STT-MRAM

PM002 adalah chip antarmuka SPI (Serial Single-Wire) berkapasitas 2M Bit/256K Byte dengan antarmuka STT-MRAM (Spin-Transfer Torque Magnetic Random Access Memory). Datanya tidak mudah menguap dengan waktu penyimpanan melebihi 10 tahun. Chip ini mendukung antarmuka SI (Serial Input) dan SO (Serial Output) 1-bit yang independen, memungkinkan penulisan atau pembacaan byte data secara terus menerus pada frekuensi clock maksimum, dan memiliki latensi penulisan nol.
PM004 adalah chip antarmuka SPI (Serial Single-Wire) berkapasitas 4M Bit/512K Byte dengan antarmuka STT-MRAM (Spin-Transfer Torque Magnetic Random Access Memory). Datanya tidak mudah menguap dengan waktu penyimpanan melebihi 10 tahun. Chip ini mendukung antarmuka SI (Serial Input) dan SO (Serial Output) 1-bit yang independen, memungkinkan penulisan atau pembacaan byte data secara terus menerus pada frekuensi clock maksimum, dan memiliki latensi penulisan nol.
PM004 adalah chip antarmuka SPI (Serial Single-Wire) berkapasitas 4M Bit/512K Byte dengan antarmuka STT-MRAM (Spin-Transfer Torque Magnetic Random Access Memory). Datanya tidak mudah menguap dengan waktu penyimpanan melebihi 10 tahun. Chip ini mendukung antarmuka SI (Serial Input) dan SO (Serial Output) 1-bit yang independen, memungkinkan penulisan atau pembacaan byte data secara terus menerus pada frekuensi clock maksimum, dan memiliki latensi penulisan nol.
PN256K adalah memori non-volatile antarmuka IIC 256K Bit/32K Byte. Memori ini mengadopsi teknologi PMTJ STT-MRAM yang canggih untuk mencapai transmisi baca dan tulis hingga 400kHz, dengan keandalan yang sangat baik dan waktu penyimpanan data lebih dari 20 tahun.
MRAM memori magnetik non-volatile yang baru adalah perangkat yang ideal untuk cache non-volatile dan memori utama. Prospek aplikasinya tidak terbatas pada sistem penyimpanan komputer tradisional, tetapi juga dapat diperluas ke berbagai bidang lain, dan bahkan diharapkan menjadi memori umum. MRAM memastikan bahwa data tidak akan hilang apabila terjadi kegagalan daya dan dapat mencegah kerusakan data yang disebabkan oleh sinar. Dalam aplikasi yang sedang berkembang seperti Internet of Things dan data besar, terminal sensor yang ada di mana-mana perlu mengumpulkan data yang sangat besar. Untuk menghemat daya penyimpanan, MRAM telah menjadi kandidat yang populer karena kinerjanya yang relatif baik.
MRAM memori magnetik non-volatile yang baru adalah perangkat yang ideal untuk cache non-volatile dan memori utama. Prospek aplikasinya tidak terbatas pada sistem penyimpanan komputer tradisional, tetapi juga dapat diperluas ke berbagai bidang lain, dan bahkan diharapkan menjadi memori umum. MRAM memastikan bahwa data tidak akan hilang apabila terjadi kegagalan daya dan dapat mencegah kerusakan data yang disebabkan oleh sinar. Dalam aplikasi yang sedang berkembang seperti Internet of Things dan data besar, terminal sensor yang ada di mana-mana perlu mengumpulkan data yang sangat besar. Untuk menghemat daya penyimpanan, MRAM telah menjadi kandidat yang populer karena kinerjanya yang relatif baik.

Katakan apa yang Anda butuhkan