Характеристики
| Приложения
|
Блог
Характеристики
| Приложения
|
| Артикул | Макс | Единица |
| Напряжение Vin, EN, SW | -0.3～ 32 | V |
| Пайка свинцом, температура (10 с) | +260 | °C |
| Рабочая температура спая | -40～+150 | °C |
| Рассеиваемая мощность(3) | Внутренние ограничения | |
| Напряжение FB, BS | -0.3~6 | V |
| Температура хранения | -55～+150 | °C |
| ESD (модель человеческого тела, HMB） | 2 | кВ |
| Термическое сопротивление (RθJC) | 55 | °C/ВТ |
| Термическое сопротивление (RθJA) | 105 | °C/ВТ |
Примечание (1): Превышение указанных номиналов может привести к повреждению устройства.
Примечание (2): Не гарантируется работоспособность устройства вне условий эксплуатации.
Примечание (3): Максимально допустимая рассеиваемая мощность зависит от максимальной температуры спая, TJ(MAX), термическое сопротивление перехода к окружающей среде, RθJA, и температура окружающей среды, TA. Максимально допустимый Мощность, рассеиваемая при любой температуре окружающей среды, рассчитывается с помощью: PD (MAX) = (TJ(MAX) - TA)/RθJA. Превышение максимально допустимой рассеиваемой мощности приводит к повышению температуры корпуса, и регулятор переходит в режим теплового отключения. Внутренняя схема теплового отключения защищает устройство от необратимых повреждений. Тепловое отключение включается при TJ=160°C (типично) и отключается при TJ= 140°C (типовая).
| Параметр | Условия испытаний | Мин | Тип. | Макс | Единица |
| Диапазон входного напряжения | 4.5 | — | 28 | V | |
| Ток питания (Тихий) | VEN=3,0 В | — | 0.3 | 0.8 | мА |
| Ток питания (Выключение) | VEN =0 или EN=GND | — | — | 25 | uA |
| Напряжение обратной связи | 0.585 | 0.600 | 0.615 | V | |
| Переключатель высокой стороны Вкл. сопротивление | ISW=100 мА | — | 100 | — | mΩ |
| Переключатель нижнего уровня Вкл. сопротивление | ISW=-100 мА | — | 50 | — | mΩ |
| Долинный переключатель Предел тока | 3.5 | — | — | A | |
| Повышенное напряжение Порог защиты | — | 28.5 | — | V | |
| Переключение Частота | — | 500 | — | КГц | |
| Максимальная нагрузка Цикл | Vin=12 В, Vfb=0,5 В | — | 92 | — | % |
| Минимальное время отдыха | Vin=28 В, Vout=1,0 В, Iout=1.0A | — | 105 | — | nS |
| Порог нарастания EN | 1.4 | — | — | V | |
| EN Падение Порог | — | — | 0.5 | V | |
| Порог блокировки при пониженном напряжении | Напряжение VIN при пробуждении | — | 3.8 | 4.2 | V |
| Напряжение VIN отключения | 3.0 | 3.4 | — | V | |
| Гистерезис Напряжение VIN | — | 400 | — | мВ | |
| Мягкий старт | — | 1.5 | — | мс | |
| Тепловое отключение | — | 160 | — | ℃ | |
| Тепловой гистерезис | — | 20 | — | ℃ |
Примечание (1): Характеристики сопротивления включения MOSFET гарантируются путем сопоставления с результатами измерений на уровне полупроводниковой пластины.
Примечание (2): Характеристики теплового отключения гарантируются на основе анализа конструкции и характеристик.
Шанхай Сипроин
Microelectronics Co.,Ltd.
Приветствуем вас.
