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Artikel | Min | Max | Einheit |
VIN-Spannung(1) | -0.3 | 6.0 | V |
VOUT-Spannung (1) | -0.3 | 5.5 | V |
Kontinuierliche Verlustleistung (TA = 25°C) (2) | 0.4 | W | |
Verlustleistung | Intern begrenzt | ||
Betriebssperrschichttemperatur, TJ | -40 | 125 | °C |
Lagertemperatur, Tstg | -65 | 150 | °C |
Blei-Temperatur (Löten, 10 Sek.) | 260 | °C |
Symbol | Parameter | Max. | Einheit |
θJA | Wärmewiderstand(3) | 170 | ℃/W |
θJC | 75 | ℃/W |
Hinweis (1): Das Überschreiten dieser Werte kann das Gerät beschädigen.
Anmerkung (2): Die maximal zulässige Verlustleistung ist eine Funktion der maximalen Sperrschichttemperatur TJ(MAX)der Wärmewiderstand θ zwischen Sperrschicht und UmgebungJAund die Umgebungstemperatur TA. Die maximal zulässige kontinuierliche Verlustleistung bei jeder Umgebungstemperatur wird berechnet durch PD(MAX)=(TJ(MAX)-TA)/θJA. Ein Überschreiten der maximal zulässigen Verlustleistung führt zu einer zu hohen Chiptemperatur, und der Regler schaltet sich thermisch ab. Eine interne thermische Abschaltschaltung schützt das Gerät vor dauerhaften Schäden.
Anmerkung (3): Gemessen an JESD51-7, 4-lagige Leiterplatte.
VIN=5V,TA=25°C, sofern nicht anders angegeben.
Parameter | Testbedingungen | Min | Typ | Max | Einheit |
Eingangsspannungsbereich | 2.7 | 5.5 | V | ||
Überspannungsschutz am Eingang | 5.8 | 6 | 6.5 | V | |
Ruhestrom, IQ | VIN =5.0V | 20 | 40 | 60 | µA |
Abschaltstrom, IAUS | VIN =5,0V , VCE =0 | 0.1 | 2.0 | µA | |
Eingangsspannung UVLO | Aufsteigend | 2.55 | 2.65 | V | |
Fallende | 2.25 | 2.37 | V | ||
Rückkopplungsspannung | VIN =5.0V | 0.588 | 0.6 | 0.612 | V |
Ausgangsstrom Begrenzung | VIN = 5,0 V, VOUT = 3.3V | 1 | 1.2 | A | |
Leitungsregelung | VIN = 3 bis 5,0 V | 0.2 | %/V | ||
Lastregelung | IOUT= 0.1 - 1A | 0.1 | 2 | %/A | |
Schalthäufigkeit | VIN =5.0V | 1 | 1.5 | 2 | MHz |
ON-Widerstand PMOS | VIN =5.0V | 0.38 | Ω | ||
ON-Widerstand NMOS | VIN =5.0V | 0.25 | Ω | ||
CE-Eingangsschwelle ON | VIN =5.0V | 0.9 | 1.1 | V | |
CE-Eingangsschwelle AUS | VIN =5.0V | 0.4 | 0.7 | V | |
CE-Eingang Pull-Down-Widerstand | 750 | kΩ | |||
Ausgangs- Entladungs&nbswiderstand, Rpd | VIN =5.0V | 600 | Ω | ||
Übertemperaturschutz | 150 | ℃ | |||
OTP-Hysterese | 40 | ℃ |
Schanghai Siproin
Mikroelektronik Co.,Ltd.
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