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Valores máximos absolutos(1)
A menos que se especifique lo contrario, Tamb= 25℃
| Parámetro | Símbolo | Valor | Unidad |
| Tensión de alimentación | VDD1/VDD2 | -0.5~6 | V |
| Tensión de entrada A/B | VINA/VINB | -0,5~VDD1/VDD2+0,5(2) | V |
| Temperatura de funcionamiento | Tamb | -40~125 | ℃ |
| Temperatura de unión | TJ | 150 | ℃ |
| Temperatura de almacenamiento | Tstg | -65~150 | ℃ |
| Temperatura de la patilla (soldadura por reflujo) | 260 | ℃ | |
| Aislamiento nominal con tensión de soporte | 5 | KVrms(3) |
Nota: (1) Si las condiciones de funcionamiento superan los "Valores máximos absolutos" anteriores, pueden producirse daños permanentes en el dispositivo. Los valores anteriores son sólo valores máximos para las condiciones de funcionamiento y no recomendamos que los dispositivos funcionen fuera de esta especificación. La estabilidad de los dispositivos puede verse afectada en condiciones de parámetros límite absolutos durante mucho tiempo.
Características eléctricas de CC
A menos que se especifique lo contrario，VDD=2,5V±5% o 3,3V±10% o 5V±10%，Tamb= 25℃
| Parámetro | Símbolo | Condiciones de la prueba | Min | Tipo | Max | Unidad |
| VDD Umbral de subtensión | VDDUV+ | VDD1, VDD2 alzamiento | 1.9 | 2.2 | 2.37 | V |
| VDD Umbral de subtensión | VDDUV- | VDD1, VDD2 fracasando | 1.85 | 2.12 | 2.32 | V |
| VDD Histéresis de subtensión | VDDHYS | 50 | 70 | 95 | mV | |
| Umbral de entrada positivo | VT+ | Todas las entradas suben | 1.4 | 1.6 | 1.9 | V |
| Umbral de entrada inversa | VT- | Todas las entradas fallan | 1.0 | 1.3 | 1.4 | V |
| Histéresis del umbral de entrada | VHYS | 0.38 | 0.44 | 0.50 | V | |
| Tensión de entrada de nivel alto | VIH | 2.0 | - | - | V | |
| Tensión de entrada de bajo nivel | VIL | - | - | 0.8 | V | |
| Tensión de salida de alto nivel | VOH | loh=-4mA | VDD-0,4 | VDD-0,2 | - | V |
| Tensión de salida de bajo nivel | VOL | lol=4mA | - | 0.2 | 0.4 | V |
| Corriente de fuga de entrada | IL | - | - | ±10 | µA | |
| Impedancia de salida(1) | ZO | - | 50 | - | Ω | |
| Habilitar corriente de entrada | IENH,IENL | VES=VIH o VIL | - | 2.0 | - | µA |
| Velocidad de datos | 0 | - | 150 | Mbps | ||
| Ancho de pulso mínimo | - | - | 5.0 | ns | ||
| Retardo de propagación | tPHL,tPLH | Véase la figura 2 | 5.0 | 9.0 | 15 | ns |
| Distorsión de la anchura de impulsos |tPLH-tPHL| | PWD | Véase la figura 2 | - | 0.2 | 4.5 | ns |
| Desviación de retardo de pieza a pieza(2) | tPSK(P-P) | - | 2.0 | 4.5 | ns | |
| De canal a canal Sesgo de retardo | tPSK | - | 0.4 | 2.5 | ns | |
| Hora de salida | tr | CL=15pF,Ver Figura 2 | - | 2.2 | 4.0 | ns |
| Tiempo de caída | tf | CL=15pF,Ver Figura2 | - | 2.2 | 4.0 | ns |
| Diagrama de ojo de pico Jitter | tJIT(PK) | - | 350 | - | ps | |
| Transitorios en modo común Inmunidad | CMTI | VI=VDD o 0 VCM=1500V | 35 | 50 | - | kV/µs |
| Enable to Data high Valid | ten1 | Véase la figura 1 | - | 5.0 | 12 | ns |
| Desactivar alto a Tri-State | tes2 | Véase la figura 1 | - | 65 | 98 | us |
| Tiempo de caída de entrada a tiempo de caída de salida efectivo | tSD | - | 28 | 45 | ns | |
| Tiempo de arranque(3) | tSU | - | 15 | 45 | µs |
Nota: (1) La impedancia de salida nominal del canal aislador es de aproximadamente 50Ω±40%, que es una combinación de resistencias en serie en chip y resistencias de canal FET de salida. Al conducir la carga, el efecto de la línea de transmisión será un factor que afectará a la señal, el pin de salida debe conectarse al cableado de PCB de impedancia controlada.
Tabla de selección
| Nº de pieza | El número total de canales | Número de canales inversos | Nivel de salida por defecto | Paquete | Forma de envasado | Dispositivos por bobina |
| SSP5840ED | 4 | 0 | Alta | SOIC-16 | Carrete | 2000 |
| SSP5841ED | 4 | 1 | Alta | SOIC-16 | Carrete | 2000 |
| SSP5842ED | 4 | 2 | Alta | SOIC-16 | Carrete | 2000 |
| SSP5845ED | 4 | 0 | Alta | SOIC-16 | Carrete | 2000 |
| SSP5840BD | 4 | 0 | Bajo | SOIC-16 | Carrete | 2000 |
| SSP5841BD | 4 | 1 | Bajo | SOIC-16 | Carrete | 2000 |
| SSP5842BD | 4 | 2 | Bajo | SOIC-16 | Carrete | 2000 |
| SSP5845BD | 4 | 0 | Bajo | SOIC-16 | Carrete | 2000 |
Shanghai Siproin
Microelectronics Co.,Ltd.
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