Приложение
Поиск
Катгории сообщений
У вас есть вопросы?
Нажмите на кнопку, чтобы оставить свое сообщение, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
SSP1220 - прецизионный 24-битный аналого-цифровой преобразователь, разработанный и спроектированный компанией Siproin Microelectronics. SSP1220 способен выполнять преобразования с частотой дискретизации данных до 2k SPS и стабилен в пределах одного цикла. Для промышленных применений в шумных средах цифровой фильтр обеспечивает подавление частот 50 и 60 Гц при частоте дискретизации 20SPS.
SSP8011A-A - это недорогая, маломощная одноканальная емкостная сенсорная ИС. Встроенная схема стабилизатора напряжения, мало периферийных компонентов, всего несколько компонентов могут обеспечить сенсорное управление.
Обеспечивает 2 режима вывода, высокий/низкий выход опционально.Сброс после максимум 9S.Чувствительность сенсорных клавиш может быть настроена по мере необходимости путем регулировки внешнего сопротивления и емкости.
Новая микросхема SSP9481 представляет собой высокопроизводительный асинхронный преобразователь 80 В, 1 А, идеально подходящий для проектирования систем питания с широким диапазоном входных напряжений (от 4,5 В до 80 В) с выходом 3,3 В и способностью работать под нагрузкой 1 А. Ниже мы подробно рассмотрим, как использовать микросхему SSP9481 для решения этой проектной задачи, включая выбор ключевых параметров, проектирование схемы, выбор компонентов и оптимизацию производительности.
В соответствии с характеристиками серии продуктов Shanghai Siproin Microelectronics, которые могут широко использоваться в интеллектуальных счетчиках, включающих защиту от утечек, обнаружение уличного освещения, розетки, зарядные сваи, интеллектуальные электрические распределительные коробки и другие категории, связанные с счетчиками.
Детектор напряжения - это микросхема ИС, которая контролирует напряжение в линии питания и выдает сигнал обнаружения, когда напряжение падает ниже или превышает заданное напряжение, которое также замыкается на VD. Siproin предлагает маломощные микросхемы обнаружения низкого напряжения, которые доступны в двух формах: КМОП-выход и NMOS-выход с открытым стоком.
STT-MRAM (Spin Transfer Torque Magnetic Random Access Memory) - это второе поколение MRAM (магнитной памяти с произвольным доступом). Ее основное преимущество заключается в использовании технологии спиновых токов для эффективной записи информации. Основным компонентом запоминающего устройства является тонко сконструированный MTJ (магнитный туннельный переход), состоящий из двух ферромагнитных слоев разной толщины, соединенных немагнитным изолирующим слоем толщиной всего несколько нанометров. Такая уникальная конструкция делает STT-MRAM передовой энергонезависимой памятью, которая выполняет операции записи данных, точно управляя спиновым током.
