS | Vイン =5.0V | 80 | mΩ | ||
| CE 入力スレッショルド ON | Vイン =5.0V | 0.9 | 1.1 | V | |
| CE入力スレッショルド OFF | Vイン =5.0V | 0.4 | 0.7 | V | |
| CE入力プルダウン抵抗 | 750 | kΩ | |||
| 出力・放電・抵抗、 Rpd | Vイン =5.0V | 50 | Ω | ||
| 過熱保護 | 150 | ℃ | |||
| OTPヒステリシス | 40 | ℃ |
