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El PM002 es un chip con interfaz SPI (Serial Single-Wire) de 2M Bit/256K Byte de capacidad STT-MRAM (Spin-Transfer Torque Magnetic Random Access Memory). Sus datos son no volátiles con un tiempo de retención superior a 10 años. El chip admite interfaces SI (Serial Input) y SO (Serial Output) independientes de 1 bit, permite la escritura o lectura continua de bytes de datos a su máxima frecuencia de reloj y presenta una latencia de escritura nula.
PM001 es un chip SPI (Serial Single-Wire) de 1M Bit/128K Byte de capacidad STT-MRAM (Spin-Transfer Torque Magnetic Random Access Memory). Sus datos son no volátiles con un tiempo de retención superior a 10 años. El chip admite interfaces SI (Serial Input) y SO (Serial Output) independientes de 1 bit, permite la escritura o lectura continua de bytes de datos a su máxima frecuencia de reloj y presenta una latencia de escritura nula.
Una novedosa memoria magnética no volátil MRAM es un dispositivo ideal para la memoria caché no volátil y la memoria principal. Sus perspectivas de aplicación no se limitan al tradicional sistema de almacenamiento informático, sino que pueden extenderse a muchos otros campos, e incluso se espera que se convierta en una memoria general. La MRAM garantiza que los datos no se pierdan en caso de fallo de alimentación y puede evitar daños en los datos causados por los rayos. En aplicaciones emergentes como el Internet de las Cosas y el big data, los omnipresentes terminales de sensores necesitan recopilar datos masivos. Para ahorrar energía de almacenamiento, la MRAM se ha convertido en un candidato popular por su rendimiento relativamente bueno.
El PM004 es un chip SPI (Serial Single-Wire) con interfaz STT-MRAM (Spin-Transfer Torque Magnetic Random Access Memory) de 4M Bit/512K Byte de capacidad. Sus datos son no volátiles con un tiempo de retención superior a 10 años. El chip admite interfaces SI (Serial Input) y SO (Serial Output) independientes de 1 bit, permite la escritura o lectura continua de bytes de datos a su máxima frecuencia de reloj y presenta una latencia de escritura nula.
El PM004 es un chip SPI (Serial Single-Wire) con interfaz STT-MRAM (Spin-Transfer Torque Magnetic Random Access Memory) de 4M Bit/512K Byte de capacidad. Sus datos son no volátiles con un tiempo de retención superior a 10 años. El chip admite interfaces SI (Serial Input) y SO (Serial Output) independientes de 1 bit, permite la escritura o lectura continua de bytes de datos a su máxima frecuencia de reloj y presenta una latencia de escritura nula.
La PN256K es una memoria no volátil con interfaz IIC de 256K Bit/32K Byte. Adopta la avanzada tecnología PMTJ STT-MRAM para lograr una transmisión de lectura y escritura de hasta 400 kHz, con una excelente fiabilidad y más de 20 años de tiempo de retención de datos.
PM256K es una memoria no volátil con interfaz SPI de 256K Bit/32K Byte. El chip adopta la avanzada tecnología PMTJ STT-MRAM, soporta interfaces independientes SI y SO de una sola línea, alcanza hasta 20MHz de transmisión de lectura y escritura, y no tiene retardo en la escritura. Tiene una excelente fiabilidad y más de 20 años de tiempo de retención de datos. PM256K es una solución ideal para que la MCU amplíe la memoria externa. Al mismo tiempo, debido a sus características de rápido rendimiento, pocos pines y pequeño tamaño, se ha convertido gradualmente en la elección de aplicaciones como embebidos, conmutadores de red, automóviles e Internet de las Cosas.
Una novedosa memoria magnética no volátil MRAM es un dispositivo ideal para la memoria caché no volátil y la memoria principal. Sus perspectivas de aplicación no se limitan al tradicional sistema de almacenamiento informático, sino que pueden extenderse a muchos otros campos, e incluso se espera que se convierta en una memoria general. La MRAM garantiza que los datos no se pierdan en caso de fallo de alimentación y puede evitar daños en los datos causados por los rayos. En aplicaciones emergentes como el Internet de las Cosas y el big data, los omnipresentes terminales de sensores necesitan recopilar datos masivos. Para ahorrar energía de almacenamiento, la MRAM se ha convertido en un candidato popular por su rendimiento relativamente bueno.

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