Характеристики
| Приложения
|
Блог






Характеристики
| Приложения
|
Абсолютный максимум номинальных значений
| Параметр | Рейтинг |
| VDD - AGND | от -0,3 В до +7 В |
| VDD - DGND | от -0,3 В до +7 В |
| Аналоговое входное напряжение на AGND (VAP, VBP, VCP, VN, IAP, IAN, IBP, IBN, ICP и ICN) | от -6 В до +6 В |
| Опорное входное напряжение на AGND | от -0,3 В до V + 0,3 В DD |
| Цифровое входное напряжение на DGND | от -0,3 В до V + 0,3 В DD |
| Напряжение цифрового выхода на DGND | от -0,3 В до V + 0,3 В DD |
| Диапазон рабочих температур Промышленность | от -40°C до +85°C |
| Диапазон температур хранения | от -40°C до +85°C |
| Температура спая | 150°C |
| 24-выводной SOIC, рассеиваемая мощность | 450 мВт |
| θJA Тепловой импеданс | 250°C/W |
| Температура свинца, пайка | |
| Паровая фаза (60 секунд) | 215°C |
| Инфракрасное излучение (15 секунд) | 220°C |
Электрические характеристики
(VDD = 5 В ± 5%, AGND = DGND = 0 В, эталон на кристалле, CLKIN = 10 МГц, TMIN - TMAX = от -40°C до +85°C, если не указано иное.)
| Параметр | Значение | Единица | Условия |
| АККУРАТНОСТЬ | |||
| Ошибка измерения на текущем канале | 0.1 | 1TP3Тип чтения | Канал напряжения с полномасштабным сигналом (±500 мВ), 25°C, в динамическом диапазоне от 500 до 1 |
| Фазовая ошибка между каналами PF = 0,8Емкостной | ±0.1 | Степени | Частота сети 50~60 Гц |
| Фазовая ошибка между каналами PF = 0,5Индуктивный | ±0.1 | Степени | |
| Отклонение источника питания переменного тока Изменение выходной частоты (CF) | 0.2 | 1TP3Тип чтения | SCF=0, S1=S0=1, IA=IB=IC=100mVrms,50Hz VA=VB=VC=100mVrms,50Hz Пульсация на VDD 175 мВ среднеквадратичного значения, 100 Гц |
| Отклонение источника питания постоянного тока Изменение выходной частоты (CF) | ±0.3 | 1TP3Тип чтения | S1=1,S0=SCF=0 IA=IB=IC=100mV rms,50Hz VA=VB=VC=100mVrms,50Hz VDD =5V±250mV |
| АНАЛОГОВЫЕ ИНПУТЫ | |||
| Максимальные уровни сигнала | ±0.5 | Vmax | VA,VB,VC,IA,IB,IC к GND |
| Входной импеданс (постоянный ток) | 390 | kΩ min | CLKOSC=10 МГц |
| Ширина полосы пропускания (-3 дБ) | 14 | кГц typ | CLKOSC/256,CLKOSC=10 МГц |
| Ошибка смещения АЦП | ±16 | мВ макс | |
| Ошибка усиления | ±9 | %Ideal typ | Внешнее опорное напряжение 2,5 В IAP=IBP=ICP=500mV,dc |
| ЭТАЛОННОЕ УСТРОЙСТВО НА КРИСТАЛЛЕ | |||
| Ошибка ссылки | ±200 | мВ макс | Номинальное напряжение 2,5 В |
| Коэффициент температуры | 30 | ppm/℃ typ | |
| CLKIN | |||
| Входная тактовая частота | 12 | МГц макс | Все характеристики для CLKIN 10 МГц |
| 8 | МГц мин | ||
| ЛОГИЧЕСКИЕ ВХОДЫ SCF, S0, S1 и ABS | |||
| Высокое входное напряжение, VINH | 2.4 | V мин | VDD=5V±5% |
| Входное низкое напряжение, VINL | 0.8 | V макс | VDD=5V±5% |
| Входной ток, IВ | ±3 | мкА макс | Обычно 10 нА, VIN=0 В - VDD |
| Входная емкость, CВ | 10 | пФ макс | |
| ЛОГИЧЕСКИЙ ВЫХОД F1 и F2 | |||
| Высокое напряжение на выходе, VOH | 4.5 | V мин | IИСТОЧНИК=10mA,VDD=5V |
| Низкое напряжение на выходе, VOL | 0.5 | V макс | ISINK=10mA,VDD=5V |
| CF и REVP | |||
| Высокое напряжение на выходе, VOH | 4 | V мин | IИСТОЧНИК=10mA,VDD=5V |
| Низкое напряжение на выходе, VOL | 0.5 | V макс | ISINK=10mA,VDD=5V |
| Источник питания Для достижения указанных характеристик | |||
| VDD | 4.75 | V мин | 5V-5% |
| 5.25 | V макс | 5V+5% | |
| IDD | 8 | мА макс | |
| 5 | мА мин | Обычно 6,5 мА | |
Информация о заказе
| Модель изделия | пакет | способ упаковки | Минимальное количество упаковки |
| SSP1852 | SOP24 | Трубка | 30PCS |



Шанхай Сипроин
Microelectronics Co.,Ltd.
Приветствуем вас.