7月20日，由江苏省工业和信息化厅、南京江北新区管理委员会主办，江苏省半导体行业协会、南京江北新区产业技术研创园、南京浦口经济开发区、赛迪顾问股份有限公司、南京圆博国际展览有限公司协办的 "2023世界半导体大会暨南京国际半导体博览会 "在南京隆重开幕。 上海思普瑞微电子有限公司应邀参加了此次大会，并凭借出色的技术创新能力和先进的人才培养理念获得了奖项。
本届大会以 "芯纽带，新未来 "为主题，针对半导体产业的核心技术和未来趋势，聚焦半导体产业的新市场、新产品、新技术，致力于打造高水平的 "半导体专场 "交流平台、优秀技术产品展示推广平台、实用经验分享平台和供需对接平台，从多方面助力中国半导体产业链的协调发展。
荣获中国半导体市场最佳产品奖
会议举行了 2022 年优秀 集成电路 产品奖"，上海西普源微电子有限公司荣获 "2022-2023年度中国半导体市场最佳产品（The 非易失性磁存储器)奖"。
传统存储技术，如 SRAM、DRAM 和闪存，在现代电子工业中确实取得了令人瞩目的成就。然而，随着半导体制造工艺接近 20 纳米水平，这些传统技术的缺陷也越来越明显。
"(《世界人权宣言》) 非易失性磁存储器 MRAM 由一个 MOS 管、一个磁隧道结 MTJ 和几根连接线组成。其制造工艺与当前的 集成电路 工艺。它结构简单，制备工艺成本低，工艺可扩展性强。基于 14 纳米的 MRAM 工艺已实现量产。
MRAM 具有非易失性、极高的擦除和写入耐久性（1E9~1E14）、大容量等特点，并且在读写信息时损坏率低、功耗低、速度快（20ns）。
当用作高速缓存时，MRAM 因其高写入耐久性、对软错误的天然免疫力、无需备用电源、高集成密度和非易失性而成为片上高速缓存系统的最佳选择之一。与相同容量的 SRAM 高速缓存相比，MRAM 高速缓存的动态能耗更低，信息读取延迟更短。
MRAM 具有极高的抗辐射能力，可用于高性能计算机或控制系统以及恶劣环境下的数据存储系统。
Siproin 目前正在量产和计划量产的 MRAM 容量包括 256Kb、2Mb、4Mb、16Mb、64Mb 和 256Mb。
