Характеристики
| Приложения
|
Блог
Характеристики
| Приложения
|
Абсолютный максимум номинальных значений(1)
Если не указано иное, Tamb = 25℃
| Параметр | Символ | Значение | Единица |
| Напряжение питания | VDD1/VDD2 | -0.5~6 | V |
| Входное напряжение A/B | VINA/VINB | -0,5~VDD1/VDD2+0,5(2) | V |
| Рабочая температура | Tamb | -40~125 | ℃ |
| Температура спая | TJ | 150 | ℃ |
| Температура хранения | Tstg | -65~150 | ℃ |
| Температура контактов (пайка оплавлением) | 260 | ℃ | |
| Номинальная изоляция при постоянном напряжении | 5 | KVrms(3) |
Примечание: (1) Если условия эксплуатации превышают указанные выше "Абсолютные максимальные значения", это может привести к необратимому повреждению устройства. Приведенные выше значения являются лишь максимальными значениями для условий эксплуатации, и мы не рекомендуем использовать устройства за пределами этих спецификаций. Стабильность работы устройств может быть нарушена при длительном использовании параметров абсолютного предела.
Электрические характеристики постоянного тока
Если не указано иное,VDD=2.5V±5% или 3.3V±10% или 5V±10%, Tamb= 25℃
| Параметр | Символ | Условия испытаний | Мин | Typ | Макс | Единица |
| Порог пониженного напряжения VDD | VDDУФ+ | VDD1, VДД2 поднимающийся | 1.9 | 2.2 | 2.37 | V |
| Порог пониженного напряжения VDD | VDDУФ- | VDD1, VДД2 провал | 1.85 | 2.12 | 2.32 | V |
| Гистерезис пониженного напряжения VDD | VDDHYS | 50 | 70 | 95 | мВ | |
| Положительный входной порог | VT+ | Все входы повышаются | 1.4 | 1.6 | 1.9 | V |
| Порог обратного входа | VT- | Все входы не работают | 1.0 | 1.3 | 1.4 | V |
| Гистерезис входного порога | VHYS | 0.38 | 0.44 | 0.50 | V | |
| Входное напряжение высокого уровня | VIH | 2.0 | - | - | V | |
| Входное напряжение низкого уровня | VIL | - | - | 0.8 | V | |
| Выходное напряжение высокого уровня | VOH | loh=-4mA | VDD-0.4 | VDD-0.2 | - | V |
| Выходное напряжение низкого уровня | VOL | lol=4mA | - | 0.2 | 0.4 | V |
| Входной ток утечки | IL | - | - | ±10 | мкА | |
| Выходной импеданс(1) | ZO | - | 50 | - | Ω | |
| Входной ток разрешения | IENH,IЭНЛ | VEN=VIH или VIL | - | 2.0 | - | мкА |
| Скорость передачи данных | 0 | - | 150 | Мбит/с | ||
| Минимальная ширина импульса | - | - | 5.0 | ns | ||
| Задержка распространения | tPHL,tPLH | См. рис. 2 | 5.0 | 9.0 | 15 | ns |
| Широтно-импульсные искажения |tPLH-tPHL| | PWD | См. рис. 2 | - | 0.2 | 4.5 | ns |
| Перекос задержки между частями(2) | tPSK (P-P) | - | 2.0 | 4.5 | ns | |
| Между каналами Перекос задержки | tPSK | - | 0.4 | 2.5 | ns | |
| Время нарастания | tr | CL=15pF, см. рис. 2 | - | 2.2 | 4.0 | ns |
| Время падения | tf | CL=15pF, см. рисунок2 | - | 2.2 | 4.0 | ns |
| Джиттер пиковой глазковой диаграммы | tJIT(PK) | - | 350 | - | ps | |
| Переходный процесс в общем режиме Иммунитет | ЦМТИ | VI=VDD или 0 VCM=1500 В | 35 | 50 | - | кВ/мкс |
| Разрешение на высокий уровень валидности данных | ten1 | См. рис. 1 | - | 5.0 | 12 | ns |
| Отключение высокого уровня в трехсотовом режиме | ten2 | См. рис. 1 | - | 65 | 98 | мы |
| Время падения входного сигнала до эффективного времени падения выходного сигнала | tSD | - | 28 | 45 | ns | |
| Время запуска(3) | tSU | - | 15 | 45 | мкс |
Примечание: (1) Номинальный выходной импеданс канала изолятора составляет приблизительно 50Ω±40%, что является комбинацией последовательных резисторов на кристалле и выходных резисторов канала FET. При управлении нагрузкой эффект линии передачи будет фактором, влияющим на сигнал, поэтому выходной вывод должен быть подключен к проводке печатной платы с контролем импеданса.
Таблица выбора
| Part No | Общее количество каналов | Количество реверсивных каналов | Уровень выходного сигнала по умолчанию | Пакет | Способ упаковки | Устройства на катушке |
| SSP5840ED | 4 | 0 | Высокий | SOIC-16 | Катушка | 2000 |
| SSP5841ED | 4 | 1 | Высокий | SOIC-16 | Катушка | 2000 |
| SSP5842ED | 4 | 2 | Высокий | SOIC-16 | Катушка | 2000 |
| SSP5845ED | 4 | 0 | Высокий | SOIC-16 | Катушка | 2000 |
| SSP5840BD | 4 | 0 | Низкий | SOIC-16 | Катушка | 2000 |
| SSP5841BD | 4 | 1 | Низкий | SOIC-16 | Катушка | 2000 |
| SSP5842BD | 4 | 2 | Низкий | SOIC-16 | Катушка | 2000 |
| SSP5845BD | 4 | 0 | Низкий | SOIC-16 | Катушка | 2000 |
Шанхай Сипроин
Microelectronics Co.,Ltd.
Приветствуем вас.
