Özellikler
| Uygulamalar
|
Blog
Özellikler
| Uygulamalar
|
| Öğe | Maksimum | Birim |
| Vin, EN, SW Gerilimi | -0.3～ 32 | V |
| Kurşun Lehimleme, Sıcaklık (10s) | +260 | °C |
| Çalışma bağlantı sıcaklığı | -40～+150 | °C |
| Güç dağılımı(3) | İç kısıtlamalar | |
| FB, BS voltajı | -0.3~6 | V |
| Depolama sıcaklığı | -55～+150 | °C |
| ESD (İnsan Vücudu Modeli, HMB） | 2 | kV |
| Termal Direnç (RθJC) | 55 | °C/W |
| Termal Direnç (RθJA) | 105 | °C/W |
Not (1): Bu değerlerin aşılması cihaza zarar verebilir.
Not (2): Cihazın çalışma koşulları dışında çalışacağı garanti edilmez.
Not (3): İzin verilen maksimum güç dağılımı, maksimum bağlantı sıcaklığının bir fonksiyonudur, TJ(MAX), bağlantı noktası-ortam termal direnci, RθJAve ortam sıcaklığı, TA. İzin verilen maksimum herhangi bir ortam sıcaklığındaki güç dağılımı kullanılarak hesaplanır: PD (MAX) = (TJ(MAX) - TA)/RθJA. İzin verilen maksimum güç dağılımının aşılması aşırı kalıp sıcaklığına neden olur ve regülatör termal kapanmaya girer. Dahili termal kapatma devresi cihazı kalıcı hasarlardan korur. Termal kapatma TJ=160°C (tipik) ve TJ= 140°C (tipik).
| Parametre | Test Koşulları | Min | Tip. | Maksimum | Birim |
| Giriş Gerilim Aralığı | 4.5 | — | 28 | V | |
| Besleme Akımı (Sessiz) | VEN=3.0V | — | 0.3 | 0.8 | mA |
| Besleme Akımı (Kapatma) | VEN =0 veya EN=GND | — | — | 25 | uA |
| Geri Besleme Gerilimi | 0.585 | 0.600 | 0.615 | V | |
| Yüksek Taraf Anahtarı Direniş Üzerine | ISW=100mA | — | 100 | — | mΩ |
| Alçak Taraf Anahtarı Direniş Üzerine | ISW=-100mA | — | 50 | — | mΩ |
| Vadi Anahtarı Akım Sınırı | 3.5 | — | — | A | |
| Aşırı Gerilim Koruma Eşiği | — | 28.5 | — | V | |
| Anahtarlama Frekans | — | 500 | — | KHz | |
| Maksimum Görev Döngü | Vin=12V, Vfb=0,5V | — | 92 | — | % |
| Minimum İzin Süresi | Vin=28V, Vout=1.0V, Iout=1.0A | — | 105 | — | nS |
| EN Yükselen Eşik | 1.4 | — | — | V | |
| TR Düşüyor Eşik | — | — | 0.5 | V | |
| Düşük Voltaj Kilitleme Eşiği | Uyandırma VIN Gerilimi | — | 3.8 | 4.2 | V |
| Kapatma VIN Gerilimi | 3.0 | 3.4 | — | V | |
| Histerezis VIN gerilimi | — | 400 | — | mV | |
| Yumuşak Başlangıç | — | 1.5 | — | ms | |
| Termal Kapatma | — | 160 | — | ℃ | |
| Termal Histerezis | — | 20 | — | ℃ |
Not (1): MOSFET açık direnç spesifikasyonları, wafer seviyesi ölçümleri ile korelasyon ile garanti edilir.
Not (2): Termal kapatma özellikleri, tasarım ve karakteristik analiziyle ilişkilendirilerek garanti edilir.
Shanghai Siproin
Microelectronics Co., Ltd.
İletişiminize hoş geldiniz.
