PM001MNEB
PM001 is a 1M Bit/128K Byte capacity SPI (Serial Single-Wire) interface STT-MRAM (Spin-Transfer Torque Magnetic Random Access Memory) chip. Its data is non-volatile with a retention time exceeding 10 years. The chip supports independent 1-bit SI (Serial Input) and SO (Serial Output) interfaces, allows continuous writing or reading of data bytes at its maximum clock frequency, and features zero write latency.
PM001MNIB
PM001 is a 1M Bit/128K Byte capacity SPI (Serial Single-Wire) interface STT-MRAM (Spin-Transfer Torque Magnetic Random Access Memory) chip. Its data is non-volatile with a retention time exceeding 10 years. The chip supports independent 1-bit SI (Serial Input) and SO (Serial Output) interfaces, allows continuous writing or reading of data bytes at its maximum clock frequency, and features zero write latency.
PM002MNIA
Une nouvelle mémoire magnétique non volatile La MRAM est un dispositif idéal pour la mémoire cache non volatile et la mémoire principale. Ses perspectives d'application ne se limitent pas au système de stockage informatique traditionnel, mais peuvent être étendues à de nombreux autres domaines et devraient même devenir une mémoire générale.
La MRAM garantit que les données ne seront pas perdues en cas de panne de courant et peut prévenir les dommages causés par les rayons. Dans les applications émergentes telles que l'internet des objets et le big data, les terminaux de capteurs omniprésents doivent collecter des données massives. Afin d'économiser de l'énergie de stockage, la MRAM est devenue un candidat populaire en raison de ses performances relativement bonnes.