1.上半年我国集成电路出口6502.6亿元，同比增长20.3%
据中国海关总署统计，2025年上半年，我国货物贸易进出口21.79万亿元，同比增长2.9%。其中，出口 13 万亿元，同比增加 7.2%；进口 8.79 万亿元，同比减少 2.7%。2025 年上半年，我国进出口规模将达到 20 万亿元，创历史同期新高。从季度走势看，二季度进出口同比增长4.5%，比一季度加快3.2个百分点，连续7个季度保持同比增长。
2025 年上半年，我国机电产品出口 7.8 万亿元，增长 9.5%。其中，自动数据处理设备及其零件7027.9亿元，增加3.0%；集成电路出口量1677.7亿块，增加20.6%，出口额6502.6亿元，增加20.3%；汽车4287.2亿元，增加9.4%；手机3573.5亿元，减少7.4%。
2025 年上半年，我国进口机电产品 3.4 万亿元，同比增加 6.3%。其中，集成电路增加 8.9% 至 2818.8 亿块，金额增加 8.3% 至 1.38 万亿元；汽车减少 32.4% 至 22.4 万辆，金额减少 37.1% 至 831.8 亿元。
2024 年，集成电路产品产量将达到 4514 亿块，同比增长 22.2%；太阳能电池和工业机器人产量分别同比增长 15.7% 和 14.2%，引领整体工业增速。
集成电路设计是半导体产业芯片价值链中最关键的一环，这一环节的收入也值得关注。根据工信部此前公布的数据，2024 年我国集成电路设计业收入将达到 3644 亿元，同比增长 16.4%。相比之下，2023 年我国集成电路设计业收入为 3069 亿元，同比增长 6.4%，也就是说，2024 年国内集成电路设计业增速将加快。
2.Intel 2nm 芯片 TapeOut 台积电代工！
据报道，英特尔下一代客户端 CPU 旗舰 Nova Lake-S 已在台积电位于台湾的 Tape-Out 晶圆厂销售。此前我们根据传言推测，英特尔将采用自家的 18A 工艺，并使用台积电的 2nm 量产技术。不过，根据 SemiAccurate 的消息，英特尔已经在台积电的 N2 工艺上带出了一个计算模块，这意味着 Nova Lake-S 的计算模块很可能同时使用 18A 和台积电的 N2 工艺。英特尔做出这一决定的一个可能原因是，如果 18A 工艺无法交付，或者预计需求过高而内部产能无法满足，英特尔正在构建一个可靠的备用解决方案。无论如何，客户可以期待该产品在 2026 年下半年按时交付，但其背后可能会有一些有趣的解决方案。
至于具体日期，从出带到最终产品交付需要几个月的时间。目前，Tape-Out 完成的芯片正在英特尔实验室通电，进行各种测试，以检验芯片在多种用途下的性能，并检查其操作是否正确。通常情况下，通电需要几周到一个月的时间，而最终量产将在几个月后开始。之后还需要两到三个月的时间来制造和出货，这意味着 Nova Lake-S 很有可能在 2026 年第三季度发布。需要提醒的是，这款 CPU 将集成多达 52 个内核（16 个 P 核、32 个 E 核和 4 个 LPE 核），配备 8800MT/s 内存控制器，以及用于图形渲染的 Xe3 Celestial 和用于媒体和显示任务的 Xe4 Druid。这无疑使其成为一款极具吸引力的产品，但由于其异构复杂性，制造起来也相当困难。
3.3D NOR 闪存正在市场上崭露头角。
要真正理解这一转变的意义，首先有必要澄清 NOR 和 NAND 内存之间的区别。NOR 闪存以其快速随机读取速度、高可靠性和在极端温度下的稳定性能而著称，适用于要求苛刻的 "就地执行 "应用。它一直是汽车、云计算和工业系统等对代码存储要求较高的应用场景中的核心组件。同时，由于其出色的写入耐久性，它在需要多次更新的应用（如 OTA 传输）中也占有重要地位。
相比之下，NAND 闪存更适合数据存储，它能以更低的单位比特成本提供更高的存储密度，但却没有 NOR 闪存的其他优势。因此，这两种存储设备都能应对各自应用市场所面临的独特挑战。
随着人工智能（AI）、物联网（IoT）和边缘计算的兴起，2D NOR 闪存的局限性变得越来越明显。这些应用及其用户需要更高的存储密度，并依赖于 NOR 闪存的高可靠性优势。这正是 3D NOR 闪存的优势所在，因为它可以通过提供更高的密度、更强的可扩展性和更高的可靠性来帮助应对这些挑战。
相比之下，3D NOR 闪存通过垂直堆叠存储单元，克服了 2D NOR 架构固有的可扩展性问题。2D NOR 闪存在单芯片上可实现高达 512Mb 的存储容量，要进一步提高密度，必须通过多芯片封装系统（SIP）来实现。
因此，对于需要在空间有限的环境中使用大规模非易失性存储器（NVM）的应用来说，3D NOR 闪存是一种极具吸引力的解决方案。
3D NOR 闪存突破了非易失性存储器的性能极限，其核心技术优势凸显了成为存储器市场 "游戏规则改变者 "的潜力。
4.密度是二维 NOR 的 8 倍
3D NOR 闪存的最大优势之一是其存储密度高达 2D NOR 闪存的 8 倍。如前所述，3D 架构通过垂直堆叠实现了 4Gb 的单芯片容量，而 2D NOR 的最大容量仅为 512Mb。密度的大幅提升，以及在相同物理尺寸下存储更大数据集的能力，解决了当前存储器市场最紧迫的挑战之一。
因此，这种 3D NOR 架构可提供高达 8Gb 的存储容量，适用于从消费电子产品到高端工业系统等一系列存储需求高的应用。
5.央视专访：黄仁勋扎根中国30年，BAT是朋友，DeepSeek很创新，华为值得尊敬
7月16日，英伟达创始人黄仁勋在接受央视《面对面》独家专访时，就供应链、中国市场、人工智能、竞争等核心问题与央视记者董倩进行了深入对话。
在对话中，黄仁勋用 "独一无二 "来概括中国市场--在30年的深耕中，Nvidia与联想、阿里巴巴、腾讯、百度、小米等企业深度绑定，他尤其赞赏中国在人工智能领域的创新活力，认为H20虽然不是顶级产品，但催生了深度寻找R1等突破，印证了 "中国创新势不可挡"。
"你不得不佩服DeepSeek惊人的创新能力，他们开发的R1模型是一个真正的创新，它重新设计了很多人工智能模型的工作方式，从而可以充分利用H20架构，这是非常有创意的"。黄仁勋说。
在谈到竞争时，黄鸣表现出独特的视角--他尊重华为等对手，主张 "竞争与合作"，反对把商业比作战争，认为竞争是市场繁荣的基石，企业和国家都可以在竞争中找到共存之道。
黄说："华为比我们大得多，在规模、人员和技术能力上，都有广度和深度。这是一家芯片设计能力、系统设计能力和系统软件能力都很强的公司，如果我们不在，华为一定会找到自己的解决方案。"
当被问及华为是竞争对手还是合作伙伴时，黄说："他们的成就令人钦佩，公司还是很有竞争力的，他们是我们的竞争对手，但你仍然可以钦佩和尊重竞争对手，并与他们保持良好的关系。"
6.半导体赢家通吃，5% 家公司垄断 $1,590 亿美元利润
根据全球咨询公司麦肯锡公司 7 月 20 日发布的一份报告，去年全球半导体行业创造的几乎所有经济利润都被排名前 5% 的领先公司（按年销售额计算）瓜分，其中包括英伟达、台积电、SK 海力士和博通。
报告指出，这 5% 家顶级公司获得了高达 $1,590 亿美元的经济利润，而中间的 90% 家公司的利润总额仅为 $5 亿美元。最底层的 5% 公司损失了 $37 亿美元。换句话说，领先企业的利润甚至超过了整个半导体行业创造的 $1,470 亿美元的经济利润总额。
这种市场结构的变化只用了两三年时间。在大流行时期（2021-2022），中间90%的企业每年经济利润仍超过$300亿，平均每家企业年利润约为$1.3亿。然而，自2023年人工智能半导体热潮兴起后，这一数字骤降至$3800万，去年又降至$1700万，两年内下降了88%。
麦肯锡预测，到 2030 年，与人工智能相关的半导体公司将继续以每年 18% 至 29% 的速度增长，而与人工智能没有直接关系的传统半导体公司的年增长率仅为 2%-3%。麦肯锡分析道："尽管一些公司利用人工智能创造价值的浪潮获得了前所未有的利润，但大多数公司面临着完全不同的现实。"
造成 "赢家通吃 "局面的关键原因是，领先公司有权制定新半导体产品的标准。传统产品的标准由 JEDEC（电子器件联合工程委员会）制定，各公司根据标准开发产品。然而，当产品规格完全不同时，最先进入市场的公司就有权主导标准的制定，从而成为 "规则制定者"，限制后来者的进入。
7.半导体设备国产化迎来关键转折点，长江存储全国首条生化生产线今年将试生产
为了减少对国外设备的依赖，扬子江存储科技股份有限公司（以下简称 "扬子江存储"）在推广 "民族 "制造设备方面取得了重大突破。(扬子江存储科技股份有限公司（YMTC）在推广 "民族 "制造设备方面取得了重大突破，第一条国产生产线将于 2025 年下半年投入试生产。
2016年，长江存储在武汉东湖新技术开发区正式注册成立，专注于3D NAND闪存芯片的设计、制造和销售。2022年底，长江存储被美国商务部列入实体企业名单，在无法获得美国先进晶圆制造设备的情况下，仍依靠现有工具维持先进NAND Flash产品线的研发和制造，并仍在积极推进产能扩张计划。目前，扬子存储的月产能接近 13 万片，约占全球产能的 8%，并计划在 2025 年实现月产能约 15 万片（WSPM），力争到 2026 年底占全球 NAND Flash 供应量的 15%。
在技术层面，长江存储也取得了重大进展。其 232 层 TLC（三层单元）芯片 X4-9070 通过双层堆叠实现了 294 层等效密度，接口速度达到 3600MT/s。3D QLC X4-6080 将于 2025 年晚些时候推出，可能继续采用 294 层堆叠，并在 2026 年之前量产 2TB 3D TLC X5-9080 和 3D QLC X5-6080，后者将支持 4800MT/s 高速接口。下一代架构的堆叠层数预计将超过 300 层，从而提高单位晶圆的比特产量，并在工艺时间增加和月晶圆产量下降的情况下保持总产量的增长。
如果国家级生产线试产成功，预计比特产量将翻番，有助于扬子江存储实现其市场份额目标。全球存储器产能排名前三的分别是三星、SK hynix 和美光，三家公司 2025 年的产能预测分别为 66 万片、50 万片和 30 万片。但必须清醒地认识到，从试验线到大规模量产并非一蹴而就，国产设备的长期稳定性、不同设备间的工艺兼容性、成本控制能力等都是需要解决的关键问题--从良品率稳定到成本优化，再到产品迭代，至少需要 3-5 年的打磨周期。
根据摩根士丹利的估计，国产设备采用率为 45%，远超全国平均水平和其他主要国产晶圆厂（中国最大的晶圆厂中芯国际在北京晶圆厂实现了 22% 的国产化率，在临港晶圆厂实现了 18% 的国产化率），但 45% 的国产化率仍远低于 100%。
长江存储国家生产线的试产，是中国半导体产业在全球竞争中的一次 "范式创新"。它证明了即使在单点技术落后的情况下，也可以通过设备、工艺、架构的系统协同，实现产业链的整体突破。首条国家生产线的贯通意义重大：集成电路生产是一个系统工程，涉及九大类核心设备和其他辅助模块，国家生产线的贯通不是单个环节的突破，而是所有环节的突破。
我国 2024 年，除胶设备、CMP 设备、清洗设备、刻蚀设备和热处理设备的国产化率将超过 30%，PVD/CVD/ALD、胶粘剂显影、离子注入、定量检测和光刻机的国产化率仍将低于 20%，分别为 5~20%、5~10%、10~20%、1~10% 和 0~1%。
更值得注意的是，TechInsights 的报告显示，扬子存储最新的 "Xtacking 4.0 "芯片在性能上与市场领先者不相上下，但由于中国在极紫外光刻（EUV）等关键领域与国外存在差距，其持续增长将取决于其缩小设备产能与产量之间差距的能力。
8.据 SEMI 报告，2025 年全球半导体设备销售总额预计将达到 $125 亿美元，创历史新高
2025 年 7 月 22 日，SEMI 在《年中半导体设备总量预测--OEM 视角》中指出，预计 2025 年全球原始设备制造商（OEM）的全球半导体制造设备销售总额将创下 $1255 亿美元的新纪录，同比增长 7.4%。在先进逻辑、存储器和技术不断迁移的推动下，预计 2026 年设备销售额将进一步攀升至 $1381 亿美元，实现连续三年增长。
按业务分类的半导体设备销售额
在 2024 年创下 $1,043 亿美元的销售记录之后，包括晶圆加工、晶圆设施和掩膜/光罩设备在内的晶圆厂设备（WFE）部门预计将在 2025 年增长 6.21TP3，达到 $1,108 亿美元。这一数字与 SEMI 在 2024 年底预测的 $1,076 亿美元相比有所上调，主要原因是晶圆代工和内存应用设备的销售额增加。展望 2026 年，WFE 部分预计将进一步增长 10.2%，达到 $1 221 亿美元，主要受支持人工智能应用的先进逻辑和存储器容量扩展以及关键细分市场的工艺技术迁移的推动。
后端设备领域预计将在 2024 年开始的强劲复苏中继续增长。半导体测试设备销售额继 2024 年同比增长 20.3% 之后，预计 2025 年将进一步增长 23.2%，达到创纪录的 13 亿 TP4T。2024 年，包装设备销售额增长了 25.4%，预计 2025 年将再增长 7.7%，达到 14 亿吨。2026 年，后端设备领域将继续保持扩张势头，测试设备销售额预计将增长 5.0%，封装设备销售额预计将增长 15.0%，实现连续三年增长。这一增长主要得益于设备架构复杂性的显著提高，以及人工智能和高带宽内存（HBM）半导体对高性能的强劲需求。然而，汽车、工业和消费终端市场的持续疲软将在一定程度上影响该部门的增长。
按地区分列的半导体设备销售额
预计到 2026 年，中国大陆、中国台湾和韩国将继续保持设备支出的前三位。在预测期内，中国大陆将继续领跑所有地区，尽管销售额预计将从 2024 年创纪录的 $495 亿美元有所下降。除欧洲外，所有地区的设备支出预计都将从 2025 年开始大幅增长。然而，贸易政策风险的增加可能会影响各地区的增长速度。
