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| 管脚编号 | 说明 | 输入/输出 | 功能 |
| 1 | VIN | 电源 | 电源 |
| 2 | AGND | 地 | 模拟地 |
| 3 | LX | 输入 | 开关节点,电感连接端 |
| 4 | VBS | 输出 | Boost升压输出端 |
| 5 | BAT | 电源 | 电池连接端 |
| 6 | ICHG | 输入 | 充电电流控制端口,通过与GND连接电阻大小控制电流 |
| 7 | NTC | 输入 | 热敏电阻输入端,通过外接热敏电阻检测电池温度。可复用为使能端口 |
| 8 | STAT | 输出 | 充电状态指示端口:输出0 电平或高阻态 |
| Thermal PAD | PGND | 地 | 功率地 |
| 参数 | 描述 | 数值 | 单位 |
| VMAX | VIN, BAT, LX, VBS, STAT | -0.3~24 | V |
| NTC, ICHG | -0.3~6 | V | |
| TJ | 结工作温度范围 | -40~150 | ℃ |
| TSTG | 存储温度范围 | -65~150 | ℃ |
| TSDR | 引脚温度(焊接10秒) | 260 | ℃ |
| 参数 | 描述 | 数值 | 单位 |
| VDD | 输入电压 | 3.6~6 | V |
| TA | 环境温度范围 | -40~85 | ℃ |
| Tj | 结温范围 | -40~125 | ℃ |
| 参数 | 描述 | 数值 | 单位 |
| θJA(ESOP8L) | 封装热阻—芯片到环境热阻 | 40 | ℃/W |
| 参数 | 描述 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| VIN | 电源电压 | 3.60 | 6.0 | V | ||
| VOVP | 电源过压保护阈值 | VIN上升 | 6 | V | ||
| △VOVP | 电源过压保护置回 | VIN上升保护后下降 | 200 | mV | ||
| IDD | 芯片静态电流 | 1 | mA |
| IBAT | 电池漏电电流 | 充电完成 | 16 | μA | ||
| VIN=0V VBAT=8.4V | 7 | |||||
| VCV | 充电浮充电压 | 8.34 | 8.42 | 8.50 | V | |
| △VRCH | Recharge电压 | 250 | mV | |||
| VTRK | 涓流截止电压 | VBAT上升 | 5.6 | V | ||
| VSHORT | 电池短路阈值 | VBAT下降 | 2.2 | V | ||
| VTRON | BLOCK 管完全导通电压 | VBAT>VTRK VTRON=VBAT-VIN | 150 | mV | ||
| fSW | 开关频率 | 500K | Hz | |||
| VOVPB | BAT端过压保护电压 | 9.2 | V | |||
| Icc | 恒流模式充电电流 | RICHG=1K VIN=5V | 0.5 | 1 | 1.5 | A |
| ITC | 涓流模式充电电流 | 130 | mA | |||
| IBS | 短路模式充电电流 | 130 | mA | |||
| ITERM | 终止充电电流 | 130 | mA | |||
| AI | 电流放大倍数 | Ai=Icc/IICHG | 1000 | |||
| INTC | NTC端口输出电流 | 19 | 23 | uA | ||
| VNTCH | NTC端高温阈值 | 0.38 | V | |||
| VNTCL | NTC端低温阈值 | 1.43 | V | |||
| TSD | 芯片热保护温度 | 150 | ℃ | |||
| △T | 芯片热保护温度滞回 | 20 | ℃ | |||
| TMRTC | TC 阶段充电时间限制 | 9.5 | HOUR | |||
| TMRcc/ cv | CC/CV 阶段充电时间限制 | 15.5 | HOUR |
| 字符 | DimensionsInMillimeters | DimensionsInInches | ||
| Min | Maksimum | Min | Maksimum | |
| A | 1.350 | 1.750 | 0.053 | 0.069 |
| A1 | 0.050 | 0.150 | 0.004 | 0.010 |
| A2 | 1.350 | 1.550 | 0.053 | 0.061 |
| b | 0.330 | 0.510 | 0.013 | 0.020 |
| c | 0.170 | 0.250 | 0.006 | 0.010 |
| D | 4.700 | 5.100 | 0.185 | 0.200 |
| D1 | 3.202 | 3.402 | 0.126 | 0.134 |
| E | 3.800 | 4.000 | 0.150 | 0.157 |
| E1 | 5.800 | 6.200 | 0.228 | 0.244 |
| E2 | 2.313 | 2.513 | 0.091 | 0.099 |
| e | 1.270(BSC) | 0.050(BSC) | ||
| L | 0.400 | 1.270 | 0.016 | 0.050 |
| θ | 0° | 8° | 0° | 9° |



Shanghai Siproin
Microelectronics Co., Ltd.
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