智能电表包括新型预付费电表、多费率电表和具有双向通信功能的电子电表,可提供自动抄表(AMR)、在线查询、远程连接/断开、复杂计费结构等扩展功能。这些电表还能让用户更好地控制用电量,从而节省电费和更有效地分配用电量。

Siproin STT-MRAM 的非易失性数据存储特性与 RAM 的无限读写、高速读写和低功耗优势相结合,促进了智能仪表的发展。它不仅能确保断电时保留实时数据,还克服了传统解决方案中使用分立器件造成的电路复杂、成本高昂等缺点。

实践证明,STT-MRAM 具有访问速度快、频率高的优点,能有效解决突然断电造成的数据丢失问题。

在用电数据的存储要求方面,我国民用电与工业用电差异较大,工业用电的存储容量尤其大。如果每 0.01 度记录一次,工业电表每月需要执行多达 200 万次存储操作,电表需要稳定运行 5-10 年。在这种情况下,传统的浮栅存储器(FLASH/EEPROM)因其有限的擦写寿命和延迟而无法胜任。其较高的写入和写入周期会很快耗尽存储寿命,而延迟问题则会在用电量激增或突然断电时导致数据丢失。

在物联网时代,数据的保密性和安全性受到高度重视。黑客窃取电表数据将造成严重的信息泄露。Siproin STT-MRAM 为智能电表提供了新的优势:防止数据被窃取和篡改。在受到黑客攻击时,其低功耗、高速度的特点可以利用小电池瞬间清除关键数据,确保用户信息安全,如在 6.4 微秒内擦除 256 位数据。

为了解决这些问题,工程师们考虑使用 SRAM 作为数据缓冲器,但这带来了新的挑战:需要使用备用电池来防止断电,这增加了电表的功耗和制造成本。因此,在三相电表的数据存储解决方案中,找到一种更可靠、寿命更长、成本更低的存储技术尤为重要。

因此,具有不易挥发、快速写入无延迟、无限读写寿命和超低写入功耗等特点的磁存储 STT-MRAM 存储器可能成为电表的最佳存储器选择。

项目STT-MRAMEEPROM闪光灯SRAMFRAM
内存类型非伏特非伏特非伏特Voltile非伏特
书写方法重写擦除+写入擦除+写入重写重写
写入周期时间25 秒10us10us5 秒钟150 秒
读/写周期1012106106无限1013
增压电路没有没有没有
数据备份电池没有没有没有没有